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101年公務人員特種考試原住民族考試試題
等 別：五等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3508
頁次：8
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1
1 在二極體的I-V關係式ID = IS(-1)中，V
TD VV /
eT為：
爾利（Early）電壓 熱（thermal）電壓
臨界（threshold）電壓 偏移（offset）電壓
2 相較於開路（open circuit）的 pn 接面，逆偏下的 pn 接面：
空乏區寬度減少 擴散電流（diffusion current）增加
空乏區內的位能障礙增加 空乏區內的空間電荷減少
3 利用何種物理實驗效應可以判定出半導體是屬於正（P）型或負（N）型？
霍爾（Hall）效應 光電效應
黑體輻射效應 磁鐵磁性吸引效應
4 若P-N接面二極體之導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。若Vi = 5sinωt (V)，且電容之初始電壓
為0 V，假設不考慮電容內阻，下列敘述何者最正確？
Vi
D1
RC Vo
ω越小，Vo之峰值（peak value）不變，谷值（bottom value）變小
電容越小，V之漣波（ripple）越小
o
ω越大，漣波越大
電阻越大，V之漣波越大
o
5 雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（active region）操作下，其偏壓方式為：
B、E間逆偏，C、B間順偏 B、E間順偏，C、B間逆偏
B、E間及 C、B間均逆偏 B、E間及 C、B間均順偏
6 如圖所示放大器，若電晶體操作於順向主動區（forward active region）且忽略爾利效應（Early effect），
Vi為輸入，Vo為輸出，下列敘述何者最正確？
該放大器為同相放大器
增加直流偏壓Vb可增大增益
減低電阻值（R）可增加電晶體電流
Vi
Vo
VCC
R
Vb
+
-
提高VCC可增加增益
代號：3508
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2
7 若一BJT之射極接面為順向偏壓，其集極端為開路致IC =0，則此電晶體工作在那一個工作模式？
主動模式（active mode） 反向主動模式（reverse active mode）
截止模式（cutoff mode） 飽和模式（saturation mode）
8 圖示為 npn 雙極性接面電晶體（BJT）的特性曲線圖，則橫軸、縱軸的變數分別為：
vBE、iC
vCE、iC
vBE、iB
B
v、iB
BC B
9 當一 n通道增強型 MOSFET，工作於飽和區（saturation region）時，下列何者最正確？
V≦V-V V≦V V≦V V
DS GS tGD tGS t t≦0
10 欲將 MOS 電晶體當作電子開關使用，電晶體應工作於何種區域？
線性區 崩潰區 負電阻區 截止區及飽和區
11 場效電晶體（FET）工作在飽和區（saturation region）的轉導（transconductance）g定義為：
m
DSDS Vv
DS
D
vi
=
∂
∂，即當電壓v固定於V，電流i對電壓v的變化率
DS DS DDS
GSGS Vv
GS
D
v
i
=
∂
∂，即當電壓v固定於V，電流i對電壓v的變化率
GS GS DGS
DGDG Vv
DG
G
vi
=
∂
∂，即當電壓v固定於V，電流i對電壓v的變化率
DG DG GDG
GSGS Vv
GS
G
vi
=
∂
∂，即當電壓v固定於V，電流i對電壓v的變化率
GS GS GGS
12 如圖所示之電路，若MOSFET之轉導值（gm）= 1 mA/V，且操作於飽和區（saturation region），
C2 > C1。下列敘述何者錯誤？
增加C2 將提升低頻之-3 dB頻率（ωL） 1
k
Ω1
k
Ω
VDD
Vo
Vi
V
b
C2
M1
C1
I
+
-
減少C1 將提升低頻之-3 dB頻率（ωL）
本電路為同相放大器
加大gm將提升放大器之低頻-3 dB頻率（ωL）
13 如圖的共集（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式（active mode），其小
訊號參數gm、r、r均為已知，輸出電阻r→∞，則此放大器之輸入電阻R
eπoin（不含R）為：
L
rπ + R
Rsig
VCC
Vo
Vi
Rin RL
Vsig +
-
L
r + R
eL
(β+1)(rπ + RL)
(β+1)(re + RL)
代號：3508
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3
14 理想電壓放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為：
∞、∞ 0、∞ ∞、0 0、0
15 如圖所示之電路，若BJT操作在順向主動區（forward active region），轉導值（gm
VCC
Vo
Vi
Vb
1 kΩ
10 kΩ
+
-
）為 10 mA/V，β=40，若
忽略元件之輸出阻抗（ro），試求V / V
o i=？
-100
-80
-50
-20
16 雙極性接面電晶體（BJT）共射接線組態下，射極–地間的電阻常並聯一電容（Emitter bypass capacitor），
此電容之目的為：
降低射極的直流電壓 升高射極的直流電壓
提高輸入電阻值 改善電壓增益
17 如圖之MOS差動放大器（differential amplifier），Q1=Q2，其臨界電壓（threshold voltage）Vt=0.5 V，爾
利電壓（Early voltage）VA→∞。當V=V
G1 G2=0 時，若電晶體工作於飽和模式（saturation mode），其汲
極電流ID與閘源電壓VGS的關係為ID=2(VGS-Vt)2(mA)。則當V=V =0 時，R
G1 G2 D之最大值可為多大，而仍可
維持電晶體工作於飽和模式？ +2 V
3 kΩ
RDRD
4 kΩ
5 kΩ VG2
VQ2
Q1
G1
6 kΩ VS
I=1 mA
-2 V
18 圖示電路中vo為輸出電壓，本電路是何種電路？
濾波器
加法器
緩衝器
VDD
Q3Q4
vo
vG2
-VSS
vG1 Q1Q2
I
差動放大器
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4
19 如圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（saturation region）且轉導值（gm）為A/V；BJT操作在
順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為A/V，β=100。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試
求Vo/Is=？
-1000 kΩ
-500 kΩ
10
-250 kΩ
VDD
Vo
10 kΩ
kΩ
1 kΩ
Q1
M1
IS
Vb-
+
-125 kΩ
20 某串級放大器，若第一級電壓增益為 40 dB，第二級電壓增益為 20 dB，則總電壓增益為何？
20 dB 60 dB 800 dB 1000 dB
21 圖中理想運算放大器電路的放大增益為何？
4.5 V/V
5.5 V/V
+
-
2
k
Ω
Vi
18
k
Ω
2
k
Ω
Vo
9 V/V
10 V/V
22 考慮下圖理想運算放大器電路，若運算放大器的輸出電流io=0.2 mA，電晶體的電流增益β=99，則電
阻R應為多少？
250 Ω
500 Ω
750 Ω
+5 V
+20 V
R
i
o
1 kΩ
23 有一電路如下圖所示，若Z2 為純電容，Z1 與Z3~Z5 均為純電阻R，所有阻抗Z1~Z5 的絕對值均相等
且不為零，且所有放大器U1 及U2 均為理想運算放大器，V1 為交流電源。試問等效輸入阻抗Zin為何
？
純電感+jX
純電容-jX
3
Zin
E
電感性阻抗 R+jX DB
A
Z4
Z5
U1
U2
Z2
Z1
V1 C
1
2
+
+ 1
2
3
+
Z3
3
-
-
電容性阻抗 R-jX
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24 如圖所示之理想運算放大器電路，假設輸入為一弦波（sinusoid）訊號，Ao = ∞，RC = 10 ns，且此電
路放大輸入訊號之大小 10 倍，則輸入弦波之頻率約為何？
Vin
R
C
Vou
t
A
o
0.8 MHz
1.2 MHz
1.6 MHz
3.2 MHz
25 如圖為一 MOSFET 共源極架構放大器，假設電晶體之爾利電壓（Early voltage）為無窮大，下列何者
不是其低頻響應的極點頻率？
)(
1
1sigGC RRC +
S
m
C
g
)(
1
2LDC RRC +
Rsig
+
-
VDD
Vo
C
C1
RD
RL
-VSS
C
C2
))((
1
21 LDGCC RRRCC +++
26 下圖中R1 = 4 kΩ、R2 = 6 kΩ、C1 = 1 pF。則此電路之-3 分貝頻率約為多少？
15.9 MHz
26.5 MHz
39.8 MHz
66.3 MHz
27 有一放大器電路的頻率響應轉移函數（transfer function）F(s)如下所示，其中 s =
j
ω = j2πf：
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
×
+
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
×
+
=
52 102
1
102
1
10
)(
ππ
ss s
sF ，
若繪製相角∠F(s)的波德圖（Bode plot），試問在頻率 f =100 kHz 時的相角應落在下列何範圍內？
+50°到+100°之間 0°到+50°之間 -50°到0°之間 -100°到-50°之間
28 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，且電晶體特性為理想，求使其電壓增益下降為最
大增益之 90%時之頻率為何？
47.1 MHz
57.1 MHz
67.1 MHz
77.1 MHz
VDD
Vo
1 pF
Vin
1 kΩ
Vsig
Rsig
C
S
RG
I
+
-
R
1
Vi
R
2
C
1
Vo
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29 圖中為一韋恩電橋（Wien bridge）振盪器，要維持持續的振盪，所需的電阻 R值為何？
10 kΩ
15 kΩ
20 kΩ
60 kΩ
30 下圖是那一種振盪器電路？
考畢子振盪器（The Colpitts Oscillator）
+VCC
R2
R1
C1C2C3
Vo
C4
R4
R3
C5
L2
L1
克拉普振盪器（The Clapp Oscillator）
哈特萊振盪器（The Hartley Oscillator）
韋恩電橋振盪器（The Wien-bridge Oscillator）
31 某一LCR被動式濾波器（passive filter）如下圖所示，試問該電路VO/VI轉移函數（transfer function）的
數學表示式為何？
2
0
0
2
2
0
2
0
)(
ω
ω
ω
++
+
=≡
s
Q
s
s
a
V
V
sT I
O
VIVO
vi
L1
C3
R2
IO1 IO2
+
-
2
0
0
2
2
0
)(
ω
ω
++
=≡
s
Q
s
s
a
V
V
sT I
O
2
0
0
2
0
)(
ω
ω
++
=≡
s
Q
s
s
a
V
V
sT I
O
2
0
0
2
0
1
)(
ω
ω
++
=≡
s
Q
s
a
V
V
sT I
O
32 如圖所示之理想運算放大器振盪電路，其振盪頻率為何？
100 Hz
0.1μF
0.4μF
R
1
R2
Vo
1
k
Ω
4
k
Ω
200 Hz
300 Hz
400 Hz
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7
33 下列關於傳輸延遲的描述何者最正確？
傳輸延遲愈大代表操作速度愈快
高至低傳輸延遲定義為輸出由高邏輯電壓從其 90%下降至其 10%所需的時間
傳輸延遲不受負載電容的影響
當功率消耗增加，傳輸延遲就會隨之增加
34 下圖由四個 NOR 閘組成之數位邏輯電路，其輸出 F為何？
YXYXF +=
YXXYF +=
X
Y F
YXYXF +=
XYYXF +=
35 數位邏輯電路可分為下拉網路（pull-down network）與上拉網路（pull-up network）兩部分，今有一
邏輯閘使用 NMOS 電晶體製作下拉部分，如下圖所示。試設計上拉部分 PMOS 電晶體互補的連線：
VDD
Y
MP1 MP2
MP3
MP4
？
MN1
？
？
？
MN4 MN3
MN2
A
B
B
A
A接MP1、B接MP2、 接 MP3、 接 MP4
A B
接MP1、A接MP2、B接MP3、 接 MP4
A B
A接MP1、B接MP2、A接MP3、 接 MP4
B
A接MP1、B接MP2、 接 MP3、B接MP4
A
36 如圖所示之電路，若 A=5 V，B=C=D=0 V，則下列何者最正確？
I =0 mA
IE5
IE1IE3
A B
18 kΩ 18 kΩ
2.5 kΩ
D
C
5 V
Y
E1
I =0.239 mA
E3
I =1.72 mA
E5
VY =5 V
代號：3508
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8
37 如圖所示之電路為一 n-bit 之位址解碼器（address decoder）。假設一記憶體安排為方形陣列（square
array）型式，而行與列之位址解碼器採用如圖所示之方式，求 4K 記憶體所需之解碼器電晶體數目為
何？
384
a2
V
D
D
X
a1
a0
564
896
1024
38 有一感知放大器（sense amplifier, SA）細部的電晶體電路如下圖所示，並顯示出等效寄生的電容CD
、D
C
。當 時 脈 Φ S=0 時，感知放大器不動作；當時脈ΦS=1 時，感知放大器才會動作。設每一對PMOS-NMOS
串聯路徑的轉移特性（voltage transfer characteristic, VTC）經適當設計後，其轉態的輸入準位為 0.5
VDD，如下圖所示。若時脈ΦS=由0轉成 1之前，已知位元信號線D、的電壓分別為V=0.4 V
D、
DDD
D
V=0.6 V =1 後，試分析位元信號線D、 最終穩定的電壓：
D
，當時脈Φ
DD S
VDD
MP2
VD
CD
D
MN1 MN2
MN3
MP3
MP1
ΦS
D
C
D
V
D
s
Φ
0.5 VDD
0.5 VDD
斜率=-1
斜率=-1
VDD
VDD
信號線D最終穩定的電壓接近 0 V、信號線 最終穩定的電壓接近V
DDD
信號線D最終穩定的電壓接近 0.3 V 最終穩定的電壓接近 0.7 V
D
、信號線
DD DD
信號線D、 最終穩定的電壓接近 0.5 V
DDD
信號線D最終穩定的電壓接近 0.6 V 最終穩定的電壓接近 0.4 V
D
、信號線
DD DD
39 下列有關於 DRAM 電路儲存資料方式的描述何者最正確？
資料儲存於電容 資料儲存於正反器（flip flop）
資料儲存在閂鎖器（latch） 資料儲存於電感
40 記憶體晶片在 5 V 電源下，以 100 ns 週期連續操作，晶片功率消耗為 400 mW，在任一週期中有動作
的所有邏輯的總電容約為何？
0.8 nF 1 nF 1.6 nF 2 nF
類科名稱：
101年公務人員特種考試原住民族考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：3508)
題 數：40題
測驗式試題標準答案
考試名稱：
標準答案：
題號
答案BCAAB BDBBD BADCB DCDCB
題號
答案DAACD DCDBC DDBBA CCAAC
題號
答案
題號
答案
備 註：
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程