101年 專利商標審查人員 三等 電子工程 電子學 試卷

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101
年公務人員特種考試外交領事人員外交行政人員考試、
101
公務人員特種考試國際經濟商務人員考試、
101
年公務人員特種考
試法務部調查局調查人員考試、
101
年公務人員特種考試國家安全
局國家安全情報人員考試、
101
年公務人員特種考試民航人員考
試、
101
年公務人員特種考試經濟部專利商標審查人員考試試題
代號80380
考 試 別: 專利商標審查人員
別: 三等考試
類 科 組: 電子工程
目: 電子學
考試時間: 2小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
(請接背面)
全一張
正面
如圖為一共射(CE)放大器,電晶體之β = 100,爾利電壓(Early voltageVA = 100 V
VCC = VEE = 10 VRB = 100 kRBC = 6 kRsig = 5 kRL = 5 kI = 1.01 mA
取熱電壓VT = 25 mV
試加以直流分析,取VBE(on) = 0.7 V,求IEIBIBCVBBVEVC之值。(6分)
試求小訊號參數gmrπrero之值。(8分)
列出電壓增益Av vo/viGv vo/vsig的表示式。(6分)
V
CC
R
C
C
C2
B
vc
L
vo
C
C1
vi
vsig
如圖為一共源(Common source)放大器,該NMOS電晶體之臨限電壓(Threshold
voltageVt = 1 Vgm = 1 mA/V,不計輸出電阻,即r
o
I = 1 mAVDD = 15 V
Rsig = 100 kRG = 1 MRD = 10 kRL = 10 k
求源極電壓VS的直流值。(4分)
求電壓增益Av vo/viGv vo/vsig的值(視各C為短路)。(6分)
RD值可調變,求可使電晶體維持操作於飽和區的RD最大值。(5分)
CS至少應多大,使此放大器之低-3 dB頻率ωL = 100 rad/sec(不計CC1CC2之效
應)。(5分)
R
R
sig
R
C
E
I
V
EE
()
()
()
V
SS
V
DD
R
L
vo
C
C2
R
D
vd
C
C1
R
sig
vsig
vi
V
S
R
G
C
S
I
101
年公務人員特種考試外交領事人員外交行政人員考試、
101
公務人員特種考試國際經濟商務人員考試、
101
年公務人員特種考
試法務部調查局調查人員考試、
101
年公務人員特種考試國家安全
局國家安全情報人員考試、
101
年公務人員特種考試民航人員考
試、
101
年公務人員特種考試經濟部專利商標審查人員考試試題
代號80380
考 試 別: 專利商標審查人員
別: 三等考試
類 科 組: 電子工程
目: 電子學
全一張
背面
三、如圖電路,QnQp均為增強型MOS電晶體,其臨界電壓Vtn = |Vtp| = 1 V,其輸出電
ro均為。當工作於飽和區(Saturation Region)之汲極電流iDniDp分別為:
iDn = 0.5 × (VGS Vtn)2(mA):此VGSQnVGS
V
DD
V
G
v
i
v
o
Qp
iD
Qn
iDp = 0.5 × (VSG
|Vtp|)2(mA):此VSGQpVSG
VDD = 8 VVG = 3 V
vi之值,使QnQp均工作於飽和區,此時之iD =vo
=?(8分)
vi = 3 V時,求iD =?此時QnQp分別工作於何種
工作區?(6分)
vi = 6 V時,求iD =?此時QnQp分別工作於何種
工作區?(6分)
如圖的差動放大器電路,電晶體之β = 100,輸出電阻r
o
。取熱電壓VT =25 mV。求:
BB1B2
B看的輸入差動電阻(Input Differential
ResistanceRid之值。(6分)
整體差動電壓增益(Overall Differential Voltage Gain
vod/vsig之值。(8分)
R
C= 5 k
B
2
+15 V
vod
B
1Q1Q2
vid
R
id
R
sig/2 = 3 k
vsig/2
vsig/2
R
sig/2 = 3 k
R
E
=100
R
E
=100
R
C= 5 k
R
EE =100 k
I
=2mA
若兩集極電阻間有±1%的精確度誤差,則在最壞情況
下( 02.0=
Δ
C
C
R
R),其共模增益(Common-Mode
Gain|Acm|有多大?(6分)(為簡化計算,取
1α
~
EEEe RRr 2<<+
五、
如圖為一 CMOS 邏輯閘電路,試列出其輸出 Y的布
林函數式(以正邏輯表示)。(10 分)
VDD
CDA
B
A
Y
C
D
B
)( DECBAY ++= ,試繪其 CMOS 邏輯閘電路。
10 分)
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