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103年特種考試地方政府公務人員考試試題
代號：4514
頁次：6
－
1
等 別：
五等考試
類 科：
電子工程
科 目：
電子學大意
考試時間：
1小時
座號：
※注意：
本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共 40題，每題2.5 分，須用2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
1 下圖為一個理想積分器電路，假設電容在一開始時無電荷。當一個 +0.25 V 的步級（Step）脈衝接到輸入 vI
時，在 t = 1.2 s 時輸出電壓 vO = -5 V，請問電路中 RC 時間常數為何？
60 ms 70 ms 80 ms 90 ms
2 考慮下圖理想運算放大器電路，圖中 R1 = 20 kΩ，R2 = 10 kΩ，R3 = 10 kΩ，RL = 10 kΩ，假設輸入電壓 vI = 5 V，
則i3為多少？
-0.25 mA 0.25 mA 0.5 mA 1 mA
3 下圖理想運算放大器電路中，若輸入 vI1 = 4 + 0.125 sinωt (V)、vI2 = -4 (V)時輸出 vO = -0.5 sinωt (V)，則下列
敘述何者正確？
R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ R1 = 15 kΩ，R2 = 10 kΩ
R1 = 20 kΩ，R2 = 15 kΩ R1 = 25 kΩ，R2 = 25 kΩ
4 在閘源極間未加偏壓下，增強型 MOSFET 之汲極與源極間的導通狀態是：
相通 視通道種類而定 不通 處在飽和區
5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 0.7 V、μnCox(W/L) = 25 μA/V2，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極
（Gate）電壓 1.0 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，則此電晶體工作在：
飽和區（Saturation region） 截止區（Cutoff region）
三極體區（Triode region） 主動區（Active region）
6 若BJT 之IC < βIB，則該 BJT 操作在：
主動模式 截止模式 飽和模式 崩潰模式
7 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B之電壓為 0 V，射極 E的電壓為 +2 V，
集極 C電壓為 +5 V，請問此電晶體在何工作區？
主動區（Active region） 飽和區（Saturation region）
截止（Cutoff） 逆向主動區（Reverse active region）
+
-
R
C
vI
vO
+
-
R1
R2
R3
i3
RL
vO
vI
+
-
100 kΩ
R1
R2
vO
vI1
vI2
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8 在下列選項中，那一項最不影響 p+n接面二極體的逆向飽和電流 IS？
p型區的雜質濃度 NA n 型區的雜質濃度 ND
pn 接面的接面面積 A 溫度 T
9 在一矽本質半導體中加入五價的元素，若所加雜質濃度為 2×1015/cm3，且矽在室溫的本質濃度為
1.45 ×1010/cm3，則此半導體在室溫時的電子濃度約為：
2×1015/cm3 2×1013/cm3 1.45×1010/cm3 1.0×105/cm3
10 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、
R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當 vI = 3 V 時，對於輸出電壓 vO，下列敘述何者正確？
vO > 2.5 V 0 V < vO
2.5 V -2.5 V < vO
0 V vO
-2.5 V
11 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V，已知電壓vs(t) = 12 sin (120πt) V、R = 2 kΩ。試求輸
出電壓 vO絕對值的最大電壓約為多少？
12 V 11.3 V 10.6 V 9.2 V
12 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 2：1，輸入電壓 vi為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為 60 Hz，
二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？
8 V 12 V 16 V 25 V
13 有一放大器電路如下圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在 +10 V 與 -10 V 之間
，二極體 D1、D2 順向電壓均為 0.7 V，電阻 R1、R2、R3 均為 1 kΩ，交流電源 V1 = 5 V，試問節點 C的輸
出電壓 VC應落在下列何範圍內？
5.0 V
VC 4.2 V
VC < 5 V 3.5 V
VC < 4.2 V VC < 3.5 V
+
-
R1
R3
R2
D1
D2
vO
vI
VCC
A
B
U1
D1
D2
vO
D3
D4
R
vs
vAC
+
-
R1
R2
R3
-
+
D1
D2
U1
C
D
B
A
IO1
IO2
2
1
V1
3
N1
N2
N2
vo
vi
2：1
+
-
-
+
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14 若要維持二極體導通時的電流 ID為定值而不隨溫度變化，則二極體兩端的電壓 VD應如何？
應維持定值 應隨溫度的升高而微幅下降
應隨溫度的升高而微幅上升 應避免產生熱跑脫（Thermal Runaway）
15 如圖示電路，各二極體均為理想二極體，V1 = 5 V，V2 = 10 V，R = 5 kΩ，則電流 I為多大？
0 1 mA 2 mA 3 mA
16 如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為 0.7 V，輸入電壓 vi為一峰值 10 V 之交流正弦波，試求輸出電壓
之最大值為何？
0.7 V 4.3 V 5.7 V 10.7 V
17 下列關於二極體截波電路的敘述何者錯誤？
當輸入電壓大於某特定電壓值時，輸出波形會被截掉
當輸入電壓小於某特定電壓值時，輸出波形會被截掉
在被動截波電路中，未截波電壓輸入範圍的輸出增益可大於 1
藉由電路設計，可任意調整未截波電壓輸入範圍
18 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電流增益接近於 1的是那種？
共射極 射極隨耦 共基極 共集極
19 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗低的是那種？
共射極 射極隨耦 共基極 具有射極電阻之共射極
20 空乏型 n-MOSFET，下列何種偏壓將使元件不導通？
VGS >> 0 VGS > 0 VGS = 0 VGS << 0
21 關於 n-MOSFET，其臨界電壓為 Vt，下列敘述何者錯誤？
空乏型者可工作於 VGS < 0 增強型通常工作於 VGS > Vt
空乏型之 Vt > 0 增強型之 Vt > 0
22 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，忽略元件之輸出阻抗 ro，RS = 1 kΩ，
RD = 10 kΩ，Ri = 1 kΩ，試求 Vo / Vi =？
10/3 5 -10/3 -10
V1
V2
VO
I
R
-5 V
1 kΩ
+
-
vo
+
-
vi
5 V
RS
RD
Vo
VDD
Vi
Ri
Vb
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23 一個空乏型的 n-MOSFET，其 Vt = -1 V，請問當 VGS 為下列何值時，會有通道？
0 V -1 V -2 V -3 V
24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B之電壓為 3 V，射極 E的電壓 2.3 V，集
極C電壓 2.4 V，請問此電晶體在何工作區？
主動區（Active region） 飽和區（Saturation region）
截止（Cutoff） 逆向主動區（Reverse active region）
25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大
若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大
若電晶體操作於主動區時，其電流增益 ic/ib較操作於飽和區時為大
爾利電壓 VA（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比
26 一般 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸入阻抗較低的是那一種？
共源極 共汲極 共閘極 具源極電阻之共源極
27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，
3
2
1
L
W
Coxn
mA/V 2，λ = 0，CGS = 15 pF，CGD = 4 pF
且VGS – VTH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？
7.9 MHz 17.9 MHz 27.9 MHz 37.9 MHz
28 圖示電路中場效電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 0.125 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電阻 RD的最大值
為若干 kΩ？
0.5 1 1.5 2
29 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 gm = 0.5 mA/V，VA = ∞，RD = 5 kΩ，則此放大器的輸出電阻
Ro為：
0 2 kΩ 5 kΩ ∞
30 若Acm 為差動放大器的共模增益（Common-mode gain）， Ad為其差模增益（Differential-mode gain），其 CMRR
（Common-mode rejection ratio）定義為：
|Acm/Ad| |Ad/Acm| Acm/Ad Ad/Acm
Ri
+VDD
-VSS
I
CS
+
-
vI
Ro
vO
RD
RD
+5V
4 kΩ
5 kΩ
RS
Ri
Vin
Vo
-5 V
+5 V
CC1→∞
CC2→∞
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31 如圖所示為一 BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。當
VB1 = VB2 = 0 V 時，射極電壓 VE為何？
0 V -0.7 V
cCC R
2
1
V
cEE R
2
1
V
32 若某一放大器之最大電壓增益為 100，則在-3dB 頻率點的電壓增益為多少？
141.4 70.7 63.6 50
33 如圖所示之理想運算放大器振盪電路，R = 10 kΩ，C = 20 nF，當電路振盪時其振盪頻率為何？
125 Hz 225 Hz 325 Hz 425 Hz
34 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。已知電阻 R1= 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、R3 = 1 kΩ、R4 = 3 kΩ。當 vI1 = 3 V、
vI2 = 2 V 時，試求輸出端 vO的電壓約為多少？
3 V 1 V -1 V -3 V
35 試分析下列之全差動式（Fully Differential）放大器電路，若電晶體之轉導值 gm為1 mA/V，其電壓增益值
ii
oo VV VV
約為何？
5 V/V 10 V/V 20 V/V 30 V/V
VCC
RC
RC
Q1
Q2
I
-VEE
+
+
-
-
VB1
VB1
VE
R2
C
C
C
R
R
R
-
+
Vo
R2
R1
R3
R4
+
-
U1
vO
vI1
vI2
Vi-
VDD
20 kΩ
Vi+
Vo-
Vo+
10 kΩ
10 kΩ
Ib
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36 下列關於切換式電容（Switched-Capacitor）濾波器的敘述，何者正確？
等效電阻和電容成反比 等效電阻和電容成正比
等效電阻和時脈頻率成正比 等效電阻和電容無關
37 如圖為由雙極性接面電晶體所構成的等電流源電路，其可提供等電流 I。設兩電晶體 Q1、Q2具相同特性，
其β>>1。則下列敘述何者錯誤？
IR = 4.3 mA
電晶體 Q1之作用相當於一個二極體
電晶體 Q1必然操作於主動模式（active -mode）
當電晶體 Q2操作於飽和模式（Saturation-mode）時，I = IR
38 分析下列之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為10 mA/V，電晶體之 β = 50。
忽略元件之輸出阻抗，試求 RO =？
10 kΩ 5 kΩ 3.5 kΩ 0.5 kΩ
39 如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，具有：
較小的輸入電阻 較大的輸出電阻 較小的電壓增益 較小的頻寬
40 圖示電流源電路，已知 IREF = 40 μA，電晶體 Q1特性與 Q2完全相同：Vt = 0.5 V、μnCox(W/L) = 20 μA/V2，若
電路能正常工作，則電壓 VO之最小值應為若干伏特？
2.5 2.0 1.5 0.5
I
R = 1 kΩ
Q1
Q2
IR
+VCC = 5 V
10 kΩ
10 kΩ
Q1
Q2
RO
Q1
Q2
RD
Vo
VG
+VDD
vI
VCC
Vi
Vo
IREF
Q1
Q2
+
-
VGS
VDD
VO
IO
類科名稱：
103年特種考試地方政府公務人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：4514)
測驗式試題標準答案
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
A第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
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第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
CDCBCCAAA
C DBDCCCBD
CAABDCBBCB
BB DAADCBB
C
C
複選題數： 複選每題配分：
標準答案：
備 註：