104年 公務人員升官等 簡任 電信工程 高等電子電路學研究(包括類比與數位) 試卷

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104年公務人員升官等考試、104年關務人員升官等考試
104
年交通事業公路、港務人員升資考試試題
代號: 全一張
(正面)
等級 簡任
類科(別) 電子工程、電信工程
科目 高等電子電路學研究(包括類比與數位)
考試時間: 2 小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
(請接背面)
16130
16230
一、電晶體電路如下圖,其中電晶體 Q1Q2性能相同,偏壓於主動區時|VBE| = 0.7 V
電流增益趨近無窮大β = 於飽和區時 VCE = 0.2 V。又 VCC = +5 VVEE = -5 V
R1 = 5 kΩR2 = 15 kΩR3 = R4 = R5 = 10 kΩ。試算標示的電壓 v1v2,與電流 i1
i220 分)
VEE
VCC
v1
v2
Q1
Q2
R1
R2
R3
R4
R5
i1i2
二、如(a)之放大器,電晶體 M1,2 參數gm = 1 mA/V λ = 0VDD = 5 V,電
ISS = 1 mA,並聯之電阻 RSS = 1 kΩ,具有不對稱的負載電阻,RD1 = 10.1 kΩ
RD2 = 9.9 kΩ(每小題 10 分,共 30 分)
試算此電路之輸入直流位移電壓(dc offset voltage
試算此電路之共模抑制比率(common-mode rejection ratio
將此單級放大器串接如圖(b)輸入小訊號 11 mV 在正端9 mV 在負端試算輸出
v1v2電壓分別為多少?
v
in
+v
in
-
v
out
+v
out
-
R
D1
R
D2
I
SS
M
1
M
2
V
DD
R
SS
+
-
-
+
11 mV v
1
v
2
9 mV
(a) (b)
R3R1R4
R5
R2
VC
C
V
E
E
Q2
Q1
i1i2
v1
v2
V
D
D
RSS
I
SS
R
D
1R
D
2
M
1
M
2
vou
t
vou
t
- +
vin vin
+ -
v1
v2
11 mV
9 mV
104年公務人員升官等考試、104年關務人員升官等考試
104
年交通事業公路、港務人員升資考試試題
代號: 全一張
(背面)
等級 簡任
類科(別) 電子工程、電信工程
科目 高等電子電路學研究(包括類比與數位)
16130
16230
三、下圖電路可以做為數位電路之正反器使用,當 vin < vIL 時,輸出邏輯 1,當 vin > vIH
則輸出邏輯 0。電晶體參數: 2
450 V
A
L
W
Ck oxnn
μ
μ
=
=,截止電壓 VTH = 1 V,及
λ = 0。電路之 VDD = 5 VRD = 5 kΩ(每小題 10 分,共 30 分)
試算此電路輸出邏輯 1之最高輸出電壓 vOH 與邏輯 0之最低輸出電壓 vOL
輸入之截止電壓 vIL vIH,通常定義為電壓轉換曲線上斜率等於-1之兩個輸入電
壓,意即 1=
I
O
dv
dv 之處。試算此電路之截止電壓 vIL vIH
當此電路輸入訊號為邏輯 0(電壓 0 V)與 1(電壓 VDD)變化之週期方波,所消
耗之平均功率為多少?
V
DD
R
D
v
in
v
out
四、試建立用 NAND 邏輯閘設計的 CMOS SR 正反器(flip-flop,列出其真值表、邏輯
電路與 CMOS 電路。20 分)
V
D
D
R
D
vout
vin
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