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1 k: )3* 10 k: )4* 100 k: )5* 1 M:Ƕ
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250!:!!)3*!25!:!)4*!2.5!:!)5*!2.5!k:Ƕ!
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C
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:, RL = 1 k:Ƕ၂ᆉځᒡΕႝߔ(Rin)Ƕ!
10.05 k:!)3* 100.5 k:!)4* 20.1 k:!)5* 201 k:Ƕ!
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10.5 :!)3* 105 :!)4* 21 :!)5* 210 :Ƕ!
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ϰଛځႝྍႝߔ
Rsig = 100 :Ǵ߾ӧ MOS ႝᡏϐ VOV V Ǵځୃᓸႝࢬ( ID)ࣁՖ
0.1 mA!)3* 0.5 mA !)4* 1 mA!)5* 5 mAǶ!
ӕᚒϐႝၡǴځӧཱུؕᆄ(drain node)ϐᕴႝߔࣁ 2 k:Ǵ၂ᆉԜӅ႔ཱུܫεᏔϐႝᓸ
ቚࣁՖ
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20!V/V!)3*!10!V/V!)4*!5 V/V!)5*!2.5 V/VǶ!
shunt-series!)3*!shunt-shunt!)4*!series-shunt!)5*!series-seriesǶ!
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კႝၡࣁаӼܿѭ༫Ьႝག(Antoniou inductor)ޑΒ໘ᘠݢᏔǴ၂ղᘐځᓎៜᔈࣁՖ@!
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ե೯ᘠݢᏔ!)3*!ଯ೯ᘠݢᏔ)4*!೯ᘠݢᏔ)5*!ܔᘠݢᏔǶ!

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კ܌Ңࣁ୷ҁ CMOS ۓႝࢬྍϐႝࢬ᜔ǴځୖኧᆶᏹբచҹӵΠǺV
DD
PAĭ!ᒡрႝࢬ!Io = 100 PA, ႝᡏ Q1, Q2ڀഢ࣬ӕЁκ(W/L)1 = (W/L)2 = 10 P
P
nCox =222 PA/V2 , Vt = 0.7 VǶ၂ᆉ܌ሡϐႝߔRǶ)۹ౣ
channel length modulation
ᔈ
, ջrO ࣁคጁε)!
5 k:!)3* 10 k:!)4* 20 k:!)5* 40 k:Ƕ!
კࣁٿભ CMOS ၮᆉܫεᏔკǴ၂ୢΠӈՖޣόࢂ Q
3
4
Ьၩ!)3*ৡᙯൂᆄ!)4*!ගٮቚ!)5*ႝࢬྍǶ!
კࣁڀӣߔל Z = 1 M:ϐགྷႝᓸܫεᏔკǴځቚࣁ-100 V/VǶ၂аԯୌ
ႝၡ
(Miller equivalent circuit) ᆉځᒡΕߔל?
0.99 k:!)3* 9.9 k:!)4* 99 k:!)5* 990 k:Ƕ!

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ΒǵᆉᙁเᚒǺᚒ 36 ϩǴӅ 3 ᚒǴ 61 ϩ!
1. Πკ܌ҢࣁႝΚسϐൂጕკǴځႝלၗ߯аӅ೯୷ྗޑΧ߄ҢǴӵΠ߄܌ҢǶ
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(c)
ޔௗൂጕჹӦࡺምวғӧ҆ጕ 1ޑa࣬ǴځࡺምႝࢬࣁՖ(Ѥ௭ϖΕԿλኧᗺಃ 2Տ)ǻ(5 ϩ)
2. Βཱུǵ60 Hz ӕวႝᐒǴځᚐۓфࣁ 250 MVAǴфӢኧࣁ 0.8 ᅉࡕǴӧӕೲࡋวႝᐒϐ
ૈࣁ 1250 MJǴวႝᐒᛙۓޑၮᙯӧӕೲࡋΠǴ٠ӧႝΚف 5 ࡋႝπفΠଌр 50 MW ډၩǶ
(a)
ၩฅ౽ନǴ၂،ۓᙯηޑуೲࡋ(rpm/sec)Ƕ(10 ϩ)
(b)
ଷ܌ᆉϐวႝᐒуೲࡋӧ 12 ຼයϣࢂۓǴ၂،ۓӧ೭ࢤ໔ಖᗺޑႝΚف(7 ϩ)ک rpm
(8 ϩ)Ƕ(15 ϩ)