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109年特種考試地方政府公務人員考試試題
等 別：五等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間：1小時 座號：
※注意：本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
共
40
題，每題
2.5
分，須用
2B
鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：
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頁次：
8
－
1
1 N 型半導體的主要載子為：
電洞 中子 質子 電子
2一個二極體 pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：
空乏電容 擴散電容 耦合電容 旁路電容
3圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt= 1 V、μnCox(W/L) = 2 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電
壓VD的最小值為若干 V？
1
2
3
4
4圖示電路中場效電晶體（FET）之 Vt= −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（Triode
Region）？
VG= 1 V、VD= 1 V
VG= 2 V、VD= 3 V
VG= 3 V、VD= 2 V
VG= 4 V、VD= 5 V
5有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V3=1002×V2−998×V1，請問其
共模排斥比 CMRR（common-mode rejection ratio）約為多少？
24 dB
36 dB
48 dB
60 dB
2MΩ
2MΩ 1kΩ
RD
VD
VD
VG
4V
+4V
VCC
-VEE
V1
V2
V3
−
代號：
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2
6如圖為定電流源電路，若 Q1和Q2電晶體的輸出阻抗 ro和電流增益 β所引起的效應不計，已知 VCC = 5 V，
VBE = 0.7 V，欲使電流為 Io= 1mA，試求電阻 R=？
5.7 kΩ
4.7 kΩ
4.3 kΩ
3.3 kΩ
7設計類比電路時，若採用 NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到 BJT 的那一種
偏壓模式？
飽和模式（Saturation mode）線性模式（Linear mode）
順向主動模式（Forward active mode）逆向主動模式（Reverse active mode）
8有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2的電壓波形如下所示，VCC=5V，R1=R2= 1 kΩ，
R3=R4= 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益 βQ1=βQ2= 100。試研判輸出接腳 VO在高準位輸出（VO@HI）
時最可能的工作電壓。
VO@HI= 5 V
VO@HI~ 4.8 V
4.8 V> VO@HI> 4.3 V
VO@HI< 4.3 V
9 CMOS 反相器結構係由一個 n通道增強型 MOSFET 與一個 p通道增強型 MOSFET 組成，p通道
MOSFET 之源極接 VDD，n通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確？
若閘極輸入電位為0，p通道 MOSFET 導通
若閘極輸入電位為 VDD，輸出電位將為 VDD/2
若CMOS 輸出電位為0，n通道 MOSFET 關閉
若CMOS 輸出電位為 VDD，將有電流持續通過兩個 MOSFET
I
o
=1mA
Q1Q2
R
Q1
Q2
R1
R2
R3
R4
VI1
VI2
VO
VCC
CL
VI1
VI2
5V
5V
0V
~4V
~2V
~2V
5V
0V
0
0
t
1
t1
t2
t2
t
t
T
T
~4V
代號：
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3
10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體
QN與QP特性相同；μnCox = μpCox = 20 μA/V2，(W/L)n= (W/L)p= 10，Vtn = |Vtp| = 0.5 V。若 VDD = 5 V，
則電晶體 QN的汲極直流偏壓電流為多少？
100 μA
200 μA
400 μA
1.6 mA
11 一個 OP AMP 的輸出的上下限為±10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬 ft= 1 MHz。若輸
出訊號為正弦波，其振幅為10 V，所能操作的最大頻寬最接近下列何值？
16 kHz 100 kHz 160 kHz 1 MHz
12 下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？
電壓增益大於1電流增益大於1低輸入電阻 高輸出電阻
13 如圖所示為一箝位電路，若 VE為35 V 時，整個迴路的電流 I是多少？
3.5 mA
5 mA
10 mA
35 mA
14 圖示為箝位電路及其輸入信號，其中 D為理想二極體且 RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸
出信號的直流準位為多少伏特？
−15 V
−5 V
5 V
15 V
15 電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號 vi(t) = Vpsin(377t) volt 且電容器 C3於穩定狀態
時所跨電壓 VC3 = 30 volt，下列敘述何者正確？
VC1=30 V
VC2=60 V
VC4=90 V
Vp=150 V
1MΩ
2.5kΩ
VDD
QP
QN
v
o
v
i
C=
∞
C=
∞
V
E
35V VZ=10V
P
D(max)=500mW
R
CD
5V
R
vi(t)
vi(t)vo(t)
t
vi(t)
10
-10
10：1
VC3
VC4
VC1
VC2
C
2
C
1
C
3
C
4
D
3
D
4
D
2
D
1
I
代號：
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－
4
16 如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為 vi(t) = 8sin(ωt) volt，VR= 2 volt，
則輸出 vo1最大值與輸出 vo2最小值之間的電壓差為多少伏特？
4 V
6 V
10 V
12 V
17 如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？
11.6 V
21.6 V
24.6 V
110 V
18 如圖所示電路之主要功能為何？
運算
放大
整流
倍壓
19 如圖所示之電路，VIN 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設 RL= 1 kΩ，求 VOUT 為何？
10 V
20 V
30 V
40 V
20 如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設 D1與D2為理想且 Vin = 5 V（峰值），R1= 1 kΩ，
VB1= 1 V，VB2= 1.5 V。
正6 V 與負6.5 V
正1 V 與負1.5 V
正4 V 與負3.5 V
正6 V 與負3.5 V
21 利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs峰值大小：
大一個二極體順向啟動電壓 大兩個二極體順向啟動電壓
小一個二極體順向啟動電壓 小兩個二極體順向啟動電壓
vi(t)vi(t)
vo1(t)vo2(t)
RR
DDVR
VR
vout
AC110Vrms
60Hz
N1：N2=110：24
Vout
C1
D1
RL
Vin
D
1
D
2
V
OUT
VIN
R
L
C1
C2
V
in
V
in
V
out
V
B1
V
B2
D
1
D
2
R
1
t
5V
−
+
−
+
+
−
代號：
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－
5
22 Vs(t)= 10 sin(377t) V 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為：
30 Hz 60 Hz 120 Hz 377 Hz
23 電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓 VCC = 10 V，
下列何者正確？
VCE = 0 V
VCE = 0.7 V
VCE = 8 V
VCE = 10 V
24 如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流 IDS =0.5 mA（直流偏壓電路未示於圖中），電晶體 M之
參數如下：μnCox= 200 μA/V2，VTH = 0.4 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？
−9.43
−11.43
−13.43
−15.43
25 如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下：μnCoxW/L= 2 mA/V2，VTH = 1 V 且λ = 0；跨在電晶體上之
直流電壓 VDS 最接近下列何值？
−4.95 V
−5.75V
4.95 V
5.75 V
2kΩ
10kΩ
5kΩ 4kΩ
VCC =10V
VBE
VCE
RC
RE
vout
vin
VDD =1.8V
IDS
M
20
0.18
W
L
VDS
vivout
−5V +5V
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6
26 如圖所示之電路，假設電晶體 M1之參數如下：μnCoxW1/L1= 32 mA/V2，VTH1 = 2 V 且λ1= 0；電晶體
M2之參數如下：μnCoxW2/L2= 8 mA/V2，VTH2 = 2 V 且λ2= 0；求 VDS1之值為何？
2 V
4 V
6 V
8 V
27 如圖所示之放大器電路，電晶體 J之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = −4 V，求此電路之小信號電壓增益
值為何？
0.67
0.77
0.87
0.97
28 如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻 RIN 約為何？假設電晶體之 gm為10 mA/V，β = 100。
10 kΩ
20 kΩ
30 kΩ
40 kΩ
29 如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容 CIN 為何？
CGD + CGS (1+|gmRL|)
CGD + CGS (1−|gmRL|)
CGS + CGD (1+|gmRL|)
CGS + CGD (1−|gmRL|)
1MΩ
250k
Ω
2kΩ 2kΩ
100Ω
VDD =8V
VG1=3V
M2
M1
vivo
J
+10V
R
IN
CGD
CGS gmvGS
vGS
CIN RL
vivo
−
+
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7
30 MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？
電壓控制之可變電阻 電壓控制之可變電容 電流控制之可變電阻 電流控制之可變電容
31 設雙極性電晶體（BJT）的 α值由0.96變化至0.99，則 β值由多少變為多少？
由24變為90 由24變為99 由25變為75 由30變為60
32 某雙極性電晶體（BJT）的 ICBO 為2 μA，其 β值為50，則其 ICEO 應為：
50 μA 70 μA 100 μA 120 μA
33 如圖所示的相移振盪電路中的 C= 1 nF、Rf= 145 kΩ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為
多少 Hz？
13 kHz
21 kHz
50 kHz
62 kHz
34 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？
Q1與Q2是AB 類功率放大器
Q3與Q4提供主動負載
Q5為共閘極放大器
Q6與Q8提供保護電路
35 某電路之轉移函數： ( ) 500
( ) ( ) 10
o
i
V s
T s V s s
，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency），頻
率與增益的變化關係，下列何者正確？
頻率每增大十倍，增益減少10 dB 頻率每增大十倍，增益減少20 dB
頻率每增大二倍，增益減少10 dB 頻率每增大二倍，增益減少20 dB
36 如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns，
問環形振盪器的振盪頻率？
318 kHz
2 MHz
4 MHz
10 MHz
CCCR
Rf
RRVfVO
v
o
vi+
vi−
−VSS
+VDD
IREF
Q1Q2
Q
3
Q
4
Q6
Q
5
Q7Q8
C1
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8
37 如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問 RC 耦合會造成什麼影響？
低頻響應變差
中頻響應變差
高頻響應變差
沒有影響
38 如圖所示為一 MOS 放大器，MOS 電晶體之 μnCox = 800 μA/V2、W/L=40、|Vt|=1V。求小信號增益 vo/vi？
−1
−8
−16
−100
39 對於一個電壓波形 v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？
電壓平均值為25伏特 電壓均方根值為50伏特
電壓的峰對峰值（peak to peak value）為50伏特 電壓訊號每秒有120次經過0伏特
40 如圖電路，已知 R= 10 kΩ 和C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅
亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？
1.00 kHz
1.25 kHz
2.50 kHz
5.00 kHz
1k
Ω
1MΩ
1
m
A
R
C
放大器 放大器
C=∞
C=∞
C=∞
+5V
−
5V
v
i
vo
Q
vo
v
I
R
vC
C
+
V
CC
−
V
CC
v
I
t12t1
t
類科名稱：
109年特種考試地方政府公務人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：4512)
測驗式試題標準答案
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
D第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
第21題 第22題 第23題 第24題 第25題 第26題 第27題 第28題 第29題 第30題
第31題 第32題 第33題 第34題 第35題 第36題 第37題 第38題 第39題 第40題
第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
AABCCCDAC
A CDDABCBB
DCDACBABCA
BC BBBABDC
B
A
複選題數： 複選每題配分：
標準答案：
備 註：