加載中. ..
PDF
109年公務人員高等考試三級考試試題
類 科
：
電子工程
科 目
：
半導體工程
考試時間
：
2
小時
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
38280
頁次：
2
－
1
一、目前常用半導體有三大結構半導體，分別為鑽石結構，閃鋅礦結構，與六
方晶系，請繪出此些結構，並說明其異同。（10分）
二、一矽晶棒摻雜砷原子1016 atoms/cm3，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，
並畫出能帶中之費米能階。Note：nifor Si is 9.65 109/cm3。（12分）
三、請寫出p-type半導體中之連續方程式，並說明此些項次受何影響。（10分）
四、如果一半導體存在表面複合，請畫出少數載子從表面至內部之濃度分布
圖，並標示出平衡濃度與lifetime相關之資訊。（10分）
五、請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有NA= 1018 /cm3，
ND= 1015 /cm3，請計算其內建電壓。（9分）
六、離子佈植至單晶半導體，垂直植入和傾斜角度植入會有何差異？（10分）
七、何謂磊晶成長？為何需要異質磊晶成長？異質磊晶成長須滿足那些條
件？（12分）
八、請說明發光二極體之發光機制，並說明主要發光位於二極體之何處。（10分）
九、兩種不同材料之能帶圖如圖(一)，請畫出異質接面之能帶圖。（5分）
圖(一)
代號：
38280
頁次：
2
－
2
十、請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖，其中金屬
電子親和力為qm，氧化物厚度d，氧化層電子親和力為qχi，p-type半導體
電子親和力為qχ，功函數qs，其中qm > qχ，並說明此能帶圖在三種不同
電壓（V < 0、V > 0及V≫ 0）作用時會產生那三種變化？（12分）
圖(二)
p
-
type Si