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110年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
電力工程
、
電子工程
、
電信工程
科 目
：
電子學
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
37660
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37860
頁次：
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－
1
一、下圖電路 VDD =VSS = 5 V，ID2= 1 mA，電晶體M1與M2具有相同的長度
（L），但其寬度比 W2/W1=5，電晶體參數：kn’(W/L)1=1mA/V2，Vt=0.8V。
求算 R值。（10 分）
當M2操作於飽和區時，求算 vD2最小電壓。（10 分）
M1M2
R
VDD
-
VSS
ID2
vD2
二、下圖電路 R1= 0.5 k，R2= 0.5 k，RL= 1 k。
假 設 運 算 放 大 器 為 理 想 ， 二 極 體 D1的 電 壓 電 流 關 係 式 為
/
1
T
v V
s
i I e
，VT= 25.3 mV，且當 1 mA 流過 D1的跨壓為 0.8 V。當
vI= 2 V，求算 vA。（10 分）
假設運算放大器增益為 50，二極體跨壓為固定的 0.8 V，當 vI= 3 V，
求算 vO。（10 分）
vIvA
R1
R2
RL
vO
D1
代號：
37660
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37860
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3
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2
三、下圖電路Rsig =125k，RG1=250k，RG2 =250k，RD=4k，RS=2k，
RL= 4 k，VDD = 5 V，電晶體參數：Vt= 1 V，VA= 50 V。
當電晶體 ID= 0.5 mA 及VOV（overdrive voltage）= 0.5 V，求算增益
Gv=vO/vsig（僅直流分析時可忽略通道調變效應）。（8分）
假設 vsig 為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算 vsig 可允許的最大峰
值與相對應的 vD。（12 分）
vo
vsig
Rsig CC1
RG1
RG2
RD
CC2
CSRL
RS
VDD
M1
vD
四、下圖電路 RS= 10 k，R1= 1 k，R2= 1 M，RL= 2 k，運算放大器參
數：開路增益 Av=1000，輸入差動阻抗 Rid =100k，輸出阻抗 Ro=1 k。
求算閉迴路增益 Vo/Vi。（10 分）
求算 Rin。（10 分）
Vi
R1
R2
RL
Vo
RS
Rin
代號：
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37860
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3
五、CMOS 邏輯包含上拉網路（pull-up network）與下拉網路（pull-down
network），試畫出 CMOS 邏輯
Y D A B C
之電路。（10 分）
下圖為一反相器電路的標準元件，若要求第小題 CMOS 邏輯需與此
標準反相器有相似的傳遞時間，請標示第小題 CMOS 邏輯電路中每
顆電晶體的寬長比（W/L）。（10 分）
In OUT
3 μ
m
1 μ
m
W
L
1 μ
m
1 μ
m
W
L