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年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員、
國家安全局國家安全情報人員考試及110年特種考試
交通事業鐵路人員、退除役軍人轉任公務人員考試試題
考試別
：
鐵路人員考試
等 別
：
高員三級
考試
類科組別
：
電子工程
科 目
：
半導體工程
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
70440
頁次：
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一、請說明四點探針量測半導體特性之架構並說明為何做此安排。（10 分）
二、在化學氣相沉積（CVD）方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應
出其成長機制？請解釋此兩種之意義？又那一種為 CVD 成長較希望控
制之成長機制，為什麼？（15 分）
三、某一直接能隙（1.42 eV ）之化合物半導 體 平衡時之載子濃度
nn0=1016/cm3，照光時每 μsec 產生電子電洞對 1013/cm3，如果少數載
子生命週期是 2 nsec，請計算 quasi-Fermi level，並畫出照光前後能隙
Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為 ni= 2.25106/cm3。（25 分）
四、請畫出 pn 同質接面之發光二極體（LED）平衡時與順向偏壓之能帶圖
（10 分），請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。（10 分）
五、請畫出PMOS 場效電晶體結構，並說明如何將此場效電晶體開啟（turn on）
與關閉（turn off）。（15 分）
六、為什麼在矽局部氧化形成時，氧化薄膜會向矽基板內生長？請計算其比
例（以未成長時之表面當參考位置）。（15 分）