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112年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
電力工程
、
電子工程
、
電信工程
科 目
：
電子學
考試時間
：
2
小
時
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
37360
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37560
頁次：
3
－
1
一、對於增強型（Enhancement Mode）P-channel MOSFET電晶體。（每小題10
分，共20分）
試說明閘源極電壓（Gate-source Voltage）和汲源極電壓（Drain-source
Voltage）與汲極電流（Drain Current）的關係。
繪製閘源極電壓和汲源極電壓與汲極電流關係的電流—電壓圖（i-v
curve）。
二、如圖一為了將原本數位信號之0V關閉與10V導通之閘極驅動信號輸入至
一轉換電路，該轉換電路會將0V關閉信號轉變成-5V且將10V導通信號轉
變成5V，該轉換電路只包含一個導通電壓為0.5V二極體、一個電容與無線
阻之連接線。（每小題10分，共20分）
於轉換電路中再增加一齊納二極體（Zener diode）下，設計該電路。
該電容與輸入電壓初始電壓皆為0V，繪製並標示輸出電壓、輸入電壓
與電容電壓的時間關係。
圖一
代號：
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頁次：
3
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2
三、如圖二之一個將輸入為vin(t)，且在正負電壓之間變化的交流電壓輸入信號
轉換成一個正電壓輸出，其中操作放大器（OPAmp）為理想操作放大器。
（每小題10分，共20分）
推導該電路之 ( ) 4 ( ) ( )
o in
v s K G s v s 中轉移函數 ( )G s 與K增益。
若電阻R=100 kΩ，計算電容C之值，使濾波頻寬為100 Hz。
圖二
四、如圖三所示的npn雙極性電晶體（BJT）共集極電路（Common Collector
circuit）， (exp( / ) 1)
c s BE T
i I v V 且β = 110，其中 1
s
I pA，T
V即熱電壓為
26 mV，試求準確至小數點第三位之 BE
v值。（20分）
圖三
代號：
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3
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3
五、如圖四所示一電路由三個半橋組成，每個半橋由高壓側之PMOS其
2
Tp
V V與低壓側之NMOS其2
Tn
V V組成，忽略各MOSFET的寄生電
容，三個輸入 1
v、2
v、3
v個別具有0V、1.65V、3.3V三種離散（discrete）
狀態。（每小題10分，共20分）
o
v的電壓共有幾種，各是幾伏特。
說明如何控制三個輸入使 o
v產生近似弦波的階梯輸出。
圖四