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106年公務人員特種考試警察人員、一般警察
人員考試及106年特種考試交通事業鐵路
人員、退除役軍人轉任公務人員考試試題 代號：70680 全一頁
考試別： 鐵路人員考試
等別： 高員三級考試
類科別： 電子工程
科目： 半導體工程
考試時間 ： 2 小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
一、假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G，在穩態下，求半導體電導（σ）
之改變量 Δσ。（20 分）
二、對一純矽塊樣本，由一邊摻雜施體（donor），其濃度分布為 ND = Noexp（-ax），ND >> ni，
在平衡狀態下，推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm-1，計算內建電場 E(x)。（ni為矽之本
質濃度）。（20 分）
三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體（p+-n-p bipolar transistor），畫出射極（emitter）、
基極（base）、汲極（collector）區之少數載子分布圖。（20 分）
四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生
之電容最大值與最小值之比值為 4與2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電
常數 εs為11.9εo，氧化層介電常數 εox 為3.9εo，真空之介電常數為 εo。（20 分）
五、作答並解釋：
熱氧化法生長二氧化矽膜，使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高？（4分）
使用乾氧化法生長二氧化矽膜，初期生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽
膜初期生長時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8分）
使用乾氧化法生長一定厚度二氧化矽膜後，生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧
化矽膜具一定厚度時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8分）