
電子學 第 4 頁,共 5 頁
1k
+11.8V
Vo
Vi
Ω
Ω
10k Ω
2k
1μF1μF
Ω
10k
1μF
iO
ii
30V
Vi
2MΩ2kΩ
8kΩ
D
S
G
VDD
RS
Q1
Vo
=+8V
VT=2V
K=1mA/V2
1kΩ
ID
【圖 14】 【圖 15】 【圖 16】
28.如【圖 14】所示,若電晶體 β=60,VBE =0.7 V,VT =26 mV,η=1,則電晶體的 rπ為多少?
(A) 6 Ω (B) 60 Ω (C) 0.6 KΩ (D) 6 KΩ
29.承第 28 題,請問電壓增益 Vo/Vi為?
(A) 60 (B) 100 (C) -60 (D) -100
30.承第 29 題,請問電流增益 io/ii約為?
(A) 53 (B) 63 (C) 73 (D) 83
31.數位電路中的正反器通常是?
(A)單穩態多諧振盪器(B)間歇震盪器 (C)無穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器
32.共基極放大器,在室溫 26℃下工作,電壓增益為 13,若直流工作點 IEQ=0.5 mA,則小信號
re電阻為多少歐姆(Ω)?
(A) 52 Ω (B) 26 Ω (C) 13 Ω (D) 26 kΩ
33.如【圖 15】所示,Q1 是?
(A) N 通道 JFET (B)增強型 N通道 MOSFET( C ) 增強型 P通道 MOSFET(D) P 通道 JFET
34.承第 33 題,求 ID的電流為多少?
(A) 9 mA (B) 4 mA (C) 8 mA (D) 3 mA
35.某一 JFET 之IDSS=10 mA,Vgs(OFF)=-5 V,試計算在偏壓點 Vgs=-2 V 的gm值為何?
(A) 1.2 mS (B) 1.8 mS (C) 2.4 mS (D) 5.6 mS
36. FET 電晶體與 BJT 電晶體兩者比較,下列何者有誤?
(A) FET 易受溫度升高影響 (B) FET 輸入電阻較高
(C) BJT 操作速度較快 (D) FET 為電壓控制,BJT 為電流控制
37.某一 N通道 JFET 的汲極飽和電流 IDss =27 mA ,汲極電流 ID=3 mA。若截止電壓(cut-off
voltage) Vgs(off)= -3 V,則閘源極電壓 Vgs 為多少?
(A) 2 V (B) 1.414 V (C) -2 V (D) 0 V
38.有關 MOSFET 之敘述,下列何者有誤?
(A)閘極與通道間使用二氧化矽以提高絕緣 (B) MOSFET 適於應用在大型積體電路數位系統
(C)空乏型 MOSFET 內部有預設通道 (D)增強型 MOSFET在Vgs=0 時工作在夾止區
39.如【圖 16】所示,VDS=10V,則 VGS=?
(A) -2.5 V (B) -4.0 V (C) -5.5 V (D) -6.0 V
40.有關理想運算放大器 OPA 之特性描述,下列何者有誤?
(A) 輸入電阻為∞ (B)輸出電阻為 0 (C)共模拒斥比為∞ (D)增益頻寬為 0
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