加載中. ..
PDF
102年公務人員特種考試外交領事人員及外交行政人員
考試、102年公務人員特種考試法務部調查局調查人員
考試、102年公務人員特種考試國家安全局國家安全情
報人員考試、102年公務人員特種考試民航人員考試、
102年公務人員特種考試經濟部專利商標審查人員考試試題
代號：70130
考 試 別： 專利商標審查人員
等 別： 三等考試
類 科 組： 電子工程
科 目： 半導體製程
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
全一頁
一、
在先進半導體製程的發展過程中，把銅連線製程應用到超大型積體電路（VLSI）
製程裡，主要突破的困難點有那些？（9分）
是那些技術的改進促成銅連線製程
應用到積體電路製程裡？（6分）
銅連線製程中常用之阻障層（barrier layer）材料
有那些？（5分）
二、
對於 PECVD 製程中，使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。
為什麼 ILD（Inter-layer Dielectric）TEOS 製程溫度在 400℃左右或更高的溫度下操
作？（5分）
在高密度電漿 CVD（HDP CVD）氧化物製程中，為什麼用矽烷而
不用 TEOS 作為矽來源氣體？（5分）
對於 PECVD 製程中，以矽烷作為沉積氧
化矽之氣體源，當增加矽烷流量時，氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少？原因為
何？但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源，為什麼當 TEOS 流量增加時，折射
率幾乎沒有變化？（10 分）
三、
電漿蝕刻製程中常使用那兩種惰性氣體？其作用分別是如何，請說明。（5分）
對於一矽晶片，於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm
的多晶矽，而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 1.5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖
案化蝕刻以暴露出下方之二氧化矽，但使用之機台的蝕刻速率為 500 nm/min 且蝕
刻速率的非均勻性為 5%。如果只允許損失之二氧化矽層厚度為 0.5 nm，請問蝕
刻製程中，多晶矽對二氧化矽的蝕刻選擇比值最小是多少？（15 分）
四、
對波長為 193 nm 的準分子雷射光學系統而言，若其具有數值孔徑 NA=0.65，製
程相依因子 k1=0.6 及k2=0.5，以此光學系統作為曝光機台的理論解析度及聚焦深
度各為多少值？（10 分）
若雷射光源不變，則在此一曝光機台上可以藉由修正那
些參數或採用那些技術來改善解析度？（10 分）
五、
就原子或分子有序排列的程度（亦即有序排列範圍的大小）區分，固態半導體材
料可區分為那三種晶體型式？（5分）
為何在沉積多晶矽薄膜時，所使用之氣體
源多為矽甲烷而非矽氯化物？（5分）
以矽半導體為例，前述三種晶體型式的材
料應個別位於一個基本的 N-MOSFET 元件中的那些位置？請繪示 N-MOSFET 結構
示意圖說明。（10 分）