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105年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 代號：22660 全一頁
等 別：高考二級
類 科：電子工程
科 目：電子元件
考試時間 ：2小時 座號：
※注意：
禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
請以黑色鋼筆或原子筆在申論試卷上作答。
（請接背面）
一、霍爾量測（Hall measurement）是一種常用於決定半導體中載子（carrier）的種類與濃
度的方法，請畫圖說明霍爾量測的原理，並說明霍爾量測如何決定半導體中載子的
種類與濃度。（20 分）
二、
物理氣相沉積（physical vapor deposition; PVD）與化學氣相沉積（chemical vapor
deposition; CVD）均是在半導體製程中常用於薄膜沉積的方法，就一般而言，請說
明這兩種沉積方法的不同，並指出其各有何優點。（10 分）
在積體電路製程中，請說明什麼是擴散阻障層（diffusion barrier），並舉例說明有
那些材料可作為擴散阻障層。（10 分）
三、
請畫出 npn 雙極性接面型電晶體（bipolar junction transistor; BJT）操作在順向動作
區（forward active region）時之能帶圖（energy band diagram）。（10 分）
請畫出此電晶體在此操作區之少數載子分布圖。（10 分）
四、
請說明何謂閘流體（Thyistor）？並請畫出其基本結構。（10 分）
請畫出一個典型的閘流體的電流-電壓（I-V）特性曲線圖，並說明此閘流體的操
作原理。（10 分）
五、
若是在 p型基板上製作一個金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor）
元件，請畫出此基板金氧半電容之高頻 MOS 電容-電壓曲線，並對此曲線的每一
部分進行說明。（10 分）
如果上述電容-電壓曲線是使用較低的頻率去進行量測，則所獲致之電容-電壓曲線
會有何改變？（10 分）