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102年公務人員特種考試警察人員考試、
102年公務人員特種考試一般警察人員考試及
102年特種考試交通事業鐵路人員考試試題 代號：70980
等 別： 高員三級鐵路人員考試
類 科： 電子工程
科 目： 半導體工程
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
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一、
請說明為何積體電路（Integrated circuits，簡稱 IC）工廠，在製作 IC 的過程需要
在清潔室（Clean room）的環境下操作？（10 分）
請說明隨著 IC 製程技術的進步，清潔室環境的品質需求有何改變？（10 分）
二、一般以雙極性接面電晶體（Bipolar junction transistor）技術製作之 IC，常包含一矽
磊晶製程以形成埋藏層（Buried layer），此製程可改善雙極性接面電晶體的工作特
性，請說明此製程及其如何改善雙極性接面電晶體的工作特性。（20 分）
三、有兩個 P-N 接面二極體，假設其接面雜質分佈皆為陡接面（Abrupt junction），因
此也假設其分級係數（Grading coefficient）m=1/2，其中 P型區之雜質濃度
NA=1×1016 cm-3，N型區之雜質濃度 ND=5×1015 cm-3，另外這兩個 P-N 接面二極體
接面之截面積分別為 0.1 mm2及0.2 mm2，將兩個二極體 P型端接 P型端，N型端
接N型端，形成並聯連接，並將並聯之二極體加一反向偏壓 3 V，在 T=300 °K下，
試求此並聯二極體之等效電容為多少法拉（Farad，簡稱為 F）？（20 分）
四、在 IC 奈米化過程中，有許多新的製程技術被引用，其中高介電係數（High K）材
料製程也是被引用技術之一，請詳細說明 High K 材料技術在 IC 奈米化過程可協助
解決甚麼困難？（20 分）
五、請說明矽材料於絕緣體上（Silicon on insulator，簡稱 SOI）之 IC 製作技術，同時說
明其對 IC 元件之效益。（20 分）