加載中. ..
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102
年公務人員初等考試試題
等 別：初等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3514
頁次：8
－
1
Vsin100 tva
ω
=V)120sin(100 °
−
=
tvb
ω
V)240sin(100 °−
=
tvc
ω
1 如圖所示之電路， ， ， ，求其平均輸
出電壓為何？
v
82.7 V
92.7 V
102.7 V
112.7 V
2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述，何者正確？
NMOS 的基體與外部電壓正值相連 PMOS 的基體與外部電壓負值相連
PMOS 和NMOS 上的閘極控制電壓互補 傳輸閘導通時輸入和輸出互補
3 一DRAM 單元上使用 30 fF 的電容，在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失，
則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？
1 pA 2 pA 5 pA 10 pA
4 下列有兩放大器應用電路，U1 與U2 為理想運算放大器，輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間，電阻
R1、R2、R3、R4均相等，若輸入電壓Vi1 及Vi2 為2 sin(ωt)V之正弦波，試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應
。
Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V Vo1＝4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V
Vo1、Vo2 均為-/+10 V Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V
5 圖示理想運算放大器電路，若 、
kΩ3
1=RkΩ7
2
=
R、kΩ1
=
a
R、kΩ19
=
f
R， ，
V1
1=vV1
2
−
=
v，
則輸出電壓 為若干 V？
O
v
0
4
8
10
a
v
b
+
v
c
R
ｖ
o
-
R
R
4
2
R
R
3
11
U1 U2
IO2 IO2
+
- 3
2 2
3
+ Vo2
Vo1 -
1 IO1
IO1 +
-
～ -
～
+
Vi1 Vi2
V1 V1
R
R
1
R
2
v
1
v
O
+
-
R
a
f
v
2
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2
6 如圖所示之MOS電路，Q
Q
1、Q為P通道增強型MOSFET，Q
2 3、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為
何種邏輯閘？
V
CC
OR 閘 A
NOR 閘 Q1
AND 閘
B
NAND 閘
Q
2
Y
Q
Q
3
4
7 圖中以G及G兩個NOR閘組成RS型正反器（Flip-Flop），下列何者為其正確的反應？
1 2
, ,
0=Q
0=R0=S
R
1=
R
, ,
0=S0=Q
, ,
0=R1=S0=Q
1=
R
, ,
1=S1=Q
8 圖中電路，假設 0
=
IN
V， ， ，
DDG VV =V5=
D
D
VFf100
=
C。當V，。當
，
DDO V=A850 μID=
2/
DDO VV =A150
μ
=
D
I。則此電路的V從V降至V所需要的時間約為：
O DD 2/
DD
1 ns
0.5 ns
0.25 ns
0.1 ns
9 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。若輸入信號的頻率為1，則電壓增益V的相
位角度（Phase Angle）為：
)π2/( RC /INO V
90 度
45 度
-45 度
-90 度
Q
G1
G2
S
V
G
V
V
O
IN
C
R
R
-
V
O
V
IN +
C
R
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3
V5
=
z
VkΩ2
1
=
R，R，kΩ6
3
=
RkΩ3
2=
10 如圖所示電路，稽納（Zener）二極體之限電壓為 ，當電阻值 ，
輸出電壓 為：
o
V
R
10V 3
+10 V
-10 V
R
+15V
1
+12 V
R
2
-12 V -
V
o
+
V
z
-15V
11 下列何者屬揮發性記憶體？
Flash Mask ROM DRAM E2PROM
12 對於理想電壓放大器（Voltage Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？
輸入阻抗為 0 輸出阻抗為 0
輸出阻抗無限大 輸出阻抗與電流放大器特性相同
β
13 對一般雙極性電晶體而言，如果 值要大，電晶體的選擇是：
NPN 電晶體，基極寬度要大 NPN 電晶體，基極寬度要小
β
PNP 電晶體，基極寬度要大 NPN 電晶體，基極寬度與 值無關
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成？
基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成
基板表面的少數載體因電場作用形成
以擴散技術在基板表面形成
以離子植入在基板表面形成
15 所謂的本質（Intrinsic）半導體是指：
只有受體（Acceptors）加入 除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質
只有施體（Donors）加入 導電率接近導體的晶體材料
16 如圖所示，不可能表達何種元件？
光遮斷器
光電晶體
光耦合器
光伏特電池（Photovoltaic Cell）
V0
1
=
V
17 如圖所示，二極體的導通電壓為 0.7 V，順向電阻為 100 Ω，則當 、時， 之電壓約
為：
V5
2=Vo
V
5V
1 V
2 V
3 V
4 V
18 下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？
它是操作在足夠大的逆向偏壓下 照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大
它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 元件對光的調變響應可高至微波範圍
20kΩ
1kΩ
V
1
1kΩ
V
V
2o
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4
19 如圖所示的電源供應器，若輸入電源為 120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF，則在
50 Ω負載端的漣波約為：
0.1 V
1 V
1.5 V
2 V
20 如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為 ，最小值為
V5 V5
−
，二極體之導通電壓為
，若 ，則 值為何？
V7.0 V1−=
i
Vo
V
0 V
0.7 V
5 V
-5 V
21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益 99.0
=
α
，其共射極電流增益
β
等於：
99 119 199 200
22 順向偏壓二極體的小訊號電阻 ，與通過二極體的直流電流 ，兩者的關係為：
d
rD
I
∝ ∝
d
rD
Id
rD
I ∝ 兩者間無關聯
d
rD
I/1
23 射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者
正確？
高輸入阻抗，高輸出阻抗 高輸入阻抗，低輸出阻抗
低輸入阻抗，高輸出阻抗 低輸入阻抗，低輸出阻抗
24 在高頻的共射極電晶體電路中， 及分別為 B與E及B與C間之極際電容，下列敘述何者正確？
be
Cbc
C
為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸入電容加大
bc
C
為回饋電容，米勒效應使輸入電容加大
be
C
米勒電容與 及 無關
be
Cbc
C
米勒電容與電壓放大率 無關
V
A
25 圖a為無負載的放大器電路，圖 b為有負載電阻 的放大器電路，圖 c為有電源電阻 及負載電阻
的放大器電路。圖 a、圖 b及圖 c的電壓增益分別為 及 。三個圖中的電壓增益由大到小
順序為：
L
RS
R
L
Rba vv AA ,c
v
A
c
b
av
v
vAAA >> acb vvv AAA >>
bac vvv AAA >> c
b
av
v
vAAA ==
120V
～
60Hz
50Ω
20,000μF
1kΩ
V
-
i
V
o
+
V
V
V
CC CC CC
R
R
R
R
R
R
CC
V
C
V
V
BBB
oo
o
B
BB
R
V
V
S
i
i
V
i
R
R
LL
圖
a
圖
b
圖
c
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5
26 一個 N通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其 的值為：
GS
V
負值 零 正值 正、負皆可
27 圖中電路 而 ，則其 為：
V12=
D
VV2−=
GS
VS
R
1.35 kΩ
2.82 kΩ
3.36 kΩ
5.10 kΩ
28 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數 )/( bc II
=
β
為100，不考慮電晶體集
極到射極的交流輸出阻抗 的影響，則此放大器的輸入阻抗
o
r)/( iii IVZ
=
約為多少？
2.2 kΩ
110 kΩ
220 kΩ
300 kΩ
29 如圖共基極偏壓電路中，求出 與 值。
EQ
ICEQ
V
，
mA50.3=
EQ
IV50.4=
CEQ
V
，
mA50.2=
EQ
IV50.3=
CEQ
V
，
mA75.2=
EQ
IV10.4=
CEQ
V
，
mA50.5=
EQ
IV50.6=
CEQ
V
30 圖中振盪器之振盪頻率約為何？
10
1010 × rad/sec
rad/sec
10
10
9
1010 × rad/sec
rad/sec
9
10
16V
1.8kΩ
91kΩ
12V
V
+
GS -
47kΩ
R
S
+15V
220kΩ
V
i
I
i
V
o
Z
2.2kΩ
i
β
= 60
v
v
o
i
R
R
2.4kΩ
1.2kΩ
EC
10V
4V
V
EE
V
CC
+
-
+-
1nH
2pF
2pF
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6
31 雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指：
隨溫度變化的現象 隨溫度變化的現象
BE
VC
I
隨 逆偏壓改變的現象 隨 偏壓改變的現象
C
IBC
VC
IBE
V
100=
β
2.3kΩ
390kΩ
1.1kΩ 2.3kΩ
24V
圖
a
圖
b
R
s
V
s
V
i
R
L
V
o
V
o
V
s
V
i
R
s
I
b
I
i
I
b
R
L
C
E
I
o
+
+
+
+
- - - -
β
r
e
β
I
b
c
b
V
DD
R
D
D
S
R
S
R
2
R
1
I
G=0A
G
V
GS
V
G
+-
V
GS
I
DSS
I
D
Q-poin
t
V
GG
V
P0
I
D
I
D
I
D
I
DSS
Q-poin
t
Q-poin
t
Q-poin
t
0
0 0
V
P
V
GS
V
GS
V
GS
V
G
V
DD
V
GS(on)
V
GS(Th)
V
GS(Th)
I
D(on)
V
G
V
G
R
S
V
DD
R
D
V
G
R
S
32 如圖 a所示為具有信號源電阻 和負載電阻 的放大器電路，設
s
RL
RΩ6.5
=
e
r，Ω
∞
=
o
，r。圖 b
為在 e
r
β
10kΩ Ω280
=
s
R390 條件下的交流等效電路，其中
>> ，kΩ7.4
=
L
R，則電壓增益 )/( sov VVA
=
約為：
-257 -183 -2.75 -1
33 參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路，選擇正確的工作特性圖：
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7
34 多級放大器的最後一級，因電路與負載之阻抗匹配，常使用何種放大器組態？
共射極（Common Emitter） 共基極（Common Base）
共集極（Common Collector） 共閘極（Common Gate）
V
CC
V
EE
V
1
V
2
V
O
R
1
R
2
R
3
Q1Q2
V
CC
Q1
Q2
V
o
R
C
V
BB
V
in
R
1
R
2
V
i
V
o
C
35 如圖所示電路，電晶體 與 有相同特性，若
1
Q2
QV20
=
CC
VV10
−
=
EE
VkΩ5
321
=
== RRR
，，電阻 ，
，輸出電壓 約為何值？
V0
21 == VV o
V
20 V
15 V
10 V
5 V
36 圖為疊接放大器（Cascode Amplifier），關於其中電晶體 的作用，下列敘述何者錯誤？
2
Q
降低米勒效應
增加放大器頻寬
增加輸出阻抗
降低 電壓
CC
V
37 有關圖中電路之敘述，下列何者正確？
此為低通濾波器 此為高通濾波器
其高頻增益為 2
1
R
R
− C越大則低頻 3
−
dB 頻率越高
-
+
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8
R
3
R
1
R
4
R
5
R
6
R
2
C
2
V
i
V
o
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
C
1
C
2
C
3
C
4
Q1Q2
V
i
V
o
V
CC
Z
i
Z
o
I
B1
I
E1
I
E2
I
B2
I
C2
I
C1
～
Q1與Q2參數值
(1)順向電流轉換比
hfe = β = 100
(2)輸入阻抗
hie = βre = 1kΩ
C
1
38 如圖所示電路，若 ，
38 如圖所示電路，若 ，
kΩ1
21 == RR kΩ2
53
kΩ1
21 == RR kΩ2
53
=
=
RR kΩ3
64
=
=
RR F05.0
1μC
=
， ， ， ，則
輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止？
F15.0
2μC=
-
- +
+
200 Hz 2 kHz 20 kHz 200 kHz
kΩ200
1
=
RkΩ3
32 =
=
RR kΩ2
54
=
=RR
39 如圖所示電路，為兩級串接直接耦合放大器電路，其中 ， ， ，
電晶體 與 之特性相同，其參數值如圖所示，則此電路之小訊號輸入阻抗 及小訊號輸出阻抗
約為：
1
Q2
Qi
Zo
Z
+
-
，
kΩ1=
i
ZkΩ1=
o
ZkΩ1
=
i
ZkΩ2
=
o
Z
，
，
kΩ200=
i
ZkΩ1=
o
ZkΩ200
=
i
ZkΩ2
=
o
Z
，
40 圖中電路之振盪器由三級反相器所組成，若單一級反相器之傳遞延遲為 1ns，則振盪器之振盪頻率約
為何？
Hz10
3
16
×Hz10
6
16
×Hz10
3
19
×Hz10
6
19
×
類科名稱：
102年公務人員初等考試
科目名稱： 電子學大意(試題代號：3514)
題 數： 40題
考試名稱：
標準答案：答案標註#者，表該題有更正答案，其更正內容詳見備註。
測驗題標準答案更正
題號
答案ACCBC BBBAB CBBBB DAC#B
題號
答案ACBAA CCBCA CBDCB DBBBD
題號
答案
題號
答案
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程
備 註： 第19題答Ｂ或Ｃ者均給分。