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102 年特種考試地方政府公務人員考試試題
等 別：五等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：4515
頁次：8
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1
1 若P-N接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？
若A, B 點電壓皆為 5 V，則電阻電流為 0.7 mA
若A點電壓為 5 V，B點電壓為 4 V，則電阻電流為 0.3 μA
若A, B 點為邏輯準位輸入，其布林函數為 Vout = A + B
若A點電壓為 5 V，B點電壓為 0.3 V，則電阻電流為 4 mA
2 分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且 Vi = 4 V，則輸出電壓 Vo約為何？
8 V
6 V
4 V
-6 V
3 圖中理想運算放大器電路的輸出電壓 Vo為何？
3V1 + 2V2
2V1 + 3V2
6V1 + 4V2
4V1 + 6V2
5V
A
B
Vout
1kΩ
1kΩ
1kΩ
6V
-6V
Vo
Vi
+
-
8kΩ
-
+
2kΩ
2kΩ
3kΩ
2kΩ
V1
V2
Vo
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2
4 下圖數位邏輯電路，輸出 F為何？
F = BA +BA
F = BA +AB
F = BA +BA
F = BA +AB
5 下圖的符號為何？
加強型（enhancement）NMOSFET 空乏型（depletion）NMOSFET
加強型（enhancement）PMOSFET 空乏型（depletion）PMOSFET
6 一匹配的 CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為 200 fF，當操作電源為 5 V 時，高準位至低
準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15）
20 ps 40 ps 80 ps 100 ps
7 某0.25 μm製程中，MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比 μn/μp = 3，
要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比 Wn/Wp應為多少？
3 1/3 9 1/9
8 下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？
發光是操作在順向偏壓
是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線
一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製
也是新一代的照明裝置
9 有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？
使用大電容以消除雜訊 避免使用大電阻
降低零件的尺寸大小 低電壓電源
10 在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是：
離子 電子 電洞 原子
A
B F
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3
11 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知
V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸
入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者較正確？
12 圖示整流電路，若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms，二極體導通時的壓降 VD為0.7 V，則 vO的電
壓平均值約為若干？
6 V
8 V
10 V
16 V
D1
D2
U1
Rf
R1
R2
R3
R4
R5
+V
-V
vA
vO
vB
vI
-
+
vO
vI vI
vO
vO
vO
vIvI
A
B B
A
A
B B
A
ac vS
vO
+
-
-+
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4
13 如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？
C2的耐壓為 Vm
C4的耐壓為 2 Vm
D4的峰值反向電壓為 2 Vm
此電路為半波四倍壓電路
14 如圖的二極體電路，二極體 D1、D2具有相同之特性。輸出電壓 VO的值為：
-10 V
0 V
2 V
10 V
15 如圖電路中，D1與D2均為理想二極體。當 VI = -5 V 時，VO的值為：
-5 V
-3 V
+2 V
+10 V
16 有一放大器電路如下圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器。二極體 D1 順向電壓 VD0 = 0.7 V。若電
阻R1 = 1 kΩ，交流電源 V1 = -5 V，試問節點 B的電壓 VB應落在下列何範圍內？
VB≥-4.0 V
-4.0 V > VB≥-4.5 V
-4.5 V > VB≥-5 V
-5.0 V > VB
D1
D2
D4
D3
C1
C2
C3
VO
+
-
+
-
vs=Vmsinωt
D1D2
10V
-10V
VO
10kΩ
15kΩ
+10V
2kΩ
VO
D1
D2
1mA
VI
V1
U1 D1
R1
C
B
A-
+
+
-
～
C4
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17 二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有：
霍爾效應（Hall Effect）與通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）
本體效應（Body Effect）與爾利效應（Early Effect）
齊納效應（Zener Effect）與雪崩效應（Avalanche Effect）
米勒效應（Miller Effect）與溫度效應（Temperature Effect）
18 如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之 ro → ∞，gm = 1 mA/V。若 RS = 0.5 kΩ，
RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益 VO/VI為何？
2 V/V
3 V/V
6 V/V
∞
19 在MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為：
rO∝ID rO∝
D
I
1 rO
∝
D
I
1 rO與ID無關
20 在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向
放大器（Unilateral amplifier）？
射極電阻 信號輸入端的耦合電容（Coupling Capacitor）
集極和射極間的輸出電阻（ro） 基極和集極間的空乏區電容（CBC）
21 在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是：
共射放大器 共基放大器 共集放大器 疊接放大器
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt，爾利（Early）電壓為 VA，當正好工作於三極體區（Triode Region）
與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確：
VGS = Vt VGD = Vt VDS = VGS + Vt VDS = VGS - VA
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓（overdrive
voltage）Vov 的關係為：
ID正比於 1/Vov ID與Vov 無關 ID正比於 Vov ID正比於 Vov
2
24 若MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？
相同過驅電壓（overdrive voltage）條件下，其轉導值（transconductance）與寬長比（W/L）成正比
輸出阻抗與導通電流約成反比
閘極電容與寬長比（W/L）成正比
相同電流條件下，其轉導值（transconductance）與過驅電壓（overdrive voltage）成反比
+VDD
GVO
VIRS=0.5 kΩ
RD=3 kΩ
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6
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2，若電壓 VD為3 V，則電阻 RD應
為若干 kΩ？
4
6
12
24
26 圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中 RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V，
電晶體的 β為100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益
（Common Mode Voltage Gain）約為：
1.0
0.5
0.25
0.125
27 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之
單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？
降低 C值
降低 R值
選用寬長比（W/L）較大之電晶體
增加 Vb
RD
VD
+5V
RC1 RC2
VCC
VEE
VI
+VI
-
VO
Q1Q2
RE
VDD
RC
Vo
Vi
Vb
M1
+
-
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7
28 圖示電路中的電容 CE有何功用？
提升輸入阻抗
提升電壓增益
濾去高頻雜訊
頻率補償
29 一個工作在主動模式（active mode）之 BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為 25 V，IC = 2.5 mA，則
其輸出電阻 rO之值約為：
0.1 kΩ 1 kΩ 10 kΩ 100 kΩ
30 放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？
1.414 0.707 0.636 0.5
31 下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？
RC 相移振盪器 韋恩電橋振盪器 考畢子振盪器 石英晶體振盪器
32 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為10 mA/V，β = 10，
MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求整體轉導增益 Io/Vi？
100/11 mA/V
1000/11 mA/V
11 mA/V
100 mA/V
33 如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，
CGD = 10 fF，CDB = 15 fF，且 VGS-VTH = 200 mV，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 Vo端之
極點頻率為何？（f = 10-15）
2.12 GHz
4.12 GHz
6.12 GHz
8.12 GHz
+VCC
-VEE
RL
RC
CE
RB
vsig
Rsig
+
-
vo
VDD
Io
Vi
10kΩ
VDD
1kΩ
200Ω
Vo
Vin G
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34 差動放大器中的共模斥拒比 CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示：
Ad愈小，Acm 愈大 該差動放大器愈差
愈易消除雜訊 電流源輸出電阻 R0與CMRR 值無關
35 圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容 CE所造成的極點頻率為何？
1/CE/rπ
1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1))
1/ CE/re
1/ CE．(re+(RB||Rsig)/(β+1))
36 某NMOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容 Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF，
且ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干 rad/s？（f = 10-15）
1 G 10 G 50 G 100 G
37 如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體 Q1與Q2之特性同為 VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50，
又VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ則電流增益值 AI =
B1
E2
I
I為何？
50
51
2000
2601
38 一內部補償的運算放大器其直流開路增益為 106，在 1 MHz 時交流開路增益為 60 dB，其 3 dB 頻率
為何？
0.1 kHz 1 kHz 10 kHz 100 kHz
39 一BJT 電晶體 β = 100 操作在 IC = 2 mA，其電容為 Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其 3 dB 頻率 ω。
2×10
7 rad/s 4×10
7 rad/s 8×10
7 rad/s 1×10
8 rad/s
40 某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為 AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓
增益為多少 dB？
80 dB 100 dB 120 dB 150 dB
第一級 第三級第二級
輸入 輸出
RC
VCC
-VEE
CC2
CERL
VO
RB
CC1
Rsig
Vsig -
+
I
R2
VCC
R1
Ci
Vi
IB1
IE1=IB2
Q1
Q2IE2
IC2
Co
Vo
AV1=50 AV2=100 AV3=200
類科名稱：
102年特種考試地方政府公務人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：4515)
題 數：40題
測驗式試題標準答案
考試名稱：
標準答案：
題號
答案DDBAB CBBAB BBCBB CCABD
題號
答案DBDCC CBBCD DACCD CDBCC
題號
答案
題號
答案
備 註：
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程