109年 高普考 高考三級 電信工程 電子學 試卷

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109年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
:
電力工程
、
電子工程
、
電信工程
科 目
:
電子學
考試時間
:
2
小時
座號
:
※注意:可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外,應使用本國文字作答。
代號:
38160
38260
38360
頁次:
-
一、下圖為一串級放大器之等效模型。試求串級放大器之:
輸入阻抗(Ri)(5分)
輸出阻抗(Ro)(5分)
電壓增益
o
s
v
v
(10分)(需標註正負號,全對計分。)
vsvo
ii10ii
990Ω
10Ω 10kΩ vi0.01vi10kΩ
1kΩ
9kΩ
RiRo
二、下圖為一串級放大器,
i
v
與
i
v
為差動信號,若所有電晶體皆操作在飽和
區,且電晶體之寬長比
1 2
W W
L L
,
3 4
W W
L L
,
5 6
W W
L L
,
7 8
W W
L L
。電晶體之轉導值gm1=gm2=gm3=gm4=gm7=gm8=
10 mA/V,gm5=gm6= 1mA/V,輸出阻抗(ro)為10 kΩ,C=10pF。試求:
(每小題10分,共20分)
o o
i i
v v
v v
之低頻增益。(需標註正負號,全對計分。)
o o
i i
v v
v v
之主極點頻率(Dominant pole frequency)。
vi+ vi- vi+ vi-
vo- vo+
I1
M1M2
M3M4M7M8
M5M6
C
I2
VDD VDD
代號:
38160
38260
38360
頁次:
-
三、下圖電路中若電晶體M1-M4皆操作於飽和區,且電晶體之轉導值(gm)皆
為10mA/V,電晶體之輸出阻抗(ro)皆為10 kΩ,若R = 100 kΩ,C=10pF。
試求:(每小題10分,共20分)
o
i
v
v
之直流小信號增益。(需標註正負號,全對計分。)
o
i
v
v
之3 dB頻率(ωH)。
vivo
VDD
M1
M2
C
M3
M4
R
四、下圖為一振盪器。若V1=4V,V2=1V,vo的初始值為3V,Q的初始值為邏輯
0。若I1= 1 mA,I2= 4 mA,C = 10 pF,求Q在穩態時之輸出:
(每小題10分,共20分)
頻率。
責任週期(Duty cycle)。
vOV1
V2
Q
Q
R
S
I1
I2
M1
M2
M3
M4
VDD
C
代號:
38160
38260
38360
頁次:
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五、分析下圖之整流器電路(Rectifier)。若二極體D1-D4之導通電壓皆為1 V,
輸入信號為
= 4sin( )
i
v t
(Volt),R = 1 kΩ。試求:(每小題10分,共20分)
VO之峰值(Peak value)。
電阻R之平均功耗。
1:2
R
D1 D2
D3 D4
VO
vi
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