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106年公務人員高等考試三級考試試題 代號：25880 全一頁
類 科：電子工程
科 目：半導體工程
考試時間：2小時 座號：
※注意：
禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
（請接背面）
一、請說明影響半導體移動率（Mobility）的兩種主要機制，並說明這兩種機制對半導體
的溫度效應。（10 分）
二、二極體（Diode）的理想順偏電流對電壓（I-V）特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆
二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c)，請說明這兩顆二極體分別具有
什麼特性？（10 分）
三、對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體
造成什麼影響？（10 分）
四、雙極性電晶體工作在高集極電流（IC）下，請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克
效應（Kirk Effect）與準飽和效應（Quasi-Saturation）？（10 分）
五、請分別說明下列 n-型通道元件的臨界電壓（Threshold Voltage ，Vth）之定義，並說明其
臨界電壓為正值或負值：空乏型場效電晶體（Depletion-Type Field-Effect Transistor），
加強型場效電晶體（Enhancement-Type Field-Effect Transistor），高電子遷移率場
效電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）。（15 分）
六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor）而言，何謂「氧化層充電（Oxide Charging）」？它對長通道與短通道的場
效電晶體分別會造成什麼影響？（15 分）
七、什麼是準費米能階（Quasi-Fermi Level）？它和費米能階（Fermi Leve l）有什麼不同？
（10 分）
八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon,
LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝
槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
-0.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
(b)
(a)
(c)
二極體電流(mA)
二極體電壓
(
V
)