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電子學 第 1 頁，共 5 頁
台灣電力公司 109年度新進僱用人員甄試試題
科 目:專業科目 A（電子學）
考試時間:第2節，60 分鐘
注
意
事
項
1.本試題共 5頁(A3 紙1張、A4 紙1張)。
2.本科目禁止使用電子計算器。
3. 本試題為單選題共 50 題，每題 2分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本
試題或其他紙張作答者不予計分。
4. 請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於一
個選項者倒扣該題所配分數 3分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止，未作答者不給
分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當
處所索取。
[D]
1.
假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98，則β參數之變化為何？
(A)由49變化到88 (B)由49變化到99 (C)由88變化到49 (D)由99變化到49
[C]
2.
有關二極體的順向偏壓接法，下列何者正確？
(A) P端接電源的正極，N端接電源的正極 (B) P端接電源的負極，N端接電源的負極
(C) P端接電源的正極，N端接電源的負極 (D) P端接電源的負極，N端接電源的正極
[A]
3.
有關共基極(CB)放大器之敘述，下列何者正確？
(A)電流增益小於 1 (B)電壓增益小於 1 (C)高輸入電阻 (D)低輸出電阻
[D]
4.
小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路，其輸出的直流平均電壓VDC = 3.7 V，則其輸
入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為何？
(A) 4 V (B) 6 V (C) 8 V (D) 12 V
[B]
5.
某P通道增強型MOSFET，導電參數K = 0.5 mA/V2，臨界電壓VT = -2 V，試求VGS = -5 V時，
ID值為何？
(A) 6 mA (B) 4.5 mA (C) 2 mA (D) 0.5 mA
[D]
6.
如右圖所示，若V𝒊 = 10 sin(𝜔𝑡) V，二極體為理想狀態，試
求流過負載的峰值電流為何？
(A) 0.1 mA
(B) 0.4 mA
(C) 2 mA
(D) 5 mA
[B]
7.
如右圖所示，試求集極電流的飽和值為何？
(A) 2.96 mA
(B) 3.96 mA
(C) 4.96 mA
(D) 5.96 mA
[A]
8.
有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？
(A)方波通過積分器後之輸出波形為三角波 (B)三角波通過積分器後之輸出波形為方波
(C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波 (D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波
【請翻頁繼續作答】
5V
R=1kΩ
Vi
510kΩ
20V
4kΩ
1kΩ
β=100
IC
電子學 第 2 頁，共 5 頁
[C]
9.
有關JFET特性之敘述，下列何者有誤？
(A) VGS = 0 時，ID = IDSS (B) N通道的夾止(pinch-off)電壓VP是負值
(C)在歐姆區操作時，|𝑉𝐷𝑆|>|𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃| (D)閘極電流趨近於零
[A]
10.
有關逆向偏壓接面電容之敘述，下列何者正確？
(A)隨逆向偏壓降低而增加 (B)隨逆向偏壓升高而增加
(C)由逆向飽和電流決定 (D)隨順向偏壓降低而增加
[D]
11.
某電晶體電路測得電流增益為200，集極電流為10 mA，試求射極電流為何？
(A) 9.9 mA (B) 9.95 mA (C) 10 mA (D) 10.05 mA
[B]
12.
有關石英晶體之敘述，下列何者有誤？
(A)晶體的品質因數Q值非常高 (B)溫度升高時晶體穩定性變差
(C)晶體產生的共振頻率非常準確 (D)晶體對時間具有非常高的穩定性
[B]
13.
若要將小信號電壓及電流都放大，可採用下列何種放大電路？
(A)雙極性接面電晶體的共集極放大電路 (B)雙極性接面電晶體的共射極放大電路
(C)場效電晶體的共閘極放大電路 (D)場效電晶體的共汲極放大電路
[B]
14.
已知一放大電路電壓增益Av為10，電流增益Ai為10，則其功率增益AP為多少分貝(dB)？
(A) 10 (B) 20 (C) 30 (D) 1000
[C]
15.
某NPN電晶體的β= 100，集極電流為0.8 A，基極電流為12 mA，則電晶體處於何種區域模式？
(A)主動模式 (B)截止模式 (C)飽和模式 (D)反相主動模式
[D]
16.
二極體接逆向偏壓時，其逆向飽和電流Is之敘述，下列何者正確？
(A)與逆向偏壓成反比 (B)與逆向偏壓成正比 (C)與溫度成反比 (D)與溫度成正比
[A]
17.
如右圖所示，該反相放大器之電壓增益Vo/Vi為多少分貝(dB)？
(A) + 20
(B) + 10
(C) - 10
(D) - 20
[D]
18.
如右圖所示，若 𝑉𝐺𝑆 = - 2.5 V，RS = 2.5 kΩ，則 𝑉𝐷𝑆為何？
(A) 8.5 V
(B) 9.5 V
(C) 10.5 V
(D) 11.5 V
[D]
19.
有關 R-C 濾波器之敘述，下列何者有誤？
(A)對同一負載而言，R 值越大，其輸出端漣波越小
(B)電容量越大，輸出漣波越小
(C)使用全波整流時，R-C濾波器之濾波效果較使用半波整流時為佳
(D)對同一 R-C 濾波器而言，負載電流越大，輸出電壓越大
[A]
20.
類比開關的功能是控制類比信號通過或不通過。下列何種半導體元件不適合作為類比開關使
用？
(A)二極體 (B) N 通道金氧半場效電晶體
(C) P 通道金氧半場效電晶體 (D)互補型金氧半場效電晶體
2kΩ
Vi
1kΩ
20kΩ
Vo
OPA
RD
1MΩ
G
20V
6kΩ
Rs=2.5kΩ
S
D
電子學 第 3 頁，共 5 頁
[B]
21.
下列何種雙極性接面電晶體電路組態，適合於高頻放大器應用？
(A)共集極電路 (B)共基極電路
(C)共射極電路 (D)具共射極電阻之共射極電路
[D]
22.
針對大電流負荷之濾波應採用何種濾波器較佳？
(A)電阻輸入濾波器 (B)電阻電容濾波器 (C)電容輸入濾波器 (D)電感濾波器
[C]
23.
產生擴散電流之原因為何？
(A)半導體內出現溫差 (B)半導體內出現外加電壓
(C)半導體內載子濃度不同 (D)半導體內載子濃度相同
[B]
24.
如右圖所示，該濾波器為何種形態？
(A)高通
(B)低通
(C)帶通
(D)帶拒
[B]
25.
如右圖所示，該二極體為理想的二極體，則
電路輸出電壓 Vo為何？
(A) 2 V
(B) 5 V
(C) 8 V
(D) 10 V
[C]
26.
變容二極體(varactor)常作為電容使用，係應用下列何者改變其電容量？
(A)頻率 (B)溫度 (C)電壓 (D)電流
[C]
27.
稽納二極體 (Zener Diode) 利用逆壓崩潰區電
壓幾乎固定的性質，來達到穩壓效果，如右
圖所示，該稽納二極體之崩潰電壓Vz= 8 V，
當Vi = 10 V時，Vo為何？
(A) 10 V
(B) 8 V
(C) 6 V
(D) 4 V
[D]
28.
有關n型半導體材料之敘述，下列何者正確？
(A)內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions)
(B)內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions)
(C)內部大部分是帶正電荷可以游動的載子(carriers)
(D)內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers)
[A]
29.
一個P型半導體帶有的靜電荷為何？
(A)電中性 (B)正電荷 (C)負電荷 (D)視加入之雜質種類而定
[D]
30.
某串級放大器輸入電壓為0.01 sin(t) V ，第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB
、5dB，則第三級輸出電壓有效值為何？
(A) 7.07 V (B) 1.414 V (C) 1 V (D) 0.707 V
[B]
31.
關於雙極性接面電晶體(BJT)射極基極介面為逆向偏壓，集極基極介面為逆向偏壓時，請問
BJT處於何種區域模式？
(A)主動模式 (B)截止模式 (C)飽和模式 (D)反相主動模式
R
CVo
Vi
L
2V
D1
10V
8V
D2Vo
1kΩ
1kΩ
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ViVz =8V
2kΩ
Vo
3kΩ
電子學 第 4 頁，共 5 頁
[A]
32.
BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響，導致Ic值在順向作用區(forward active
region)時，會隨著VCE值增加而產生何種變化？
(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)不一定
[B]
33.
NMOS較PMOS之應用更為廣泛，其原因為何？
(A) NMOS製程較為簡單 (B)電子比電洞具有較大的移動率
(C)電子比電洞具有較小的移動率 (D)電子比電洞具有較大的擴散常數
[D]
34.
一周期性脈波訊號其正峰值為+10 V，負峰值為-2 V。若此信號的平均值為+2.8 V，則工作週
期(duty cycle)為何？
(A) 80 % (B) 70 % (C) 50 % (D) 40 %
[C]
35.
兩個二極體 p 極相連是否可以作為BJT放大器使用？
(A)是，可正常作為放大器使用
(B)否，須改為 n 極相連
(C)否，因基極寬度過大，載子容易復合，集極電流無法受控
(D)否，因基極寬度過大，載子不易復合，集極電流無法受控
[B]
36.
增強型NMOS的VDS = 4 V，元件參數Kn= 0.5 mA/V2，臨限電壓Vt = 2 V，ID = 2 mA，若忽略
通道長度調變效應，VGS值為何？
(A) -2 V (B) 4 V (C) 4.5 V (D) 5 V
[C]
37.
一功率放大器之直流輸入功率為100 W，交流輸出功率為86 W，其類型為何？
(A) A類 (B) B類 (C) C類 (D) AB類
[無
標
準
解]
38.
如右圖所示電路，其中VZ=6 V(忽略稽納二極
體電阻)，且15 mA ≤ Iz ≤ 90 mA時，稽納二極
體(Zener Diode)才有穩壓作用，在下列Rs電阻
的範圍，何者可使稽納二極體產生穩壓作用？
(A) 60 Ω ≤ Rs ≤ 120 Ω
(B) 60 Ω ≤ Rs ≤ 150 Ω
(C) 50 Ω ≤ Rs ≤ 120 Ω
(D) 50 Ω ≤ Rs ≤ 150 Ω
[B]
39.
相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？
(A)增益變大，頻寬變寬 (B)增益變大，頻寬變窄
(C)增益變小，頻寬變寬 (D)增益變小，頻寬變窄
[D]
40.
在絕對零度 (0°K ) 時，於本質半導體之兩端加一電壓，若本質半導體並未發生崩潰，則在本
質半導體內狀態為何？
(A)有電子流，沒有電洞流 (B)有電子流也有電洞流
(C)沒有電子流，有電洞流 (D)沒有電子流也沒有電洞流
[A]
41.
某矽二極體之PN接面於25 °C時，其逆向飽和電流為5 nA，當此PN接面溫度上升至65 °C時，
其逆向飽和電流為何？
(A) 80 nA (B) 40 nA (C) 20 nA (D) 10 nA
[D]
42.
NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125 %在基極與電洞結合，其餘 99.875 %
被集極收集，則此電晶體之β值為何？
(A) 199 (B) 299 (C) 399 (D) 799
15V Vz100kΩ
Rs
RL
IZ
【請另頁繼續作答】
電子學 第 5 頁，共 5 頁
[B]
43.
如右圖所示，假設兩顆理想二極體具有完全一樣之特性，且並未發生
崩潰，請問何者所跨的壓降較大？
(A) D1
(B) D2
(C)一樣
(D)無法確定
[C]
44.
假設V(t) =V sin(𝜔𝑡)的均方根值為v1，當V(t)通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方
根值為v2，則v1/ v2為何？
(A) 0.5 (B) 0.707 (C) 1 (D) 2
[D]
45.
下列何者是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？
(A)輸入阻抗低 (B)輸出阻抗高 (C)電流增益低 (D)電壓增益略小於1
[B]
46.
電壓V = 80√2 sin(214 𝑡 + 30°) V，當 t = 0秒時瞬間電壓為何？
(A) 25√2 V (B) 40√2 V (C) 50√2 V (D) 40 V
[A]
47.
有關電子伏特(eV)之描述，下列何者正確？
(A)能量單位 (B)電流單位 (C)電阻單位 (D)電壓單位
[A]
48.
如下【圖1】、【圖2】所示，小清、小州想利用方波作為輸入訊號並輸出三角波，試問其正
確電路名稱，並計算該三角波在 0 至 1
4 週期前之斜率為何？
(A)積分器、−5
𝑅𝐶 (B)積分器、 5
𝑅𝐶 (C)微分器、−5
𝑅𝐶 (D)微分器、 5
𝑅𝐶
【圖1】
【圖2】
[C]
49.
有關理想放大器之描述，下列何者有誤？
(A)開路電壓增益趨近無窮大 (B)輸入阻抗趨近無窮大
(C)輸出阻抗趨近無窮大 (D)頻帶寬度趨近無窮大
[B]
50.
若一電源頻率為60 Hz，經半波整流後，輸出電壓之漣波頻率為何？
(A) 120 Hz (B) 60 Hz (C) 30 Hz (D) 50 Hz
輸入電源
時間
+5V
－5V
10 volt
D1D2
Vo
ViR
C