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101年特種考試地方政府公務人員考試試題
等 別：五等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：4513
頁次：8
－
1
將與下列何種訊號成正比？
1 如下圖所示之差動放大器，其輸出電壓Vo
V1
V2
V1＋V2
V1－V2
IC2
VCC
IC1
V1V2
RR
+-
Vo
21 QQ
=
2 如下圖之MOS差動放大器（Differential Amplifier）， ，其臨界電壓（Threshold Voltage）
，爾利電壓（Early Voltage）V
V5.0Vt=0VV 2G1G
=
=
∞
→。當
A時，若電晶體工作於飽和模式
（Saturation Mode），其汲極電流I2
D與閘源電壓 的關係為
GS
V )VV(2I tGSD −
=
(mA)。則輸入之
共模電壓（Common-mode Voltage）VCM之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？
0.5 V +2V
-2V
VG1 VG2
RDRD
Q1Q2
Vs
I=1mA
1 V
1.5 V
2 V
3 在材料實驗室新領到 MOSFET IC 時，常見到此 IC 腳擺置在 IC 套管內，其主要目的是：
增加價值感 證明它是新品 避免因靜電而遭破壞 增加美觀
4 在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）V的影響最小：
t
ox
ε
通道的寬長比 W/L 氧化層的介電常數
氧化層的厚度 半導體的雜質濃度 N
ox
t
GSD vi
−
5 某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 關係如下圖所示，則此 FET 為：
增強型 NMOS iD
0
V
tvGS
增強型 PMOS
空乏型 NMOS
空乏型 PMOS
代號：4513
頁次：8
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2
6 如下圖所示之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode Region），下列何種調整方式可使電晶體進
入飽和區（Saturation Region）？ VDD
R1
M1
R2
Vo
Vi
V
b
+
-
～
增加 R1
增加 Vb
選用寬長比（W/L）較大之 MOSFET
增加 R2
7 如下圖電路，設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓V為何？
o
5 V +6V +10V
10kΩ
10kΩ10kΩ
10kΩ
Vo
4 V
3 V
2 V
8 利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為高值，則表示
此二極體的狀況最可能是：
正常 短路 斷路 無法判斷
9 關於 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？
P型區域為加入三價雜質 N型區中空乏區離子帶負電
順向偏壓時擴散電容增加 逆向偏壓時空乏電容減少
10 下列何者是形成 pn 接面位能障礙（Barrier）的主要原因？
空乏區內的磁場 空乏區內的電場 空乏區內的電容 空乏區內的電感
11 雙極性接面電晶體I逆向電流受環境溫度之影響是：
CBO
溫度每下降 1℃時，則增加 1倍 溫度每上升 1℃時，則增加 1倍
溫度每下降 10℃時，則增加 1倍 溫度每上升 10℃時，則增加 1倍
12 如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設 C為無窮大且忽略爾利效
應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？
該放大器為反相放大器
R1
Vo
VCC
Vi
V
b
I
b
Q
C
+
-
～
增加 R1 則增益減少
增加電流 Ib 可增加增益
增加VCC可減少增益
代號：4513
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3
13 如下圖所示電路，何者提供直流偏壓的負回授？
RB1
RB2 RE
VCC
RB1 RC
RB2
RC
RE
B、I
14 當一BJT電晶體工作在主動模式（Active-Mode）時，IBC、IE間之大小關係為何？
BCE III >> EBC III << BCE III
=
=
CEB III <<
15 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸出阻抗最小？
共基極組態 共射極組態 共集極組態 射-基極組態
16 共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為：
爾利效應（Early Effect）
通導長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）
溫度效應（Temperature Effect）
米勒效應（Miller Effect）
40
=
β
17 如下圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值(gm)為10 mA/V，，
若忽略元件之輸出阻抗 ，試求
)r( o
=
io V/V ？
Vo
VCC
Q
Vi
Vb
+
-
1kΩ
10kΩ
10/11
82/83
400
410
18 如下圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 、 、
及輸出電阻 均為已知，各外加電容均極大。若電晶體之
m
ge
r
π
r
i
o
vv
v
A≡
o
r
∞
→
o
r
1
≅
α
為：
，，則電壓增益
BmRg
BC RR /+VCC
Vi
RBCE
Vo
RC
I
-VEE
π
rRC/
T
CVIR /
代號：4513
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－
4
∞
=
o
A
19 如下圖所示之理想運算放大器電路，其中 ，求輸出電壓為何？
-2V
2V
6V 2
R
R
2
R
+
-
AoVout
-6V
-10V
-12V
20 有一放大器電路如下圖所示，放大器 為理想的運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V
之間，二極體 順向電壓 。若電阻
1
U
1
D V7.0V 0D =kΩ1R1
=
V5V1
=
，交流電源 ，試問節點 C的輸出
電壓 應落在下列何範圍內？
C
V
C
VV0.5 ≤
V5VV5.4 C<≤
B
A
I01 I02
R1
V1
U1
D1
C
+
-
～
+
-
1
2
3
V5.4VV0.4 C<≤
V0.4VC<
21 下圖中電路的放大器為一理想運算放大器，此電路的輸入電阻為何？
10 kΩ
30 kΩ
V
i
V
o
50kΩ
20kΩ
10kΩ
+
-
60 kΩ
80 kΩ
22 下圖中為一轉阻放大器，其電壓輸出 為何？
o
V
-2 V
2kΩ
5kΩ
1mA
V
o
+
-
2 V
-5 V
5 V
2
/5.0
2
1VmA
L
W
Coxn =
μ
0
=
γ
23 如下圖所示之電路，其 MOS 電晶體參數： ， ，
VVTN 4.0=0=
λ
， ；
假如 ， V3.3=
φ
VvI3.3=，求準穩態（quasi steady-state）輸出電壓為何？
2.4 V
C
L=1
pF
v
o
v
I
φ
φ
φ
2.9 V
3.3 V
3.6 V
代號：4513
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5
24 有一邏輯閘電路如下圖所示，其中數位邏輯閘使用整個電路相同的電源 與接地，但並未顯示於
此電路圖中，而且輸入電壓大致以 為高低準位的判斷界限。設 NOR 閘 、 的延遲時間
DD
V
2/VDD 1
U2
U
NOR
τ
遠小於電阻 R電容 C所組成的時間常數 RC
RC
=
τ
，今於 A點輸入一脈波如下圖所示，其中
1代表高準位，0代表低準位，此脈波在第Ⅱ區的寬度 RC
t
τ
>> 。試研判針對輸出 Y的波形何者描述
最為可能？
t
A
1
00
ⅠⅡ Ⅲ
Y在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的低準位輸出
Y在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的高準位輸出
Y在第Ⅱ區為穩定的低準位輸出
AU1
V1
RC
X
VDD
B
Y
U2
Y在第Ⅱ區為穩定的高準位輸出
25 下圖電路為一個使用增強型 PMOS 及NMOS 所組成之邏輯閘電路，請問此電路所實現之輸出 Y為何？
D)BCA(Y +=
D)CB(AY ++=
V
DD
A
D
B
C
Y
D)BCA(Y +=
D)CB(AY ++=
26 下圖 CMOS 邏輯閘的輸入端為 A和B，輸出 Y以正邏輯表示為何？
ABY =
BAY +=
Y
A
B
BA
ABY =
BAY +=
27 有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25mV，IC=1mA，則該BJT之小訊號參數rπ值為：
25Ω 250Ω 2.5kΩ 25kΩ
代號：4513
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－
6
28 在BiCMOS 的數位電路中，使用 BJT 電晶體是基於它的那一個優點？
低消耗功率 高輸入阻抗 寬雜訊邊界 高電流驅動能力
29 下列那一種記憶體在儲存資料設定後不會再更改？
ROM DRAM SRAM Flash Memory
30 下圖為交換電容積分器電路（Switched-Capacitor Integrator），已知 為理想運算放大器， 1
Φ
1
U與2
Φ
為
不重疊的雙相時脈（Nonoverlapping Two-Phase Clock），用來控制電晶體 的開關狀態。若
欲獲得反相輸出，試問 、 與C之時脈如何規劃？
41 M~M
A B
C2
2
A
Φ
=；1
B
Φ
=；2
C
Φ
= 2
A
Φ
=
；2
B
Φ
=
；1
C
Φ
=
1
A
Φ
=；2
B
Φ
=；2
C
Φ
= 1
A
Φ
=
；1
B
Φ
=
；2
C
Φ
=
31 一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其過驅電壓（Overdrive Voltage）VOV增為兩
倍，則其汲極電流ID會如何變化？
增為 4倍 增為 2倍 減為一半 減為四分之一
32 下圖中高通濾波器運算放大器電路， 下，其高頻增益為 15
，低頻響應之角頻率
kΩ20R1=)(
ω
為5×103 rad/s，試求 及 值為何？
2
RC
，
kΩ280R 2=nF10C =
，
kΩ300R 2=nF10C =
，
kΩ280R 2=pF10C =
，
kΩ300R 2=pF10C =
33 如下圖所示之理想運算放大器振盪電路， mHL 1
=
，C1 = C2 = 30pF，若不考慮 對回授網路之負載
效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？
1
R
0.6 MHz
0.9 MHz
1.3 MHz
1.9 MHz
R
2
R
1
V
i
V
o
C
-
+
R
2
R
1
V
o
L
C
1
C
2
+
-
Φ
1
Φ
2
Φ
1C
C
V1
i
U
-1I02
I01 M1M4
M2M3
2
+3
+V
1 o
-
～A
VB
1
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7
nF1
=
C
34 下圖振盪器電路中，若 、
kΩ100
1=RkΩ200
2
=
RkΩ100
3
=
R，則振盪頻率約為多少？
、 及
530 Hz
-
+
+
-
R
2
R
3
R
1
V
o
C
-
-
+
+
1.5 kHz
5 kHz
10 kHz
100
=
β
mA.IC8380
=
35 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區， ， ，
mVVT26=，
，，忽略爾利（Early）效應以及其它電容效應，求輸入端之-3 dB 頻率為何？
pF3=
μ
C
pF24C =
π
123 MHz
V
in
V
o
R
L
R
C
R
B
C
B
→
∞
C
C2
→
∞
C
C1
→
∞
10
k
Ω
-10
V
+10
V
1
k
Ω
223 MHz
323 MHz
423 MHz
36 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容
效應，假使此 BJT 之轉導（transconductance）為 70 mA/V，100
=
β
，求此電路之轉折（corner）頻
率為何？
V
CC
V
o
R
C
50
k
Ω
10
k
Ω
1
μF
V
in
131 Hz
231 Hz
331 Hz
431 Hz
fjjs
π
ω
2=
=
37 有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中 ：
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
×
+
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
×
+
×
−
=
43
5
104
1
106
1
102
1
)(
ππ
π
ss
s
sF
試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？
高通響應（High-Pass Response） 低通響應（Low-Pass Response）
帶通響應（Band-Pass Response） 帶斥響應（Band-Reject Response）
代號：4513
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－
8
38 下圖中 、
kΩ1
1=RkΩ1
2
=
R、 。則此電路之-3分貝頻率約為多少？
μF1
1=C
40 Hz
R
1
C
1
V
i
V
o
R
2
+
-
80 Hz
120 Hz
160 Hz
39 如下圖為一 MOSFET 共源極架構放大器，下列何者是其高-3 dB 頻率？
V
DD
R
)))||(1((
1
Lomgsgdsig RrgCCR ++ )))||(1((
1
Lomgdgssig RrgCCR ++
))R||r(g1)(CC(R
1
Lomgdgssig ++ ))R||r(g/1)(CC(R
1
Lomgdgssig ++
40 如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值 為 1 mA / V。若忽
略元件之輸出阻抗 ， 為V
)g( m
)r( o o
Vo+及Vo-間之壓差， 為V
i
Vi+及Vi-間之壓差，試求Vo / Vi =？
10/3
20/3
5
10
-
V
SS
Vi-
Vo +
Vi +
Vo-
VDD
10kΩ
10kΩ
1kΩ1kΩ
2kΩ
20kΩ
V
o
D
C
C2
C
S
R
G
I
R
sig
C
C1
V
sig +
-
R
L
類科名稱：
101年特種考試地方政府公務人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：4513)
題 數：40題
測驗式試題標準答案
考試名稱：
標準答案：
題號
答案DCCAC DBCBB DCDAC DBDCA
題號
答案AABDC DCDAB ABCCB ABBBA
題號
答案
題號
答案
備 註：
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程