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年公務人員初等考試試題
等 別
：
初等考試
類 科
：
電子工程
科 目
：
電子學大意
考試時間
：
1小時 座號：
※注意：本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當答案。
本科目共40題，每題2.5分，須用2B鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：
3517
頁次：
8
－
1
1有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小 K倍，則操作電
壓應為何？
增大為 K倍降低為(1/K)倍增大為 K2倍降低為(1/K)2倍
2假設矽二極體在 25℃時，其順向跨壓為 0.7 V，則當溫度上升至 65℃時，其順向跨壓約為何？
0.75 V 0.7 V 0.65 V 0.6 V
3磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為 20 mA，導通電壓為 2.2 V，電路如圖所示，
要使此 LED 發光，電源應至少提供多少功率？
44 mW 46 mW 60 mW 90 mW
4純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？
硼、磷 銦、磷 砷、鎵 鎵、銻
5有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？
信號由集極輸入 輸入電阻高
射極電壓的平均值必為 0 V 又稱為集極隨耦器
6一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓 VEB = 0.6 V 時集極電流 IC= 0.01 mA，熱電壓 VT= 0.0259 V。
當VEB = 0.75 V 時IC約為何？
0.33 mA 0.63 mA 3.28 mA 6.28 mA
7如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP= -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？
1.9 V 9.2 V 11 V 15 V
8空乏型 MOSFET 不適合用於下列何者？
線性放大器 壓控電感 壓控電阻 壓控電容
40 Ω
V
DD
=
1
5 V
R
D
=
1.
9
k
Ω
R
G
= 5
M
Ω
代號：
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2
9有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？
輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
10 如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益 A為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm= vo/ii為何？
Rf/(1+A) Rf-Rf-Rf/(1+1/A)
11 有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？
可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性 部分輸出回授至反相輸入端
產生振盪輸出 增加頻寬
12 如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？
截止區 飽和區 主動區 歐姆區
13 當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？
7.5 Hz 15 Hz 30 Hz 435 Hz
14 在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？
1倍2倍0.5 倍4倍
15 一個稽納二極體（Zener Diode）在 40℃時的最大功率額定值為 500 mW，衰減因數為 4 mW/℃。則
稽納二極體在 90℃時消耗的最大功率值為何？
100 mW 150 mW 200 mW 300 mW
16 圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過 1 kΩ 的電流約為何？
12 mA 16.9 mA 24 mA 7.6 mA
R
f
i
i
i
i
v
i
A
v
o
120Vrms
60 Hz
R
E
V
CE
R
C
V
BE
V
CC
R
1 k
Ω
250
μ
F
C
10
：
1
T
1
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3
17 如圖所示電路，下列何者為全波整流器？
c與da與ba與dc與b
18 有一整流濾波器的直流濾波電壓為 20 V，漣波電壓的有效值為 0.4 V，則漣波因數為何？
1% 2% 3% 4%
19 如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？
電容 C1兩端的電壓為 Vm電容 C2兩端的電壓為 2Vm
電容 C3兩端的電壓為 3Vm電容 C4兩端的電壓為 2Vm
20 下圖為何種電路？
並聯二極體截波 串聯二極體截波 上箝位器 下箝位器
21 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？
30 V、-30 V 29.3 V、-29.3 V 0.7 V、-0.7 V 皆為 0 V
V
m
C
1
C
2
C
3
C
4
R
V
o
V
1
120 Vrms
D
R
V
out
D
1
D
2
V
in
＋
30 V
-
30V
0
V
2.2 k
Ω
(
a
)
(
c
)
(
b
)
(
d
)
R
L
R
L
R
L
R
L
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4
22 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓
之均方根（root mean square）值為 100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？
142 V 140.7 V 100 V 99.3 V
23 圖示電路，VCC = 10 V，RB1=RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率 β = 100，
VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？
截止區（Cutoff region）主動區（Active region）
飽和區（Saturation region）逆向主動區（Reverse Active region）
24 有關溫度對 BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？
電流增益 β值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流 IC無關
基極-射極電壓 VBE 會隨溫度上升而下降
逆向飽和電流 ICBO 會隨溫度上升而增加
集極電流 IC增加時，會使集極接面溫度上升
25 有一如圖之 BJT 電路，若 VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則 R應為何？
1 kΩ 10 kΩ 100 kΩ 165 kΩ
V
P(in)
0
V
out
R
L
＋
1
6 V
5
k
Ω
R
0.7 V
＋
-
1 k
Ω
R
C
R
E
R
B1
R
B2
V
CC
-
代號
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5
26 使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的 IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？
1 mA 2 mA 3 mA 4 mA
27 當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？
rπrero1/gm
28 有一如圖之 BJT 電路，若 CC1之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT= 25 mV，β = 100，則 Rin 約為何？
0 Ω 26.8 Ω 10 kΩ 無窮大阻抗
29 圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、VA= 100 V，熱電壓 VT= 0.025 V，放大器的輸入電阻 Rin 約
為何？
2 kΩ 2.5 kΩ 12 kΩ 12.5 kΩ
750 k
Ω
1 k
Ω
12 V
1 k
Ω
250 k
Ω
R
E
= 10 k
Ω
v
i
C
C1
V
+
= +10 V
v
o
C
C2
R
C
= 5 k
Ω
V
-
=
-
10 V
10 k
Ω
2 k
Ω
V
CC
10 k
Ω
v
o
∞
∞
v
sig
R
in
1 mA
V
EE
R
in
R
in
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6
30 圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、VA= 100 V，放大器輸出電阻 Rout 的最接近值為何？
2 kΩ 5 kΩ 9 kΩ 10 kΩ
31 圖中放大器電路中電晶體的 VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益 vo/vi
的最接近值為何？
5 V/V 10 V/V 20 V/V 40 V/V
32 圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中 vi為輸入訊號、vo為輸出訊號，則此放大器主要功
用為何？
電壓放大用 截波器 緩衝器 濾波器
1 mA
∞
∞
10 k
Ω
V
CC
R
out
v
o
10 k
Ω
2 k
Ω
v
sig
V
EE
V
DD
-
V
SS
1 mA
10 k
Ω
v
o
v
i
100 k
Ω
∞
∞
10 k
Ω
v
sig
v
o
v
i
代號
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：
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7
33 如圖為一串級放大電路，已知 Q1和Q2之參數 β均為 120，且 rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路
中的 R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，
RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率 Vo/Vi約為何？
-195 -95 95 195
34 下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合 IC 積體電路化？
變壓器耦合 RC 耦合 電感耦合 直接耦合
35 如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數 β1=β2= 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，
ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗 Ro為何？
32 kΩ 8 kΩ 500 Ω 125 Ω
36 在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？
低中高頻段均不受影響 高頻響應
中頻響應 低頻響應
37 如圖所示振盪電路，電路振盪頻率 fo約為何？
3.28 kHz 6.56 kHz 32.8 kHz 65.60 kHz
V
CC
V
i
V
o
R
1
R
2
Q
1
Q
2
R
3
R
C1
R
E1
R
4
R
L
R
E2
C
C1
C
C2
C
C3
C
E
V
i
R
i
1
：
2
6
：
1
10
：
1
R
o
V
o
i
b1
i
b2
r
π1
r
o1
r
o2
r
π2
β
1
i
b1
β
2
i
b2
V
CC
10 V
R
C1
R
B2
R
B1
R
C2
2.2 k
Ω
22 k
Ω
22 k
Ω
1 k
Ω
V
O1
V
O2
Q
1
Q
2
C
1
C
2
0.01
μ
F
0.01
μ
F
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頁次：
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8
38 圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中 OPA 之輸出飽和電壓為 15 V，則其下臨界電壓
（voltage of lower threshold）VTL 為何？
-23/3 V -7/3 V 7/3 V 23/3 V
39 下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？
使用負回授電路結構
維持振盪訊號的相位不變
維持振盪訊號的振幅不變
只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則
40 如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位 VTH 和VTL 的主要元件為何？
R和CR1和R2R1和CR1、R2和C
+
V
CC
150 k
Ω
50 k
Ω
V
S
V
O
-
V
CC
V
R
= +2 V
+V
CC
R
1
R
2
V
o
V+
-
V
CC
R
C