加載中. ..
PDF
1
0
8
年
特種考試地方政府
等 別
：
五等考試
類 科
：
電子工程
科 目
：
電子學大意
考試時間
：
1小時
※注意：本試題為單一選擇題，
請選出
共40題，每題2.5分，
須用
可以使用電子計算器。
1某FET 工作在飽和區（
Saturation Region
增強型 NMOS
增強型
2下列有關矽 PN
接面二極體的敘述
二極體為順偏且固定電壓時
二極體為
順偏且固定電流時
二極體逆偏崩潰
電壓若大於
二極體的飽和電流之溫度係數為負值
3一個電壓 v對時間 t
的函數為
square value）：
3.54伏特 5
伏特
4如圖所示為一 CMOS 反相器
，
QN之小信號轉導 gm= 1 mA/V
，
求小信號增益 vo/vi（
選最接近之值
-10 -18
5如圖所示之電路，OP AMP
為理想
R/2
3R/2
特種考試地方政府
公務人員考試試題
座號
請選出
一個正確或最適當的答案，複選作答者，
該題
須用
2B鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，
於本試題上作答者
Saturation Region
），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|
是汲極電流之大小
增強型
PMOS 空乏型 NMOS
接面二極體的敘述
，何者正確？
二極體為順偏且固定電壓時
，電流會隨溫度上升而上升
順偏且固定電流時
，電壓會隨溫度上升而上升
電壓若大於
20 V，崩潰電壓之溫度係數為負值
二極體的飽和電流之溫度係數為負值
的函數為
v(t) = 20 + 5 sin(2πft) V，f=60 Hz。求其 AC
信號的均方根值
伏特
7.07伏特
20
，
在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ
之電阻作為放大器之用
，
ro = 30 kΩ；而電晶體 QP之小信號轉導 gm
= 0.5 mA/V
選最接近之值
）。
-30
為理想
。求 vi/i。
3R/2
2R
0
Vt
|i
D
|
vGS
V
DD
Q
P
Q
N
C=∞C=∞
vo
v
i
1M
Ω
v
o
v
i
i
R
R
3R
2R
座號
：
該題
不予計分。
於本試題上作答者
，不予計分。
代號：
4513
頁次：
8
－
1
是汲極電流之大小
，則此 FET 為：
空乏型 PMOS
信號的均方根值
（root mean
20
伏特
之電阻作為放大器之用
。若電晶體
= 0.5 mA/V
，ro = 20 kΩ，
-75
3R
代號：
4513
頁次：
8
－
2
6如圖，CMOS
場效電晶體的輸入端
拉上（pull-up）至 VDD
VDD/2
7有一個時間常數為 1 ns，
電容值為
（duration）5 ns 的方形波。
設此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號
無窮大 10
kΩ
8在印刷電路板上的數位 IC，
其電源接腳旁經常有一顆
增加電流量
提高工作速度
9有一放大器電路如圖所示，
放大器
間，二極體 D1、D2
順向電壓均為
兩個二極體導通的狀態為何？
二極體 D1、D2 均導通
二極體 D1 導通、二極體
D2
10 如圖所示之電路，
運算放大器為理想
2.5 kΩ
5 kΩ
場效電晶體的輸入端
vI接地時，其輸出端 vo
是處於下列何種狀態
拉下（pull-down）至地
QP與QN皆關閉，
輸出浮接
電容值為
100 fF 的RC 低通濾波器，
設其驅動電壓是一個振幅
設此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號
，
則此
kΩ
1 kΩ
其電源接腳旁經常有一顆
0.1 μF 的電容器，
其作用是下列那一項功能
消除電源線中的雜訊干擾
減少功率消耗
放大器
U1 為理想運算放大器，
其輸出電壓範圍侷限在
順向電壓均為
VD＝0.7 V，電阻 R1、R2、R3 均為 1
kΩ
二極體 D1、D2
均不導通
D2
不導通 二極體 D1 不導通、
二極體
運算放大器為理想
，求此電路之輸入阻抗值為何？
5 kΩ
7.5 kΩ
V
DD
Q
N
QP
vIv
o
R2
R
1
B
A
C
D1
D
D2
U1
R3
VI
5kΩ
2.
5kΩ
V
out
Vin
Z
i
是處於下列何種狀態
？
輸出浮接
設其驅動電壓是一個振幅
10 V，寬
則此
濾波器之電阻值為何？
100 Ω
其作用是下列那一項功能
？
消除電源線中的雜訊干擾
其輸出電壓範圍侷限在
+10 V 與-10 V 之
kΩ
，電源 VI＝-5 V，試問
均不導通
二極體
D2 導通
10 kΩ
11 如圖所示之放大器電路，
其中二極體及運算放大器均為理想
12 有一差動放大器，
其一端輸入
共模拒斥比（CMRR）為 10
，
9.5 mV
11.5 mV
13 圖示的二極體-
電容器倍壓電路於穩定狀態時電容器
之峰值逆向電壓 PIV1 與
PIV2
VC2=10 V
PIV1=20 V
14 橋式整流-電容濾波電路（
二極體為理想且
1.414%，若負載電阻 R
改變為原先的
0.707倍1
倍
15 如下圖所示，若稽納二極體
（
位電路正常工作？
16V14
V
V
out
V
in
其中二極體及運算放大器均為理想
。
此電路之電壓轉移特性圖為下列何者
其一端輸入
Vi1＝100 μV，另一端輸入 Vi2＝50 μV，
且此放大器之
，
則其輸出電壓為何？
11.5 mV
13.5 mV
電容器倍壓電路於穩定狀態時電容器
C1所跨電壓 VC1=10 V
，
PIV2
的敘述何者錯誤？
PIV1=20 V
PIV2=20 V
二極體為理想且
RC
時間常數遠大於輸入信號週期
改變為原先的
1.414 倍且漣波因素為 1%時，
電容值
倍
1.414倍
2.828
（
Zener diode）的 VZ＝10 V，輸入電壓 Vi
為多少才可使此稽納二極體箝
V
12 V
V
out
V
in
R
L
V
out
V
out
V
in
V
in
VC1
V
C2
PIV1
PIV
2
C
1
C2
D
2
D
1
N
1
：N
2
V
O
V
i
R
1
R2
20kΩ
10
kΩ
V
Z
代號：
4513
頁次：
8
－
3
此電路之電壓轉移特性圖為下列何者
？
且此放大器之
Acm 為20，而
15.5 mV
，
下列有關 VC2，D1及D2
VC2+PIV2=40 V
時間常數遠大於輸入信號週期
）中之漣波因素為
電容值
C需為原先的多少倍？
2.828
倍
為多少才可使此稽納二極體箝
10 V
V
out
V
in
代號：
4513
頁次：
8
－
4
16 「橋式整流電路」
中二極體之反向峰值電壓
體的：
兩倍
一樣大
17 下圖為一整流器，
若各二極體之導通電壓皆為
若輸出漣波電壓< 0.1 V，
C=100 μF
50 kΩ
500 k
18 下圖中二極體 D1 與D2
之導通電壓為
為0.7 V，崩潰電壓皆為 5 V
，
正確？
vo(t)之振幅為 10 V vo
(t)
19 理想箝位電路及其輸入信號 vi
(
6 8
20 圖示由理想二極體構成電路
，
7mA 4
mA
21 雙極性電晶體（BJT）
共基極電流增益
β=α/(α-1)
β= (α
6
-4
中二極體之反向峰值電壓
（PIV）值大約是「
變壓器中間抽頭式整流電路
一樣大
一半
若各二極體之導通電壓皆為
0V，導通電阻皆為 0 Ω，
輸入信號為弦波
C=100 μF
，則電阻 R之最小值為何？
500 k
Ω 5 MΩ
50 M
之導通電壓為
0.7 V，導通電阻為 0 Ω，稽納
二極體
，
導通電阻為 0 Ω。輸入信號為弦波，vi
(t)= 10 sin 10t
(t)
之振幅為 5.7 V vo(t)之振幅為 4.3 V
(
t)如圖，則該二極體 D承受的最大逆向電壓
PIV
10
，
若電阻 R為1 kΩ，則電流 I為多少毫安（
mA
mA
2 mA
共基極電流增益
α與共射極電流增益 β，
兩者之關係為
β= (α
-1)/α β=α/(1-α)
v
o
v
s
R
C
D
1
D
3
D
4
D
2
100
Ω
D2
D
1
Z1
Z2
vo
vi
+
－
－
+
vi(t)
vo(t)
vi(t)
t
D
C
2V
R
v
O
I
+1 V
+
2
V
+
4
V
R
變壓器中間抽頭式整流電路
」中二極
四分之一
輸入信號為弦波
，vs(t)= 5 sin (10πt) V，
50 M
Ω
二極體
Z1 及Z2 之導通電壓皆
(t)= 10 sin 10t
V，下列敘述何者
vo(t)之振幅為 0.7 V
PIV
約為多少伏特（V）？
12
mA
）？
1 mA
兩者之關係為
：
β=α/(1+α)
22 如圖所示二極體電路，
假設二極體導通電壓
C=47 μF、VDC=3 V、R
為無窮大
-3.7 V -
4.3
23
請問如圖所示放大器之集極電流
0.7 V。
0.3 mA
3 mA
24 若將雙極性電晶體（BJT）
的集極與射極對調使用
耐壓提高，增益降低
耐壓不變
25 圖中電晶體 M1 之μnCox(W/L
)=0.5
在飽和區，Vo= 4V，則 R
值為何
1kΩ 1.8
k
26 圖中電晶體 M1 之μnCox(W/L)1
= 0.5 [
效應，則 Vo=？
4.9 V
4.8 V
D
C
v
S
V
DC
假設二極體導通電壓
VD=0.7 V。已知電壓 vs(t)
為方波
為無窮大
，在穩態時，輸出 vO
電壓的最大負值約為多少
4.3
V-6.3 V
請問如圖所示放大器之集極電流
IC為何？假設電晶體之電流增益 β為100
，
3 mA
0.7 mA
的集極與射極對調使用
，則下列何者正確？
耐壓不變
，增益降低 耐壓降低，增益不變
)=0.5
mA/V2，臨界電壓 VT=0.8 V，
若忽略通道調變效應且
值為何
？
k
Ω 2.2 kΩ
= 0.5 [
μnCox(W/L)2]= 0.5 mA/V2，臨界電壓 VT
=0.8
4.8 V
2.8 V
R
vO
v
D
i
D
v
S
VD
10
ms
8
ms
10kΩ
1.0V
β=100
I
C
1kΩ
5V
M1
R
V
o
5V
M1 M2
Vo
100Ω
1mA
代號：
4513
頁次：
8
－
5
為方波
，波形如下右圖所示、
電壓的最大負值約為多少
？
-8.3 V
，
基極與射極導通壓降為
7 mA
耐壓降低，增益亦降低
若忽略通道調變效應且
M1 維持操作
4 kΩ
=0.8
V，若忽略通道調變
0.1 V
12
V
0
V
t
代號：
4513
頁次：
8
－
6
27 圖中電晶體 M1
操作在飽和區
|vo/vs| =？
100 10
28
將圖示放大電路的電晶體輸入特性以定壓降
該電阻 RB約為多少？已知 RC
= 1
1.5 kΩ
10 kΩ
29 圖示之增強型 MOSFET
放大器中
Vth= 1 V 且μnCox(W/L)
=2 mA/V
8 V 6 V
30 增強型 MOSFET
分壓式偏壓共閘極放大器中
R2= 400 kΩ、R3= 1.5 kΩ 及R
4
幅3 V，
求輸入小信號之振幅約為多少
大工作區。
0.03 V
0.06 V
操作在飽和區
，輸出阻抗 ro= 10 kΩ，轉導值 gm
=10 mA/V
90/11
將圖示放大電路的電晶體輸入特性以定壓降
0.5 V 模型化後，
如果想要得到
= 1
kΩ。
10 kΩ
15 kΩ
40
放大器中
，MOSFET 的輸出直流偏壓 VDSQ
等於多少
=2 mA/V
2。
5 V
分壓式偏壓共閘極放大器中
，MOSFET 的μnCox(W/L)
= 4 mA/V
4
= 3 kΩ，測得流經電阻 R3
的直流偏壓電流為
求輸入小信號之振幅約為多少
？其中，
該放大器之偏壓電路等可提供該
0.06 V
0.25 V
1
kΩ
v
o
v
s
I
VDD
M1
C=∞+
－
R
C
10V
2
V
R
B
ICQ
I
BQ
IB(μA)
V
B
E
(V)
0.5
β
=50
12V
VDSQ
1.5kΩ
6MΩ
2MΩ
V
DD
v
o
v
i
R
1
R
2
R
3
R
4
CG
C
D
C
S
=10 mA/V
，電流源 I為理想，則
5
如果想要得到
5 V 的輸出直流工作點，
40
kΩ
等於多少
？電晶體的臨界電壓
4 V
= 4 mA/V
2，電阻值 R1 = 800 kΩ、
的直流偏壓電流為
2 mA 及輸出弦波信號振
該放大器之偏壓電路等可提供該
MOSFET 正確的放
0.5 V
31 圖示雙極性接面電晶體（BJT
）
為電流源的主要原因為何？
阻抗 RO太小
電流 IO與IREF 相差太大
32 如圖為共集（CC）放大器（
其偏壓電路未繪示
訊號參數 gm、re、rπ均為已知
，
RL/(re+ RL)RL/
(
33
如圖所示為非反相施密特觸發電路
一偏壓電源 VR=2 V，
若此電路
多少伏特（V）？
-10 V 0 V
34
變壓器耦合串級放大電路中第
壓VT= 25 mV，Q1與Q
2
Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載
R
2 kΩ
1.6 kΩ
C
1
v
i
1
:
8
）
電路，其中 IO為輸出電流，電晶體 Q1與Q2
特性相同
阻抗 RREF 太大
Q1不在主動區（
Active Region
其偏壓電路未繪示
），
設電晶體工作於主動模式
，
輸出電阻 ro→∞，電壓增益 o
vi
v
Av
≡為：
(
rπ+ RL)RL/[(rπ+ (β+ 1) RL)]
如圖所示為非反相施密特觸發電路
，其 OPA 為理想並使用±10 V
的電源電壓
若此電路
vI先輸入 10 V 一段時間後，vI再改輸入為 0
5 V
變壓器耦合串級放大電路中第
1、第 2
級放大電路具有相同的基極偏壓電流
2
的β值與爾利電壓（Early voltage）
均 相 同
R
L約為多少？
1.6 kΩ
600 Ω
V
CC
R
O
I
O
R
REF
R
1
Q
1
Q
2
I
REF
V
CC
Rsig v
i
v
o
Vsig
RL
vO
v
I
V
R
+
－
1kΩ
2k
Ω
R
L
R
EC2
C
1
R
2
R
E
C
2
R
2
R1R
1
Q
1
Q
2
V
CC
v
v
i
1
v
i
2
v
o
2
v
o
1
5
:
1
4
:
1
8
代號：
4513
頁次：
8
－
7
特性相同
，此電路不能作
Active Region
）工作
設電晶體工作於主動模式
（active mode），其小
RL/( β+ 1)(re+ RL)
的電源電壓
，於 OPA 反相輸入端加
V，則最終輸出電壓約為
10 V
級放大電路具有相同的基極偏壓電流
IB1=IB2=10 μA，其中熱電
均相同
。若欲使電壓增益
200 Ω
L
v
o
代號：
4513
頁次：
8
－
8
35 R1=R2且C1=C2的韋恩電橋（
Wien
幅為 2 V 時，則輸出 vO
的有效值
1.414V2 V
36 RC
串級放大電路於未耦合前的各單級放大電路示意圖含輸出
忽略電容效應，
求該串級放大電路的總電壓增益
4000
2000
37
造成積體電路放大器在高頻的衰減
電導
電感
38 某電路之轉移函數：
( )
( )
( ) 100
o
i
V s
T s
V s s
= =
低通響應
高頻增益為 10 dB
39 圖示電路，
當電路正常工作時
弦波
方波
40 如圖為一共射（CE）
放大器電路
Cμ）中，
以何者對放大器的低頻響應影響最大
Cc1 Cc2
R
i
1
=1
v
i
Wien
-bridge）振盪電路如圖，
當該電路發生等幅振盪時
的有效值
vO,rms 約為多少伏特（V）？其中理想 OPA
的輸入電源為
4.24 V
串級放大電路於未耦合前的各單級放大電路示意圖含輸出
/輸入電阻、
電壓增益及負載如圖所示
求該串級放大電路的總電壓增益
？
2000
800
造成積體電路放大器在高頻的衰減
，主要的原因為放大器內部的：
電感
電洞
( )
10
( ) 100
o
i
V s
V s s
= =
+，下列有關 T(s)之敘述，
何者正確
直流增益為 0
增益為 10 dB
時的頻率為
當電路正常工作時
，問電壓 v1的波形為何？
方波
三角波
放大器電路
，在一般情況下，
此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容
以何者對放大器的低頻響應影響最大
？
CE
C
1
R
Rf
R2
R
1
C
2
V
O
=1
kΩ R
o
1
=3kΩ R
o
2
=2kΩ
R
i
2
=1kΩ
R
L
=8kΩ
v
o
2
v
o
1
v
i
2
v
o
R
2
R
1
RC
v
1
v
2
v
o
v
sig
Rsig Cc1
C
c
2
RC
RL
R
B
CE
I
-V
EE
V
CC
+
－
Vf
當該電路發生等幅振盪時
，若能測得 Vf的振
的輸入電源為
±12 V。
8.48 V
電壓增益及負載如圖所示
，
400
電容
何者正確
？
時的頻率為
100 rad/s
階梯波
此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容
（Cπ、
Cπ
類科名稱：
108年特種考試地方政府公務人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：4513)
測驗式試題標準答案
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
D第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
第21題 第22題 第23題 第24題 第25題 第26題 第27題 第28題 第29題 第30題
第31題 第32題 第33題 第34題 第35題 第36題 第37題 第38題 第39題 第40題
第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
AABBABBCA
A DBACABCB
CDBDCBCCBD
AA BCCDACC
B
D
複選題數： 複選每題配分：
標準答案：
備 註：