
101年公務人員初等考試試題
科 別:電子工程
科 目:電子學大意
考試時間:1小時 座號:
※注意: 本試題為單一選擇題,請選出一個正確或最適當的答案,複選作答者,該題不予計分。
本科目共40 題,每題 2.5 分,須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,於本試題上作答者,不予計分。
可以使用電子計算器。
代號:3514
頁次:8
-
1
1 矽二極體與鍺二極體在室溫的順向導通電壓分別約為:
0.7 V,0.7 V 0.7 V,0.2 V 0.2 V,0.7 V 0.2 V,0.2 V
的增大而:
2 逆向偏壓的pn接面,其接面電容隨逆向偏壓VR
增大 減小 不變 先增大再減小
3 下列何種二極體通常工作於逆向偏壓?
蕭特基(Schottky)二極體 發光二極體
雷射二極體 變容二極體
4 輸入方波訊號v
2
T
i經過圖中電路處理後(二極體是理想二極體),輸出電壓v波形中的V為何?
o X
vi
C
1 V vo
T
T/2
0
+ +
0 T
vv
R
io
-1 V - -
-VX
1 V 2 V 3 V 4 V
5 如圖的全波整流器電路,各二極體導通時之V= 0.7 V。若輸入電壓v
D I之對為10 V之正弦波,則
輸出電壓v之最大值為:
O
vI
+
-
vO
R
+
-
10 V 9.3 V 8.6 V 7.2 V
(f)下降的原因是由於:
6 共射極電晶體電路在高頻時,電壓放大率Av
電晶體內部電容的高頻響應 外接基極耦合電容的高頻響應
電晶體的歐萊效應(Early Effect) 外接基極電阻效應
7 雙極性接面電晶體(BJT)若作小訊號放大用,則工作於:
截止區(Cut-off Region) 飽和區(Saturation Region)
主動區(Active Region) 截止區和飽和區

代號:3514
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2
8 如圖所示的電路為何種邏輯閘?
Q1
Q2
C
R1
R2
RE
A
B
10 kΩ
10 kΩ
3.0 kΩ
VCC = 5 V
NOR OR NAND AND
9 假設電晶體的IB = 20 μA及IC = 2 mA,已知熱電壓(Thermal Voltage)VT = 25 mV,則中頻電晶體小
訊號模型的r及g
πm分別約為:
1.25 kΩ、80 mA/V 2.5 kΩ、100 mA/V
3 kΩ、120 mA/V 4 kΩ、150 mA/V
10 若圖中電晶體的VBE = 0.7 V,β= 100,則IE之值約為:
100 kΩ
50 kΩ
5 kΩ
3 kΩ
+15 V
2.52 mA 1.43 mA 1.05 mA 0.83 mA
11 下列何者為能正常工作的數位電路參數?
V = 3.2 V、V
OH IH = 1.8 V、V = 0.3 V、V
OL IL = 0.8 V
V = 1.8 V、V
OH IH = 3.2 V、V = 0.3 V、V
OL IL = 0.8 V
V = 1.8 V、V
OH IH = 3.2 V、V = 0.8 V、V
OL IL = 0.3 V
= 3.2 V、V
VOH IH = 1.8 V、V = 0.8 V、V
OL IL = 0.3 V
12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓|V |= 3 V,欲使之導通,則閘極和源極間的電壓V
t GS應加何種偏壓
?
0 V 2 V 4 V -4 V

代號:3514
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3
13 一N通道增強型MOSFET的Vt = 1 V,μncox(W/L) = 1 mA/V2,則工作點在I= 0.5 mA,V
D GS = 3 V時的互
導gm之值約為:
2 mA/V 4 mA/V 6 mA/V 8 mA/V
14 雙極性接面電晶體(BJT)共射極接線組態時,射極-地間的電阻常並聯一電容,此電容之目的為:
改善電壓增益 降低射極的直流電壓
升高射極的直流電壓 濾除雜訊
15 下列何種記憶體需要更新(Refresh)的動作?
快取記憶體(Cache)
靜態隨機存取記憶體(SRAM, Static Random-Access Memory)
唯讀記憶體(ROM, Read Only Memory)
動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random-Access Memory)
16 雙極性接面電晶體(BJT)中,下列何種電路組態其小訊號輸出阻抗為最低?
共射極組態 共基極組態 共集極組態 共閘極組態
17 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(= I /I
c b)為100,以及電晶體集極到
射極的交流輸出阻抗r為50 kΩ,則此放大器的輸入阻抗Z(= V/I
o i i i)約為多少?
560 kΩ 37 kΩ 22 kΩ 2 kΩ
18 對動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random-Access Memory)而言,如果其位址線有 8條,則
其記憶位址有:
8個 16 個 8K 個 64K 個
19 圖為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的差分放大器(Difference Amplifier),其中
R2 = R4 = 1 MΩ,由於誤差,R1 = 9.9 kΩ,R3 = 10 kΩ,其共模電壓增益(Common Mode Voltage
Gain,VO/VCM)約為:
-1 -0.1 -0.01 -0.001
i
560 kΩ
o
2.2 kΩ
400 Ω
+20 V
i
i
+
-
R1
R2
R4
VCM
VO
R3

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4
20 圖為差動放大器(Differential Amplifier)。其中VDD為電壓源,
I為偏置電流源(Bias Current Source
),I、Q
= 1 mA。R=2 kΩ+ΔR
D1 D/2,R=2 kΩ-ΔR
D2 D/2,電晶體Q1 2的驅使電壓(Overdrive Voltage
,V)為 0.2 V,並且Q、Q
-V
GS TH 1 2完全匹配。此放大器輸入偏移電壓(Offset Voltage)為 1 mV
。則ΔR約為:
DVDD
RD1 RD2
Vi
+
Vo
-
Vi
-
Vo
+
Q1Q2
I
20 Ω 10 Ω 2 Ω 1 Ω
21 某差動放大器的共模增益ACM = 0.1,差模增益Adm = 100,則其共模拒斥比(Commom Mode Rejection
Ratio)為多少dB?
20 40 60 100
22 如圖所示為達靈頓(Darlington)電路,若電晶體Q與Q之特性參數各自為V
1 2 BE1、β1及VBE2、β2,則下
列何者有誤?
VCC
vo
Co
R1
R2
vi
Ci
IB1
IB2
IC2
IE2
Q1
Q2
2211
2BE1BECC
1B R)1)(1(R
VVV
Iβ+β++
−−
=
2211
2BE1BECC1
2B R)1)(1(R
)VVV(
Iβ+β++
=
2211
BE2BE1CC12
C2 )Rβ)(1β(1R
)VV)(Vβ(1β
I+++
−
+
=)1)(1(
I
I
A21
1B
2E
Iβ+β+==
電流增益值
23 圖中電路,若輸出(V)與輸入(V)之電壓增益為-4,則其輸入端之等效電容值(C
o i in)為何?
Vo
Vi
1 pF
Cin
-4
0.2 pF 1 pF 1.25 pF 5 pF

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5
24 圖中之電路,若運算放大器為理想,則V為何?
o
1 kΩ1 kΩ
1 kΩ
1 kΩ
Vo
+
-
1 V
2 V -2 V 3 V -3 V
25 圖為由電阻R、R、R
123以及理想運算放大器組成的電路,其中R1 = R ,則此電路輸入電阻R為:
2IN
VO
+
-
R1
R2
R3
RIN
2 R3 R-R
3 3 -0.5 R3
26 下列何種放大器電路組態不會改善頻寬?
CC-CE CC-CB
達靈頓組態(Darlington Configuration) 疊接組態(Cascode Configuration)
27 如圖所示電路,下列何者為非?
Vo
+
-
R1
R2R3
Vi
C1
2
3
max
i
o
R
R
1
V
V+=
當輸入訊號V的頻率f極小時(f 0),電壓增益的最大值
≅
i
0
V
V
i
o≅
當輸入訊號V的頻率f極大時(f∞),電壓增益
≅
i
)
R
R
1(
2
1
V
V
2
3
i
o+=
11CR2
1
fπ
=
當輸入訊號V
的頻率 時,電壓增益衰減為
i
11
HCR2
1
fπ
=
此電路高頻截止頻率為

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6
2s
2
)s(T +
=,當角頻率 ω= 2 rad/sec 時,則 |T(jω)|約為:
28 有一濾波器之轉移函數(Transfer Function)
1.0 0.7 0.5 0.2
29 有一單級放大器,其低頻截止頻率為 640 Hz而高頻截止頻率為 10 kHz,若將相同兩個放大器串接在
一起,則此系統之低頻截止頻率為fL及高頻截止頻率為f,試問系統之頻寬BW = f -f
H H L約為何值?(
註: 64.0414.0 ≅)
2.70 kHz 4.14 kHz 5.40 kHz 9.36 kHz
30 圖中雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator),假設R1 = 10 kΩ,輸出電壓範圍為±5 V。若觸發
電壓VTH = -VTL = 0.5 V,則R等於:
2
VO
+
-
R1R2
VI
100 kΩ 20 kΩ 10 kΩ 1 kΩ
31 圖中之電路,若運算放大器為理想,且V = -4 V,則輸出電壓V約為何?
i o
1 kΩ
Vo
+
-
1 kΩ
Vi-6 V
6 V
-8 V -6 V 6 V 8 V
32 一般市電之 60 Hz 弦波訊號常干擾授控系統或量測系統,因此可設計下列何種濾波器以消除此干擾
的影響?
低通濾波器(Low Pass Filter) 高通濾波器(High Pass Filter)
帶通濾波器(Band Pass Filter) 帶拒濾波器(Band Reject Filter)
33 某振盪電路之迴路增益為A(jω)β,β為正實數,A(jω) = 100/(1+ jω/ωc)3,ωc為實數。若β選得適當,此電
路可振盪產生弦波,振盪頻率ω為何?
0.866 ωc 1.41 ω1.73 ω3.14 ω
c c c

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34 圖中為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic, ECL)電路。其中V為輸入,V、V
IO1 O2為輸出,
VCC = 0 V,參考電壓VR = -1.32 V,偏置電流源(Bias Current Source)I = 4 mA,RC = 200 Ω。當輸
出為邏輯低位準時,其電壓約為:
VCC
Q1Q2
I
VIVR
VO1 VO2
RCRC
-1 V -0.8 V -0.5 V -0.1 V
35 如圖所示之互斥或閘(Exclusive OR Gate),若輸入訊號之一被強制為 1,則輸出訊號為何?
1
Y
A
1 0 A
A
36 下列邏輯圖,若以布林代數表示(Boolean expression),其表示式為:
A B C
Y
)CBA)(CBA)(CBA)(CBA(Y ++++++++=
)CBA)(CBA)(CBA)(CBA(Y ++++++++=
CBAABCBCACBAY +++=
CBACBACBACABY +++=

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37 下列那一個元件之特性與光線無關?
光敏電阻 太陽能電池 光遮斷器 熱敏電阻
38 圖中分別顯示邏輯電路輸出(Output)與輸入(Input)之「1」與「0」狀態的電壓位階範圍,此系
統之「雜訊容限」(Noise margin)NMH及NM 為:
L
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
V8
Inpu
Outpu
NMH = V -V,NM
1 2 L = V -V NM
3 4 H = V -V,NM
6 2 L = V -V
3 7
NMH = V -V,NM
2 3 L = V -VNM
67 H = V -V,NM
5 6 L = V -V
7 8
39 如圖的電路是那一類的放大器?
+VCC
vI
vO
IRL
-VCC
A類(Class A) B類(Class B)
AB 類(Class AB) C類(Class C)
40 承上題,若電晶體飽和之VCEsat = 0.2 V,則輸出電壓vO之最大值為v為:
Omax
+VCC +VCC - 0.2 V vImax - 0.7 V I·RL

類科名稱:
101年公務人員初等考試
科目名稱: 電子學大意(試題代號:3514)
題 數: 40題
考試名稱:
標準答案:答案標註#者,表該題有更正答案,其更正內容詳見備註。
測驗題標準答案更正
題號
答案BBDB# ACDAB ACAAD CBDCA
題號
答案CBDDC CCBCA CDCBD CDBAB
題號
答案
題號
答案
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程
備 註: 第5題一律給分。