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110年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
電子工程
科 目
：
半導體工程
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
37780
頁次：
2
－
1
一、何謂歐傑複合（Auger recombination）效應？它通常發生於何種狀況？
（10 分）
由p型矽（Si）半導體與銅（Cu）形成蕭特基接面（Schottky junction），
假如銅的功函數（work function, qm）為 4.5 eV，矽的電子親和力
（electron affinity, qSi）為 4.05 eV，矽的能隙（Eg）為 1.12 eV，矽的
功函數（work function, qSi）為 4.9 eV。請計算此蕭特基接面的能障值
（barrier height, qB）與內建電位值（built-in potential, qVbi）。（10 分）
二、一般 p-n 二極體的等效電路模型如下圖所示，
在順向偏壓下，請說明兩個電容 C1和C2的來源為何？（10 分）
請說明兩個電阻 RS和RP的來源為何？（10 分）
三、對一工作於主動模式（active mode）的 npn 雙極性電晶體，假設基極
對射極的偏壓為 VBE，基極寬度為 WB，WB遠小於電子的擴散長度，
且電子在基極的擴散係數為 Dn，電子電荷為 q。今電子由射極進入基
極，在射極與基極的電子濃度為 np(0)，在基極與集極的電子濃度為
np(WB)，請寫出在基極的電子電流密度方程式。（10 分）
通常較高值的厄利電壓（Early voltage, VA）可以得到較高值的電壓增
益。如果我們以下列三種方式設計雙極性電晶體以增加厄利電壓：
增加基極寬度，增加基極濃度，減少集極濃度，請說明那一種方
式可以得到較高值的電流增益（）？請說明理由。（10 分）
C1C2
RS
RP
代號：
37780
頁次：
2
－
2
四、以短通道（short channel）的金氧半場效電晶體（MOSFET）為例，請
說明短通道長度對臨界電壓的影響。（10 分）
以金氧半場效電晶體為例，請說明次臨界電流（subthreshold current）
的定義。（10 分）
五、和化學氣相沉積（atomic layer deposition, ALD）技術相比較，請說明
原子層沉積技術的優點與缺點。（10 分）
請解釋電遷移（electromigration）現象，並說明如何改善此現象。（10 分）