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年公務人員特種考試外交領事人員外交行政人員考試、
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年
公務人員特種考試國際經濟商務人員考試、
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年公務人員特種考
試法務部調查局調查人員考試、
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年公務人員特種考試國家安全
局國家安全情報人員考試、
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年公務人員特種考試民航人員考
試、
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年公務人員特種考試經濟部專利商標審查人員考試試題
代號：
考 試 別： 專利商標審查人員
等 別： 三等考試
類 科 組： 電子工程
科 目： 半導體製程
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
全一頁
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一、
請說明矽基板（Wafer）之製作流程中，從晶棒（Ingot）到拋光矽基板（Polished
Silicon Wafer）之製造程序（Manufacturing Process）。（10 分）
請說明矽基板（Wafer）應用上分那幾類。（10 分）
二、在積體電路後段製程（Backend Process）中：
請說明使用TEOS（Tetraethoxysilane, Si(OC2H5)4）來製作金屬層間氧化絕緣層
SiO2（Inter-Layer Dielectric, ILD），有何優缺點？（10 分）
請說明使用鋁（Al）或鎢（W）金屬來填 Via hole 或Contact hole 之方法優缺點。
（10 分）
三、矽（Si）基板表面上有 2μm的二氧化矽（SiO2）要被蝕刻，二氧化矽的蝕刻速率是
0.8μm/min，二氧化矽對矽的蝕刻選擇比（Selectivity）為 25 比1，如果三分鐘後停
止蝕刻，試問會有多少下層的矽被蝕刻掉？（20 分）
四、
請說明電漿蝕刻（Plasma Etching）技術之問題點（Problem Issues）。（10 分）
請說明 III-V 化合物半導體活性離子蝕刻（Reactive Ion Etching）結果跟那些製程
參數有關。（10 分）
五、
金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，如 25 奈米以下，為何其中之
氧化物要使用高介電常數材料（High Dielectric Constant, High-k）？有什麼好處？
如何選擇高介電常數材料？（12 分）
金氧半場效電晶體（MOSFET），當元件越做越小，在後段製程，為何要使用低
介電常數材料（Low Dielectric Constant, Low-k）？有什麼好處？那一種材料介電
常數最小？（8分）