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年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員考試及
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年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
代號：70580
全一頁
考試別： 鐵路人員考試
等別： 高員三級考試
類科別： 電子工程
科目： 半導體工程
考試時間 ： 2 小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
（請接背面）
一、
請寫出下圖(a)立方晶系之 A、B、C Miller indices 方向。（6分）
請寫出下圖(b)立方晶系之 A、B、C Miller indices 平面。（6分）
用四個指標標示下圖(c)六方晶系之方向 C、D與平面。（12 分）
圖(a) 圖(b) 圖(c) c
A
z
B
A
C
1
C
B
y
1
y
=2 a
2
D
1
x
a
1
二、請畫出如何利用霍爾效應量測載子濃度之架構圖，並以 n型半導體為例說明如何量
測載子濃度。（10 分）
三、請畫出矽和砷化鎵之電子漂移(drift)速度與電場之關係圖，並說明其不同之處與原因。
（10 分）
四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction)，其 N
A
=2×10
19
cm
-3
，
N
D
=1×10
16
cm
-3
，請計算其二極體之內建電壓(V
bi
)，空乏區(W)，接面電容(在0V 時) 。
Note：矽本質濃度 9.65×10
9
cm
-3
，介電常數 11.7。（12 分）
五、以 n型通道元件為例，請畫出金氧半場效電晶體增強型模式結構與空乏型模式結構,
並分別解釋如何運作。（20 分）
六、請說明兩種在 n型基板上可製作得到 pn 二極體接面之方法，並比較其不同。（10 分）
七、在半導體製程中常須將元件製作在 SOI(Silicon on insulator)，請說明 SOI 如何製作而得。
（10 分）
八、請寫出發光二極體之理想 I-V 關係式?此理想關係式會受哪些影響與需進行何種修正？
（8分）