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103年公務人員高等考試一級暨二級考試試題
代號：22650
等 別： 高考二級
類 科： 電子工程
科 目： 積體電路技術
考試時間： 2小時 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
全一張
（
正面
）
一、設一鋁銅矽（Al-Cu-Si）合金膜的電阻率（resistivity）為 3.2 μohm-cm，試問：
（每小題 5分，共 20 分）
此合金膜為 1 μm 厚時，其片電阻（sheet resistance）為何？
將此合金膜製成一 500 μm長，10 μm寬的線時，其電阻（resistance）為何？
若將所示之合金膜製成兩條平行線，並間隔以 1 μm寬的 SiO2（SiO2的相對介
電係數(relative permittivity)為3.9，真空中介電常數為 8.854 × 10-14 F/cm），則其
對應之電容值（capacitance）為何？
上述 500 μm長之合金線對應之 RC 時間常數（RC time constant）為何？
二、在製作 Al-2％Cu 的薄膜時，應以使用 sputtering 技術或 evaporation 技術為佳？說
明你的理由。
試說明何謂「離子通道效應」（ion channeling effect）及其如何影響接面深度
（junction depth）的製作？
試說明在投影式的光學蝕刻術（projection optical lithography）中，為何最小鑑別
度（minimum resolution）和焦距深度（depth of focus）這兩個需求無法藉由使用
較短波長的光子而同時得到最佳化？
試說明濕式蝕刻（wet-etch）與乾式蝕刻（dry-etch）之優缺點各為何？
（每小題 5分，共 20 分）
三、在離子佈植製程中，若以 1000 keV 的能量，將 1015/cm2的硼劑量（boron dose）植
入一 n型Si 中（設 Si 之摻雜濃度為 1015/cm3），又植入之硼離子的濃度分佈如圖
一所示，試問：（每小題 10 分，共 20 分）
請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何？並說明各符號的意
義（列式即可，不用推導）。
設入射硼離子的平均投影範圍（projected range，Rp）為 1.756 μm，而投射游走
（projected straggle，ΔRp）為 0.1364 μm，試計算圖一中接面深度（junction depth）
xj1 與xj2 各為何？
圖一
C(x)
X=0 xj1 xj2
1015/cm3
x
103年公務人員高等考試一級暨二級考試試題
代號：22650
等 別： 高考二級
類 科： 電子工程
科 目： 積體電路技術
全一張
（
背面
）
四、在一氧化製程中，已知當氧化層厚度為 0.5 μm時，氧化速率（oxidation rate，
dxox/dt）為每小時 0.24 μm， 但當氧化層厚度達到 1 μm時，氧化速率卻變成每小時
0.133 μm，試利用 Grove 模型（Grove model）
xox
2 + A xox = B（t + τ）
（每小題 10 分，共 20 分）
計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A（linear oxidation constant）和拋物線氧化常
數B（parabolic oxidation constant）各為何？並列出其單位。
依據之結果試說明氧化過程的機制為何？
五、設實驗室中僅有下列製程設備：
Mask aligner（光罩機）
Spinning, baking, and development setups for photoresist and spin-on glass（光阻顯影設備）
Wet chemical bench for cleaning and wet etching（濕式蝕刻設備）
Oxidation furnace（氧化爐）
Annealing furnace（熱處理爐）
Al evaporator（鋁蒸著機）
現擬利用上述設備製造圖二所示之 DRAM 結構，該結構為一簡單的鋁閘之 n通道
MOSFET（Al-gate n-channel MOSFET）聯接著一個電容器。（每小題 10 分，共 20 分）
試繪出此 DRAM 結構的剖面圖（cross-sectional view）。
欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩（mask）？請按製程流程（process
sequence），寫下光罩層的名稱與其目的。
圖二
p-type Si
Gate oxide
Field Oxide
Al Gate
Al electrode for capacitor
n＋n＋
Al