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電子學 第 1 頁，共 4 頁
台灣電力公司 111 年度新進僱用人員甄試試題
科 目:專業科目 A（電子學）
考試時間:第 2 節，60 分鐘
注
意
事
項
1.本試題共 4頁(A3 紙1張)。
2.本科目禁止使用電子計算器。
3. 本試題為單選題共 50 題，每題 2分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本
試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於一
個選項者不倒扣，未作答者不給分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當
處所索取。
[C]
1.
一稽納二極體
，溫度40 ℃時，崩潰電壓為8 V，溫度30 ℃時，崩潰電壓為7.8 V，試求此稽納
二極體
40 ℃時之溫度係數為何？
(A)
0.10
%/℃
(B)
0.15
%/℃
(C)
0.25
%/℃
(D)
0.33
%/℃
[D]
2.
使用一
交直流電表測量一濾波電路的輸出訊號，獲得35 V直流電壓及5 V峰值之交流電壓，
試求其
漣波百分比約為何？
(A) 7.10
%
(B)
8.6
%
(C)
9.3
%
(D)
10.1
%
[D]
3.
下列敘述何者正確
？
(A)
全波整流之r %較半波整流大 (B) r %愈大電路愈穩定
(C) VR
%
愈大電路愈穩定
(D)
全波整流輸出頻率較半波整流高
[B]
4.
某橋式整流器之負載電阻為
10 KΩ，假設輸入電源為Vi =120sin(2 π× 60 t)，若要使整流後之漣
波電壓
Vr(p-p)限制在3 V內，試求其並聯之最少電容值為何？
(A)
25.6 μF (B) 33.4 μF (C) 45.2 μF (D) 54.5 μF
[C]
5.
某
BJT共射極組態工作於主動區，直流偏壓基極電流為10 μA，集極電流為1 mA，且熱電壓
V
T= 25 mV，試求BJT之射極交流電阻re 約為何？
(A)
68.4 Ω
(B)
55.7 Ω
(C)
24.7 Ω
(D)
8.4 Ω
[B]
6.
如
右圖所示矽質電晶體電路，若β=100，RC=2 KΩ，R1=10 KΩ，R2=15KΩ
，
VCC=15 V，VC= 5 V時，試求其 IB為何？
(A) 25
μA
(B) 50
μA
(C) 75
μA
(D) 100
μA
[A]
7.
操作於飽和區之
JFET放大電路，其IDSS= 6 mA，夾止電壓(pinch - off voltage) VP = -3 V，若電
路工作點之
VGS= -1.5 V，試求其電路之互導 gm 約為何？
(A)
2
mS
(B) 2
.5
mS
(C)
3
mS
(D)
4.5
mS
[C]
8.
某
一正回授放大器電路形成之振盪器，其回授增益β = 0.01，欲輸出振幅穩定之正弦波，試求
其
放大器之電壓增益|Av |應調整為何？
(A)50
(B)
75
(C)
100
(D)
150
[A]
9.
如
右圖所示，有一放大器的小訊號等效電路，若hfe=200
，
hie=1 KΩ，RL=2 KΩ，試求其電壓增益Av為何？
(A)
-400 (B) -200 (C) 200 (D) 400
[A]
10.
運算放大器輸出方波信號時
，若信號在5 μs內由- 5 V變動到 + 5 V，試求其轉動率為何？
(A)
2
V/
μ
s
(B)
4
V/
μ
s
(C) 5 V/
μ
s
(D) 10 V/
μ
s
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[A]
11.
如右
圖所示，已知VCC= 12 V，R1= 100 KΩ，R2= 100 KΩ，RE= 10 Ω，
h
ie=rπ= 1 KΩ，hfe=β= 99，試求其輸出阻抗Ro約為何？
(A) 5
Ω (B) 10 Ω
(C) 990
Ω (D) 1 KΩ
[B]
12.
如右圖所示
，電晶體工作於作用區，β= 99，re=30 Ω。若此
放大電路之電壓增益
Av= 100，試求其RC約為何？
(A) 2.1
KΩ (B) 4.3 KΩ
(C) 6.4
KΩ (D) 8.6 KΩ
[D]
13.
關於變壓器耦合放大器
之敘述，下列何者正確？
(A)效率較 RC 耦合放大器低 (B)容易以積體電路實現
(C)
不容易實現阻抗匹配
(D)
頻率響應不佳
[C]
14.
關
於達靈頓(Darlington)電路之敘述，下列何者有誤？
(A)
可用NPN及PNP電晶體混合組成 (B)輸入阻抗很高
(C)
電流增益小於
1
(D)
可用兩電晶體組成
[C]
15.
如
右圖所示疊接(Cascode)放大器，相較於共源(CS)放大器，下列何者有
誤
？
(A)
輸入電阻大約相同 (B)電晶體偏流大約相同
(C)
頻寬大約相同 (D)電壓增益大約相同
[B]
16.
於主動區工作之電晶體電流增益
α = 0.95，若射極電流IE = 10 mA，漏電流ICBO = 5 μA，試求其
集極電流
IC值為何？
(A) 9.005 mA
(B) 9.505 mA
(C) 10.005 mA
(D) 10.5
05
mA
[D]
17.
未加偏壓之 BJT，其物理特性之敘述，下列何者有誤？
(A)
各極的寬度：WC>WE>WB (B)各極的電阻係數：E
(C)
接面的電容量：
C
B
-
E
>C
B
-
C
(D)
接面的空乏區寬度：
W
B
-
E
>W
B
-
C
[A]
18.
有一增強
P通道MOSFET，已知臨界電壓VT= -2.5，若汲極電壓VD= 4 V，源極電壓VS= 8 V，
直流閘極電壓
VG= 3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？
(A)
飽和區
(B)
歐姆區
(C)
截止區
(D)
逆向工作區
[C]
19.
在一
N通道增強型MOSFET共源極放大電路中，其中MOSFET之VT= 2 V，K= 2 mA/V
2
，若要使
MOSFET
工作於飽和區，以獲得ID= 18 mA時，試求其VGS電壓為何？
(A) 2 V
(B) 3 V
(C) 5 V
(D) 9 V
[無
標
準
解]
20.
如右圖所示電路
，其中Q1與Q2的臨界電壓分別為 1 V和 -1 V時，Q1、Q2
工作狀態為何
？
(A) Q
1工作在歐姆區、Q2工作在截止區 (B) Q1與Q2皆工作在截止區
(C) Q
1工作在截止區、Q2工作在歐姆區 (D) Q1與Q2皆工作在歐姆區
[A]
21.
一共基極放大器
，在室溫下之熱電壓VT= 26 mV，已知其電壓增益為20，若直流工作點
I
EQ= 2 mA，試求其小訊號re電阻為何？
(A) 13
Ω
(B) 26
Ω
(C) 40
Ω
(D) 52
Ω
[B]
22.
某矽製二極體之
PN接面於5 ℃時，其逆向飽和電流為5 nA，當此PN接面溫度上升至35 ℃時，
試求其
逆向飽和電流為何？
(A) 50 nA
(B) 40 nA
(C) 30 nA
(D) 20 nA
[A]
23.
如右圖所示
，當VDS= 5 V，試求其VGS值為何？
(A)
-4 V (B) -2 V
(C) 5 V
(D) 10 V
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[B]
24.
如右圖所示共源極放大器
，若場效應電晶體參數
r
d
= 30
K
Ω
，
g
m
= 2 mA/V
，
試求
其電路的中頻電壓增益AV為何？
(A)
-60 V (B) -20 V
(C)
-15 V (D) 15 V
[D]
25.
本質半導體在絕對零度時
，下列敘述何者正確？
(A)有很多的電洞及自由電子 (B)有很少的電洞及自由電子
(C)性質如同金屬 (D)性質如同絕緣體
[B]
26.
有
4
支相同的喇叭並聯後，接於耦合變壓器二次側，每支喇叭電阻值為
80 Ω
，一次側看入之有
效負載總電阻值為
50 KΩ，試求使用耦合變壓器之一次側與二次側匝數比為何？
(A) 36
：
1
(B) 50
：
1
(C) 60
：
1
(D) 80
：
1
[D]
27.
如右圖所示電路，
V
i
= 2 V
，試求其輸出電壓
V
o為何？
(A) -12 V (B) -6 V
(C) 6 V (D) 12 V
[C]
28.
如右圖所示電路
，若
OPA
視為理想放大器，試求輸出電壓
V
o為何？
(A) -2 V (B) -1 V
(C) 1 V (D) 2 V
[C]
29.
如
右圖所示，
β
=100
，若
V
in
= 50 mV
，試求負載電流
i
L為何？
(A) 10 m
A (B) 15 mA
(C)
20 mA (D) 50 mA
[A]
30.
某
N
通道
JFET
之夾止電壓
(pinch
-
off voltage) V
P
=
-
5
V
、
I
DSS
= 25 mA
，當其閘極電壓
V
G
=
-
6 V
、源極
電壓VS= 0 V、汲極電壓VD= 5 V時，試求其汲極電流ID為何？
(A) 0 mA
(B) 5 mA
(C) 7 mA
(D) 10
mA
[B]
31.
如右圖所示，某
RC
相移振盪器，為一理想運算放大器，若
R=
650
Ω
，
C= 0.01 μf，欲維持電路振盪，試求其電阻 Rf最小值約為何？
(A) 13
KΩ (B) 19 KΩ
(C) 25
KΩ (D) 41 KΩ
[D]
32.
關
於石英晶體及石英晶體振盪器之敘述，下列何者有誤？
(A)
石英晶體可設計為脈波振盪電路 (B)振盪器的輸出頻率穩定
(C)
石英晶體具有壓電效應特性
(D)
石英晶體厚度愈薄，振動頻率愈低
[D]
33.
二極體電晶體邏輯電路中
，其電晶體工作在哪幾區？
(A)
飽和區、工作區及截止區 (B)飽和區及工作區
(C)
工作區及截止區
(D)
飽和區及截止區
[B]
34.
橋式整流電路中，其輸出電壓平均值為
75 V
，若負載為純電阻，試求每個二極體之逆向峰值
電壓(PIV)約為何？
(A) 236 V
(B) 118 V
(C) 78 V
(D) 59 V
[C]
35.
如右圖所示電路
，若
V
Z
= 5 V
，試求稽納二極體的消耗功率為何？
(A)
120
mW (B) 240 mW
(C) 375
mW (D) 480 mW
[A]
36.
關
於
555 IC
振盪電路，下列何者有誤？
(A)
無法改接成單穩態振盪器 (B)可當無穩態振盪器
(C)
內含兩個比較器
(D)
內含一個輸出緩衝器
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[D]
37.
下列何種摻雜的改變行為
，可增加
BJT
電晶體的電流增益
β
？
(A)
基極與射極摻雜濃度均降低 (B)基極摻雜濃度增加，射極摻雜濃度降低
(C)
基極與射極摻雜濃度均增加
(D)
基極摻雜濃度降低，射極摻雜濃度增加
[
D
]
38.
關於自由電子與價電子之敘述
，下列何者有誤？
(A)
自由電子的能階大於價電子的能階 (B)自由電子位於傳導帶
(C)
自由電子成為價電子會釋放能量
(D)
價電子位於原子核最內層之電子軌道
[A]
39.
平均值為
110 V
之正弦波、方波與三角波，在相同負載下，其產生之功率之大小次序，分別為何？
(A)
三角波>正弦波>方波 (B)正弦波>方波>三角波
(C)
方波
>
正弦波
>
三角波
(D)
三角波
>
方波
>
正弦波
[D]
40.
使用信號產生器產生某一正弦波電壓
，另使用三用電表的
ACV
檔測量時可得到
1 V
的電壓值
，
若改用示波器測量峰對峰值，試求其最接近下列何者電壓？
(A)
1
V
(B)
2
V
(C)
1.414
V
(D)
2.828
V
[
無
標
準
解
]
41.
有一簡單電路如右圖所示
，若輸入電壓
V
i為一正弦波
220sin120
π
t
，試求其
經流
RL之電流頻率為何？
(A) 60 Hz (B) 90 Hz
(C)
120
Hz
(D) 240 Hz
[
B
]
42.
有兩個特性完全相同的電晶體
，連接成如右圖之電路，該兩晶體的
特性如下
：VBE= 0.7 V，β= 200，VT= 25 mV，若逆向飽和電流不計
入
，試求其Q1電晶體的 IC1約為何？
(A)
0.25 mA (B) 0.5 mA
(C)
1 mA (D) 1.25 mA
[A]
43.
若半導體之本質載子濃度為
1.5×10
10
cm
-
3
，同時摻雜鎵原子
(
濃度為
1×10
15
cm
-
3
)
及砷原子
(
濃度
為
8×1015cm-3
)
，試求其半導體內電洞濃度約為何？
(A)
3×10
4
cm
-3
(B)
1×10
15
cm
-3
(C)
7×10
15
cm
-3
(D)
8
×10
15
cm
-3
[A]
44.
使用三用電表之電阻檔測量二極體時
，二極體順向電阻假設為
R
、逆向電阻假設為
R
，則下
列敘述何者正確
？
(A)
R
的值非常小，
R
的值非常大 (B)
R
的值非常大，
R
的值非常小
(C)
R
及
R
的值均非常小
(D)
R
及
R
的值均非常大
[
C
]
45.
如右圖所示
，
V
i
= 1.2 sin(
ω
t) V
，二極體切入電壓
V
i
= 0.6 V
，試問其
ω
t
在何
角度範圍內
，負載電阻
R
有電流通過？
(A) 0°~180°
(B) 30°~120° (C) 30°~150° (D) 45°~135°
[B]
46.
如
右圖所示電路為一理想
B
類推挽式放大器，
R
L
=
10
Ω
，試求其最大信號
輸出功率為
何？
(A)
16 W (B) 20 W
(C)
24 W (D) 32 W
[C]
47.
某
全波整流器，其濾波電容為
40 μ
F
，負載電流為
40 mA
，峰值濾波電壓為
100 V
，若電源頻率
為
60 Hz，試求其濾波器的直流電壓約為何？
(A)
50
V
(B)
75
V
(C)
9
6
V
(D)
100
V
[C]
48.
一直流電源無載時電壓為
30 V
，內阻為
2 Ω
，滿載電流為
2.5 A
，試求其電壓調整率為多少？
(A) 5 %
(B) 10
%
(C) 20
%
(D) 40 %
[B]
49.
下列電路，何者為運算放大器之主要輸入結構？
(A)
達靈頓電路
(B)
差動電路
(C)
光耦合電路
(D) RC
耦合電路
[
D
]
50.
如右圖所示，假設
4
K
1
=
K
2，臨界電壓
V
t1
= V
t2
= 2
V
，試求其
V
o值為何？
(A) 1 V (B) 2 V
(C) 4 V (D) 6 V