104年 公務人員升官等 簡任 電子工程 積體電路技術研究 試卷

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104年公務人員升官等考試、104年關務人員升官等考試
104
年交通事業公路、港務人員升資考試試題
代號:16140 全一頁
等級 簡任
類科(別) 電子工程
科目 積體電路技術研究
考試時間: 2 小時
※注意:
禁止使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
一、現今半導體主流技術互補金氧半 CMOS 有何優缺點?(20 分)
二、
何謂 FinFET?(6分)
做在 Bulk wafer SOI wafer 上的 FinFET 有何區別?各有何優缺點?(8分)
FinFET 對當今半導體技術有何重要性?(6分)
現今半導體技術為何需要金屬閘極High-k 閘極氧化層和應力技術?請分別詳述
之。20 分)
四、現今半導體電路和系統,如何達成節能省碳和 Low Power-High Speed?(20 分)
五、一般太陽能電池主要有 PN PIN 架構:
PN PIN 型太陽能電池,各如何操作和供電?(7分)
那些因素會影響上述太陽能電池之轉換效率,請詳述之。7分)
如何改進 PN PIN 行太陽能電池之短路電流密度 Jsc 和開路電壓 Voc請分述之。
6分)
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