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電子學 第 1 頁，共 6 頁
台灣電力公司 105 年度新進僱用人員甄試試題
科 目:專業科目A（電子學）
考試時間:第 2 節，60 分鐘
注
意
事
項
1.本科目禁止使用電子計算機。
2.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。
3.本試題為單選題共 50 題，每題 2 分、共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於
本試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於一
個選項者，倒扣該題所配分數 3 分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止；未作答者，
不給分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場索取。
[C] 1.
下列
敘述何者正確？
(A)本質半導體的導電性會因摻雜雜質原子而降低
(B)電洞的移動事實上是自由電子的移動
(C)半導體的電阻溫度係數為負
(D)半導體內的漂移電流是因不均勻濃度梯度的載子所造成
[B] 2.
某二極體通過電流為
2 mA時順向偏壓為0.8 V，如果現在通過之電流改為32 mA，其順向偏壓
約
為？(已知該二極體的ηVT= 0.05 V，ln2= 0.693，請計算至小數點後第2位，以下四捨五入)
(A) 0.47 V (B) 0.94 V (C) 1.41 V (D) 1.88 V
[A] 3.
如
右圖電路中之二極體為理想二極體，則輸出電壓V0為？
(A) 1.5 V (B) 2.0 V
(C) 2.5 V (D) 3.0 V
[C] 4.
如
右圖電路之齊納(Zener)二極體，其VZ= 30 V，其電流範圍
為
8 mA~50 mA，則負載電流IL最大為多少？
(A) 21 mA (B) 32 mA
(C) 42 mA (D) 63 mA
[B] 5.
如
右圖為一整流電路，其中D1為一理想二極體，若施加之交流電
壓
e為30πsin(ωt) V時，請問RL兩端之負載電壓平均值為多少？
(A) 5 V (B) 15 V
(C) 5πV (D) 15πV
[A] 6.
如
右圖電路中有兩個齊納(Zener)二極體，其V= 12 V，V= 20 V，
R
1 = R2 = 4 kΩ，輸入電壓Vi = 18sin(ωt) V，若兩個齊納(Zener)二極
體的順向電壓
均為0 V，則輸出電壓Vo的變化範圍為？
(A) -12 V~ 18 V (B) -15 V~ 24 V
(C) -15 V~ 18 V (D) -12 V~ 24 V
[B] 7.
當
NPN型電晶體之基射極接面順偏，基集極接面逆偏時，此時操作在哪一工作區？
(A)飽和區 (B)順向主動區 (C)逆向主動區 (D)截止區
【請翻頁繼續作答】
4V 3kΩ3kΩVo
2.5kΩ
e
10kΩD1
20kΩRL=20kΩ
Vo
Vz1
Vi
Vz2
R1
R2
150V RL
2.4kΩ
IL
VZ
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[C] 8.
某電晶體
在主動區工作，且其α值為0.99，IB = 10 μA，則IC=？
(A) 9.9 μA (B) 99 μA (C) 990 μA (D) 9900 μA
[D] 9.
有關理想
電壓源的特性，下列何者正確？
(A)輸出呈電容性 (B)電路內阻= ∞ (C)輸出電流恆定 (D)電路內阻= 0
[D] 10.
當電阻值
RB約為多少時，右圖中之A類放大電路能有最大功率輸
出
(即Q點位於負載線中間處)？
(A) 25.95 kΩ (B) 34.60 kΩ
(C) 51.90 kΩ (D) 69.20 kΩ
[D] 11.
如
右圖所示電晶體電路，假設輸入信號Vs為交流小信號且
無直流成分
，又電晶體的ro可忽略，則右圖之輸入電阻Rin
為
？
(A) β[re+2.65 kΩ]
(B) (1+β)[ re +3 kΩ]
(C) (1+β)[ re +2.65 kΩ]
(D) (1+β)[ re +2.65 kΩ
∥
3 kΩ]
[C] 12.
有關
BJT與FET之比較，下列何者正確？
(A) BJT製作面積比FET小 (B)一般來說，FET作為放大器的雜訊較大
(C) BJT是雙載子元件，FET是單載子元件 (D) FET不會發生歐力效應(Early Effect)
[C] 13.
某
一增強型MOSFET之VDS = 4 V，導電參數K= 0.8 mA/V2，臨界電壓VT = 2 V，VGS = 5 V，則汲
極電流
ID應為多少？
(A) 3.6 mA (B) 5.4 mA (C) 7.2 mA (D) 19.2 mA
[A] 14.
某一
JFET的IDSS= 12 mA，VP= -2 V，則當汲極電流ID= 3 mA時，其VGS為多少？
(A) -1 V (B) -2 V (C) -3 V (D) -6 V
[C] 15.
某一
JFET操作在夾止(pinch-off)區，如其IDSS= 10 mA，夾止電壓VP= -5 V，VGS= -3 V，則其小
信號之
互導(transconductance) gm為？
(A) 0.8 mA/V (B) 1.2 mA/V (C) 1.6 mA/V (D) 2.0 mA/V
[B] 16.
某一電路的轉移函數為
，求其增益頻寬乘積為？
(A) 100 kHz (B) 200 kHz
(C) 300 kHz (D) 400 kHz
[D] 17.
在雙極性電晶體的共射極組態中
，作用區常被用來放大信號，主要是因為在該區有何特性？
(A) Ic約等於ICBO (B)輸入阻抗極高
(C) Ic與IB無關 (D)電晶體對輸入電流反應極為靈敏
[A] 18.
有
一個額定輸出為80 W的放大器連接至20 Ω的揚聲器上，若放大器的電壓增益為60 dB，則當
此放大器以
額定輸出時，其輸入電壓為多少？
(A) 40 mV (B) 60 mV (C) 80 mV (D) 160 mV
Vi
V0
300Ω
RB
VCC=18V
β=120
VBE=0.7V
2.65kΩ
V0
VS
800kΩ
800kΩ
C=∞
3kΩ
-10V
Rin
10V
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[C] 19.
如
右圖所示之差動放大器，其Q1與Q2為完全匹配且均處於作用區
，則下列何者正確？
(A) Rc值越大則差動電壓增益值|ADM|越小
(B)當REE的值變大時，CMRR值變小
(C) Rc值越大，則共模電壓增益值|ACM|越大
(D)當IEE值變大，|ADM|越小
[C] 20.
如
右圖之電路，假設處於理想狀況，當Vo增加至某一準位，而電路
仍正常工作下
，則下列何者正確？
(A) Io= 0.25 IREF (B) Io= 0.5 IREF
(C) Io= IREF (D) Io= 2 IREF
[D] 21.
對基本放大器增加負回授後
，下列特性敘述何者有誤？
(A)雜訊對電路的影響降低 (B)頻寬增加
(C)放大器的增益會衰減 (D)增益與頻寬的乘積提高
[B] 22.
如
右圖為一理想串聯饋送式A類放大器，其VCC= 30 V，負載RL= 9 Ω
，則此放大器之電晶體Q最大消耗功率約為多少？
(A) 12.5 W (B) 25 W
(C) 50 W (D) 75 W
[A] 23.
A
類、B類、AB類及C類等四種功率放大器，依效率大小比較為？
(A) C > B > AB > A (B) A > AB > B > C (C) AB > C > B > A (D) B > C > AB > A
[C] 24.
右
圖為一理想全波整流電路，R1= 500 Ω，R2= 800 Ω，
V
in為5 V，則Vout為多少？
(A) 4 V (B) 6 V
(C) 8 V (D) 10 V
[D] 25.
如
右圖所示濾波器，有關其特性，下列敘述何者正確？
(A)為低通濾波器，其f0=
√
(B)為低通濾波器，其f0=
(C)為高通濾波器，其f0=
√
(D)為高通濾波器，其f0=
[B] 26.
有一電路
βAV =
，試問此電路會不會振盪？
(A)會 (B)不會 (C)視RC數值而定 (D)視ω數值而定
Vout
D4
R2
D3
D1
D2
I
R1
Vin
CVo
Vi
R
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V2
RC
VO2VO1
RC
V1
+VCC
-VEE
REE IEE
Q1Q2
Q2Vo
Io
Q1
IREF
VGS
Q
VCC
RB
V0
Vi
RC
C1
RL
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[B] 27.
目前台灣地區的電力系統
，提供之交流電源頻率為多少？
(A) 50 Hz (B) 60 Hz (C) 120 Hz (D) 377 Hz
[D] 28.
有一交流電壓源
v(t)= 310 sin (ωt+30°)，求此電壓有效值約多少？(註：請計算至整數位，小數
點以下四捨五入
)
(A) 99 V (B) 155 V (C) 197 V (D) 219 V
[D] 29.
假設二極體的順向電阻為
R1和逆向電阻為R2，若二極體為良好情況下，當使用三用電表之電
阻檔測量二極體時
，則下列敘述何者正確？
(A) R1值非常大，R2值亦非常大
(B) R1值非常小，R2值亦非常小
(C) R1值非常大，R2值非常小
(D) R1值非常小，R2值非常大
[C] 30.
如
右圖所示，D為理想二極體，Vi = 15 V，則電流 I 為多少？
(A) 0 mA (B) 2.5 mA
(C) 5 mA (D) 6 mA
[C] 31.
設一直流電源
，無載時輸出電壓為100 V，滿載時輸出電壓下降為80 V，則此電源的電壓調整
率為何
？
(A) 0 % (B) 20 % (C) 25 % (D) 100 %
[B] 32.
有
一半波整流電路(含一個理想二極體和電容)，Vm是變壓器二次側輸出最大電壓值，請問二
極體之逆向偏壓約為多少
？
(A) 1 Vm (B) 2 Vm (C) 3 Vm (D) 4 Vm
[D] 33.
下列有關
BJT共集極(CC)、共基極(CB)、共射極(CE)基本組態放大電路之比較，何者正確？
(A)電壓增益：CC > CE > CB (B)輸出阻抗：CC > CE > CB
(C)功率增益：CC > CE > CB (D)輸入阻抗：CC > CE > CB
[A] 34.
如右
圖所示之電路，若電晶體的β值為100，VBE = 0.7 V，
V
CE(sat) = 0.2 V，齊納(Zener)二極體的崩潰電壓VZ = 7 V，則當
V
i = 10 V，Vo為多少？
(A) 5.7 V (B) 6.7 V
(C) 7 V (D) 7.7 V
[C] 35.
如右
圖所示之電路，若電晶體的β值為50，則當Vi = 2.5 V，
R
C為多少？
(A) 1 kΩ (B) 5 kΩ
(C) 10 kΩ (D) 15 kΩ
I
2kΩ
Vi
D
3kΩ
3V
RC
Vi
V0
15V
1kΩ
RB
100kΩ
100kΩ
RB
+15V
Vi
RC
6V
0.7V
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[A] 36.
如右
圖所示之電路，若電晶體的β值為100，VBE = 0.7 V，當IB趨
近於
0時，VCB為多少？
(A) 10.3 V (B) 11.3 V
(C) 12.3 V (D) 13.3 V
[B] 37.
如右
圖所示之電路，若電晶體的β值為100，VBE = 0.7 V，
熱電壓
VT = 25 mV，則基極交流電阻 rπ為多少？
(A) 25 Ω (B) 250 Ω
(C) 500 Ω (D) 1000 Ω
[A] 38.
電晶體共射極放大器
，若加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則下列敘述何者正確？
(A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加
[A] 39.
有
一個RC串聯電路，若由電容器兩端取出輸出訊號，則此電路為何種濾波器？
(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)帶拒濾波器
[D] 40.
共模拒斥比
(CMRR)越大，表示：
(A)頻寬越大 (B)輸入阻抗越大 (C)越不易消除雜音 (D)越能消除共模信號
[B] 41.
如右
圖所示，各級電壓增益AV1、AV2、AV3表示
電壓放大倍數
，則此一串級放大電路之總電壓增
益為多少
？
(A) 70 dB (B) 100 dB
(C) 120 dB (D) 170 dB
[D] 42.
有關
MOSFET之敘述，下列何者錯誤？
(A)增強型N通道MOSFET之臨界電壓值為正
(B)增強型P通道MOSFET之VGS若接正電壓，則無法建立通道
(C)空乏型N通道MOSFET之VGS可接正電壓或負電壓
(D)空乏型MOSFET本身結構中並無預設通道存在
[A] 43.
有一增強型
MOSFET之臨界電壓VT = 2 V， K = 0.5 mA/V2，gm = 1 mA/V，則VGS為多少？
(A) 3 V (B) 4 V (C) 5 V (D) 6 V
[B] 44.
如右
圖所示之電路，若ID = 0.1(VGS-1.0)2mA，求VDS為多少？
(A) 1 V (B) 2 V
(C) 3 V (D) 4 V
8kΩ
2kΩ
90kΩ
10kΩ
+15V
Vo
Vi第一級 第二級 第三級
AV1=20 AV2=50 AV3=100
20kΩ
100kΩ100kΩ
+12V
VDS
ID
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93kΩ500Ω
+10V
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[C] 45.
如右
圖所示之電路，若gm = 2 mA/V，rd = 100 kΩ，則
JFET共源極放大電路的電流增益Ai為多少？
(A) -50 (B) -100
(C) -200 (D) -500
[D] 46.
如右
圖所示之電路，已知JFET之IDSS = 4 mA，夾止電
壓
Vp= -4 V，汲極電阻rd = ∞，則電壓增益AV為多少？
(A) 20 (B) -20
(C) 10 (D) -10
[D] 47.
如右
圖所示之電路，V1 = 1.0 V，V2 = 1.5 V，V3 = 3.0 V，則Vo
輸出電壓為多少
？
(A) -5.5 V (B) -6.5 V
(C) -7.0 V (D) -9.5 V
[A] 48.
如右
圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和
情況下
，Vo輸出電壓為多少？
(A) -12 V (B) -10 V
(C) -8 V (D) -4 V
[C] 49.
如右
圖所示之電路，為下列何種電路？
(A)積分電路 (B)微分電路
(C)方波產生電路 (D)三角波產生電路
[B] 50.
如右
圖所示之相移振盪器電路，若
R
1+
R
2 =60
k
Ω，則使電
路振盪的
R1最大值為多少？
(A) 1 kΩ (B) 2 kΩ
(C) 58 kΩ (D) 59 kΩ
100kΩ
200kΩ
1kΩ
Vi
+VDD
Vo
50kΩ
20kΩ
Vo
+VDD
Vi
20kΩ
1MΩ
2V
500kΩ
1MΩ
Vo
1MΩ
500kΩ
V1
V2
V3
2kΩ
1kΩ
Vo
3kΩ
+2V
5kΩ
1kΩ
2kΩ
R2R1
C C
R2R1
+10V
R1
R2
R
CC
R
C
R