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100年公務人員初等考試試題
科 別：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
禁止使用電子計算器。
代號：3514
頁次：6
－
1
之臨限電壓V
Qp
Qn
Vo
Vi
+3V
IC(mA)
VCE(V)
25
20
15
10
5
A
0 5 10 15 20
B
C
D
80
μ
A
70
μ
A
60
μ
A
50
μ
A
40
μ
A
30
μ
A
20
μ
A
10
μ
A
IB＝0B
μ
A
R3R2
R1R1R1
C1C1C1
Vo
+
－
VIN +
－
Vπrπ
RL
VOUT
gmVπ
Cπ
1 如圖之電路，電晶體Qntn＝0.5V，電晶體Qp之臨限電壓為
Vtp＝-0.5V，當輸入電壓Vi＝0V時，輸出電壓Vo為：
1 如圖之電路，電晶體Q之臨限電壓V
0V
0V
0.5V
0.5V
2.5V
2.5V
3V
3V
2 圖中虛線範圍內為NPN電晶體主動
區（Active region）的安全工作區域，
除了代表ICmax及VCEmax的虛線外，另
外兩條虛線代表的限制值為：（註：
Sat-飽和，Cut-off截止）
2 圖中虛線範圍內為NPN電晶體主動
區（Active region）的安全工作區域，
除了代表I
PEmax，VBC(sat)
P
PEmax，VBC(cut-off)
P
PCmax，VCE(sat)
P
PCmax，VCE(cut-off)
P
3 如圖振盪器電路，下列何者為非？ 3 如圖振盪器電路，下列何者為非？
此電路為積分相位落後型 RC 相移振盪器
此電路為積分相位落後型 RC 相移振盪器
輸出訊號欲達成振盪，R2及R3設計值必需
符合R2≥29R3之條件
輸出訊號欲達成振盪，R
振盪頻率為振盪頻率為
ntn＝0.5V，電晶體Qp之臨限電壓為
Vtp＝-0.5V，當輸入電壓V＝0V時，輸出電壓V為：
i o
Cmax及VCEmax的虛線外，另
外兩條虛線代表的限制值為：（註：
Sat-飽和，Cut-off截止）
，V
Emax BC(sat)
，V
Emax BC(cut-off)
Cmax，VCE(sat)
Cmax，VCE(cut-off)
及R
2 3設計值必需
符合R2≥29R3之條件
11CR2
6
π
三組 RC 串聯電路中，每一組的 RC 電路負
責移相 120º
4 圖為射極隨耦器（Emitter Follower）等效電路，
V的零點為：
/V
OUT IN
π
C
gm
ππCr
1
π
π
+
C
r/1gm
π
CR
1
L
代號：3514
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2
VDD
5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之
轉導值gm皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗
（r
Ib
Vi
10kΩ
Ro
Vo
M1
M2
R
1
R
2
vIvO
+
－
+
－
0.5kΩ
R
L9V
I
vI
R
1
R
2
vO
－
+
RBB
VO
VCC
Vin
RC
o＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？
5 分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之
轉導值gm
其電壓增益之絕對值約為 10
其電壓增益之絕對值約為 10
皆為 1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗
（r＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？
o
輸出信號 Vo 與輸入信號 Vi 同相
輸出信號 Vo 與輸入信號 Vi 同相
輸出阻抗約為 1kΩ
輸出阻抗約為 1kΩ
本電路具有高輸入阻抗
本電路具有高輸入阻抗
6 圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、
R1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為-1V時，此輸出電壓vO
為若干V？
6 圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、
R
-4
-4
-5
-5
4
4
12 或-12 皆有可能
12 或-12 皆有可能
7 X及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1及A2，輸入阻抗分別為Ri1及Ri2，輸出阻抗分別
為Ro1及Ro2，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：
7 X及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A
1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為-1V時，此輸出電壓vO
為若干V？
及A，輸入阻抗分別為R及R
1 2 i1 i2，輸出阻抗分別
為Ro1及R，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：
o2
2ool
2ili
21 RR
RR
AA +
+
2ili
2ool
21 RR
RR
AA +
+
2ool
2o
21 RR
R
AA +
2iol
2i
21 RR
R
AA +
8 若量一電晶體電路的數據為gm＝80mA/V。當IB＝110μA時I＝9mA，當I
BC BB＝130μA時IC＝11mA。則其
電晶體基-射極間之小訊號電阻值r約為：
π
1.25kΩ 2.5kΩ 3.75kΩ 6kΩ
9 某運算放大器其開迴路增益（Open Loop Gain）的單增益頻率
（Unity Gain Frequency）ft＝1MHz，若以此運算放大器接成
如圖之反相放大器，其中頻增益為-1，則此反相放大器的
3dB頻率為：
1MHz 750kHz
707kHz 500kHz
10 圖中齊納二極體（Zener Diode）的rZ＝20Ω，IZK＝0.2mA，
VZK＝6.7V，若齊納二極體（Zener Diode）仍在累崩區工作，
則最小負載電阻R約為：
L
0.5kΩ
1.0kΩ
1.6kΩ
2.5kΩ
11 在A類（Class A）、B類（Class B）、AB 類（Class AB）、C類（Class C）放大器中，以那一類
放大器之功率轉換效率最低：
A B AB C
12 圖中電路用來當作數位反相器（Inverter），其中VCC＝5V，
RC＝1kΩ，RB＝5kΩ，電晶體之VCE(sat)＝0.2V，VBE(on)
B＝0.7V，
β＝100。此電路之低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）
約為：
3.3V
2.5V
1.5V
0.5V
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3
13 何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？ 13 何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？
鄰近順向累崩區 反向飽和區 鄰近反向累崩區 順向線性區
鄰近順向累崩區 反向飽和區 鄰近反向累崩區 順向線性區
14 如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及
多工器（Multiplexer）所組成，其中χχ3
1 0
MUX
χ2χ1χ0
1 0
MUX
1 0
MUX
1 0
MUX
L
D
CLK
CLR
Q' Q
D
Q' Q
D
Q' Q
D
Q' Q
D
z
3
z
2
z
1
z
0
VIN VOUT
+
－
R
R
C
R
R
3
R
4
+
－
+
－
+
－
+
－
R
1
R
2
R
5
R
6
C1
C2Vo
Vi
R
1
R
2
C1
Vo
Vi
R
3
R
4
R
1
R
2
C1C2Vo
Vi
R
3
R
4
R
1
R
2
C1
C2
Vo
Vi
+
－
3、χ2、χ1、χo
為輸入訊號，z3、z2、z1、z0為輸出訊號，LD為載
入控制訊號，CLR為清除控制訊號，CLK為時脈
（Clock）訊號。試問此為何種數位電路？
14 如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及
多工器（Multiplexer）所組成，其中χ
暫存器（Register）
暫存器（Register）
計數器（Counter）
計數器（Counter）
移位器（Shifter）
移位器（Shifter）
解碼器（Decoder）
解碼器（Decoder）
15 一個 256 百萬位元（32 百萬位元組×8位元輸出）之記憶體，其記憶體位址共需要若干位元？ 15 一個 256 百萬位元（32 百萬位元組×8位元輸出）之記憶體，其記憶體位址共需要若干位元？
15 18 25 28
15 18 25 28
16 圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？ 16 圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？
全通（All Pass）濾波器
全通（All Pass）濾波器
當頻率趨近於零，VOUT /VIN相位趨近於-180 度
當頻率趨近於零，V
|VOUT /VIN|不受頻率變化影響
|V
當頻率等於當頻率等於
3、χ、χ、χ
2 1 o
為輸入訊號，z、z、z、z
3 2 1 0為輸出訊號，LD為載
入控制訊號，CLR為清除控制訊號，CLK為時脈
（Clock）訊號。試問此為何種數位電路？
/V
OUT IN相位趨近於-180 度
/V |不受頻率變化影響
OUT IN
πRC2
1，V/V
OUT IN相位為：90 度
17 下列圖示電路，何者非為高通濾波器（High Pass Filter）？
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4
C
18 圖中電路，其V/V
Vo
+
－
+
－
V1
V2
2kΩ
4kΩ
2kΩ
4kΩ
3kΩ
3kΩ
+15V
－15V
+15V
－15V
0~3kΩ
R1
R2
Vo
+
－
IBB
+
－
Vo
Vi
R＝1kΩ
1pF
Vo
V1V2
VBB
VDD
Q1
Q
Q3Q4
QBB
2
+
－
R
1
R
2
R
3
R
4
v1
v2
vO
out in的零點（Zero）為： R V
V
-1 -1
(RLC) (RC) out
in
gm/C [(R+RL)C]-1 R
g
19 圖中電路，R1＝10kΩ，R2＝1MΩ，若運算放大器的輸入偏移
電壓（Offset Voltage，VOS）為 1mV，輸入偏壓電流（Bias
Current，IB）為 0.2μA，則輸出的可能最大偏移電壓約為：
B
0.5V 0.3V
0.1V -0.1V
20 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為
V1＝2V、V2＝1V，試求其輸出電壓Vo範
圍應為多少？
-6V～-3V
+3V～+6V
-4V～-2V
+2V～+4V
21 關於圖中電路之轉移函數，下列敘述何者錯誤？
此為低通濾波器
其低頻增益為 1
其頻寬約為 106 rad/sec
R越大則其頻寬越窄
22 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。
若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）100V；且都設計
在相同的驅使電壓（Overdrive Voltage，VGS-Vt）0.2V，Vt為臨限電壓。
則此電路的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain，Acm）約為：
-2×10-3
-10-3
-5×10-4
-2.5×10-4
23 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列何種電路組態其電壓增益（Av）及電流增益（Ai）均遠大於 1？
共射極組態 共基極組態 共集極組態 共閘極組態
24 圖示理想運算放大器電路，若R1＝2kΩ、R2＝6kΩ、
R3＝10kΩ、R4＝10kΩ，今輸入訊號v1＝v2＝1V，則
輸出電壓vO為若干V？
-6
-4
-1
1
L
mV
Vx
x
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5
25 以下各種場效電晶體，何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值？ 25 以下各種場效電晶體，何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值？
VMOSFET JFET
VMOSFET JFET
空乏型 MOSFET 增強型 MOSFET
空乏型 MOSFET 增強型 MOSFET
26 圖中N通道增強型MOSFET的V
RD
+5V
VD＝0.1V
+
－
+
－
V
+
－
RBBRC
IBBVBE CC
VBB
Vo
ViZo
Cs
ID
+20V
4.7kΩ
680kΩ 1kΩ
VDD
Clock
A
Y
Clock
t＝1V，則其工作於： 26 圖中N通道增強型MOSFET的V＝1V，則其工作於：
t
三極管區（Triode Region）
三極管區（Triode Region）
飽和區（Saturation Region）
飽和區（Saturation Region）
截止區（Cut-off Region）
截止區（Cut-off Region）
主動區（Active Region）
主動區（Active Region）
27 求圖中基－射極接面迴路中的電流IB為： 27 求圖中基－射極接面迴路中的電流IB
BB為：
B
BEBB
BR
VV
I+
=
B
BBBE
BR
VV
I−
=
B
BEBB
BR
VV
I−
=
B
BEBB
BR
VV
I−
−=
28 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極
電壓V為-2.6V，汲極電流I
GS D為2.6mA，IDSS為8mA，夾止電壓
（Pinch-off Voltage）Vp為-6V，不考慮接面場效電晶體的交流輸
出阻抗r的影響，則此放大器的輸出阻抗Z約為多少？
do
1kΩ
4.7kΩ
47kΩ
680kΩ
29 若電晶體工作在基－射極接面為順偏，基－集極接面為逆偏下，已知IC＝1.99mA及IE＝2mA，則IB及
β值分別為：
B
0.01mA、199 0.01mA、0.995 3.99mA、199 3.99mA、0.995
30 EPROM 將記憶體單元中的資料清除，是採用：
通道抹除法清除 源極抹除法清除 汲極抹除法清除 紫外線清除
31 PN 接面二極體，若以接面處為界，在 P型側空乏區內的電荷為：
正電荷 負電荷 電中性 視雜質濃度而定
32 圖所示為一動態邏輯（Dynamic Logic）電路。以下何者為錯誤？
時脈（Clock）等於 0 V 時，Y等於“1＂
時脈（Clock）等於VDD時，Y等於 A
低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）＝VtN，
其中VtN是N型金氧半電晶體（NMOSFET）的臨限電壓
（Threshold Voltage）
高位雜訊邊界（Noise Margin For High Input, NMH）
＝VDD-V ，其中V
tP tP是P型金氧半電晶體
（PMOSFET）的臨限電壓
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6
33 一電路的轉移函數（Transfer Function）含兩個極點（Pole）：f
＝
33 一電路的轉移函數（Transfer Function）含兩個極點（Pole）：f
Vo
圖(a) 圖(b)
Vi
Vi
Vo
D
R Vt
+
－
+
－
D1D2
D3D4
+
－
R
vivo
t
Vi(t)
-10V
+10V
Vi
Vo
+
－
+VCC
-VEE
Vo
Vi
+
－
Vo
Vcc
C1
C2C3
C4
Q1Q2
R1R2R4
R3R5
R6
P1、fP2，和一個零點（Zero）：fZ。若fP2P1、fP2，和一個零點（Zero）：fZ。若fP2
f、f
＝2P1 Z＝2f
P1，則此電路的頻寬約為：
2f
P1 f f 0.5 f
2P1 P1 P1
34 圖(a)為一個半波整形電路，圖(b)為其輸出
V對輸入V
o i曲線。若運算放大器為理想，
二極體D之導通電壓為 0.7V，則圖(b)的臨
限電壓V值約為何？
t
0V
0.7V
1V
1.7V
35 右圖二極體整流電路中，二極體為理想二極體其逆向
電壓值為PIV。電路之直流輸出電壓為Vdc，輸入
交流電壓之至（Peak-to-peak）值為 20 伏特，
下列何者為正確結果？
Vdc＝3.18V、PIV＝10V
Vdc＝6.36V、PIV＝10V
Vdc＝6.36V、PIV＝20V
Vdc＝3.18V、PIV＝20V
36 如圖所示理想運算放大器電路，當輸入電壓Vi為一個
正弦波時，其輸出電壓V應為：
o
三角波
鋸齒波
正弦波
方波
37 如圖所示屬何種電路？
兩級間串接 RC 耦合放大器
兩級間串接直接耦合放大器
達靈頓（Darlington）電路
兩級間串接變壓器耦合放大器
38 下列何者與光電效應有關？
光電晶體 熱敏電阻 霍爾元件 磁簧開關
39 下列何種元件的輸入阻抗值最大？
雙極性接面電晶體（BJT）
接面場效電晶體（JFET）
金氧半場效電晶體（MOSFET）
雙極性接面電晶體（BJT）和接面場效電晶體（JFET）皆一樣大
40 矽二極體的逆向電阻會隨溫度增高而：
增加 不變 減小 先減小後增大
類科名稱：
100年公務人員初等考試
科目名稱： 電子學大意(試題代號：3514)
題 數： 40題
考試名稱：
標準答案：答案標註#者，表該題有更正答案，其更正內容詳見備註。
備 註： 第16題答B或D或BD者均給分。
測驗題標準答案更正
題號
答案DCDCB DBADC ADCAC #DCBD
題號
答案CBACA ACBAD BDCAB DBACC
題號
答案
題號
答案
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程