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103 年公務人員初等考試試題
等 別：初等考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3515
頁次：8
－
1
1 若2
/
4
1VmAKn=， ，則下列電路之 值為：（提示： ）
V2Vtn =m
g2
tnGSD )VV(I −= n
K
1 mA/V
+12V
2 mA/V
3 mA/V
4 mA/V 6kΩ
Vo
1mA
2 下圖由理想運算放大器所組成之低通濾波器，若欲設計使其高頻截止頻率 ，則電阻 R約
為多少？
kHz10
H=f
31.8 kΩ 30 kΩ
20.7 kΩ 10 kΩ
Vo
V
15.9 kΩ
7.07 kΩ
i
R
RL
1 nF
3 下圖電路中，理想運算放大器之電源電壓為±15 V，請問流過 100 Ω電阻之電流 IL為多少？
5 mA
3 mA
VO
-1V
IL
1 kΩ 100 Ω
5 kΩ
2 kΩ
10 kΩ
2 mA
1 mA
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2
4 電路圖中運算放大器為理想運算放大器，且電源電壓為±15 V，則電路中 VO輸出為多少 V？
-5 V
VO
-1 V
1 V 100 k
140 k
10 k
50 k
-3 V
+3 V
+5 V
-1 V
5 假設下圖電路中運算放大器為理想運算放大器，求電壓增益 Av = vO/vI 為多少？
-5
-10
+10
+5
6 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
PMOS 主要靠電洞導電
增強型 NMOS 之臨界電壓為正值
一般 NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電壓高
NMOS 之基板（Substrate）為 P型
vGS
iD
Vt0
7 某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD-vGS 關係如圖所示，iD是流入汲極之電流，則此 FET
為：
增強型 NMOS
增強型 PMOS
空乏型 NMOS
空乏型 PMOS
8 雙極性電晶體電路中，若電晶體做為開關時，當為 ON 時電晶體一般工作於何種區段？
截止區 線性區 崩潰區 飽和區
9 一個 1MHz 的石英晶體具有 L=1H, Cs=0.024pF, Cp=8pF 和r=90Ω，求其品質因數（Q-factor）的近似
值：
50000 60000 70000 80000
10 在一般矽半導體中，電子的移動率（mobility）μn與電洞的移動率 μp，何者較大？
μn＞μp μn＜μp
兩者約略相等 視半導體為 n型或 p型而定
代號：3515
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3
11 下圖為理想二極體的截波電路，當輸入電壓大於 5V 時，其輸出電壓為何？
(2·Vi –5)/3
R2
R1D1
D2
vI
vA
(3·Vi –5)/4
(2·Vi +5)/3
(3·Vi +5)/4
12 如圖電路，設二極體導通時之 VD = 0.7 V之定值。此電路之輸出電壓 VO之值約為何？
0.7 V
1.7 V
2.3 V +5V
4.3 V
ID
10 kΩ
15 kΩ 17 kΩ
VO
+ VD -
13 圖示理想運算放大器電路中，R1 = 1 kΩ及R2 = 2 kΩ，且二極體導通的電壓降為 0.7 V。若輸入電壓
vI = 1 V，則電壓 vA 為若干？
-2 V
-0.7 V
0 V
2 V
14 圖中為一半波整流電路，當輸入為頻率 60 Hz、峰值 120 V 的電壓，請問其漣波電壓約為多少？
0.1 V
0.2 V
1 V
2 V
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4
15 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 8：1，輸入電壓 vi 為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為
60 Hz，二極體導通之壓降皆為 0.7 V，求二極體之峰值反向電壓為何？
14.3 V
24.3 V
vo
+
-
vi
+
-
N1 N2
N2
34.3 V
44.3 V
16 如圖所示之理想運算放大器電路，稽納（Zener）二極體操作在崩潰（breakdown）區，求 i為何？
1 mA
2 mA
3 mA
4 mA
17 當一矽二極體導通時，跨於二極體兩端的電壓 VD約有多大？
0 V 0.025 V 0.7 V 1.4 V
18 圖示理想二極體電路中，若輸入 vI為弦波，峰值電壓 5 V，下列何者為 vO的波形？
-
+
+10V
1 kΩ
1 kΩ
1 kΩ
Vout
VZ = 3V i
R
vO
3 V
vI
vO
t
3 V
5 V
vO
t
3 V
5 V
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5
19 圖中電晶體的β=240，VBE = 0.7 V 及VT = 25 mV，其電壓增益（Vo / Vi）約為：
-700
(∞)
∞)
(∞)
(∞)
(
(
∞
)
(
∞
)
4.3 kΩ
12 kΩ
36 kΩ
7.5 kΩ
Vo
-
+
Vi
+20V
-500
-300
-100
20 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益 i
oV
V，下列
敘述何者錯誤？ VCC
Vo
Vi
RB RC
RE
RS
Q1
增加 RE則增益減低
增加 RC則增益提高
若RS= 0，增加 RB則增益增加
增加 RS則增益減低
21 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於 1是那種？
共射極 射極隨藕
共基極 具有射極電阻之共射極
22 當BJT 操作於主動模式，其 IB、IC、IE三者之大小關係為：
I B＜IC＜IE IB＞IC＞IE IC＞IE＞IB IC＜IB＜IE
23 P通道增強型 MOSFET 導通時，閘極必須加：
正電壓 負電壓 正、負電壓均可 零
24 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出
阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo / Vi=？
-5.25
M1
1 kΩ
-
+
Vb
Vi
Vo
21 kΩ
VDD
-10.5
-21
-42
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6
25 MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路，當應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於下列何區
域？
截止區 三極管區（Triode Region）
飽和區 崩潰區
26 有一 npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式，且 IC = 4 mA，
則電晶體的輸出電阻 ro約為：
10 kΩ 20 kΩ 160 kΩ 無窮大
27 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、re、rπ及
輸出電阻 ro均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin（不含 Rsig）為：
RB
RE
RC
V+
V-
RB || rπ
RB || ro
+VCC
RB || RC CC2
RC
V
CC1 Vo
Rsig
i
RL
Vsig
RB
+
-I
Rin CE
-VEE
28 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），且 vo對vi為高通（high pass）頻
率響應，下列何種方式無法降低本放大器之低頻 3dB 頻率點(L
ω
)？
增加 RL
VCC
增加 RB
增加 RE
減低 C1
RB RC
vo
vi C1
RE
C2
Q1 RL
29 圖示電路，若 V +
= +12 V、V
−
= -12 V、RE = 3 kΩ，且電晶體之α ≈ 1，EB 接面導通電壓為 0.7 V，EC
間飽和電壓降為 0.3 V，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電阻 RC之最大值約為若干 kΩ？
2.1
3.3
5.5
8.6
V
−
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7
30 有一電 如下圖所示，若所有電阻 R1~R5 均相等，且所有放大器 U1 及U2 均為理想運算放大器。若
交流電 V1，其振幅為 5 V，試問節點 A的最大電壓 VA應落在下列何範圍內？
路
6 V VA
源
4 V VA＜6 V
2 VVA＜4 V
U1
I2
I1
VDD
vo
vi
VA＜2 V R3
R2
R1
D
C
31 相較於基本單級的共源極 CS 放大器，圖示 CD-CS 串接放大電路的主要優點為：
可提高輸入阻抗
可提高輸出阻抗
可提升電壓增益
可增加頻寬
32 某一單極點放大器在無回授時電壓增益為 100，頻帶寬為 5 kHz。若加了負回授後其電壓增益降為 80，
則頻帶寬為多少？
6.25 kHz 5 kHz 4 kHz 3.5 kHz
33 關於 CE-CE 放大器的特性，下列何者正確？
高頻寬 低輸出阻抗 高電壓增益 低電流增益
34 若欲使用單一頻率訊號以測放大器之大致頻率響應情形時，一般常使用下列那一種訊號波形？
方波 正弦波 三角波 鋸齒波
35 如圖為一共射（CE）放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的極間電容中，以何
者對放大器的高頻響應影響最大？
C C1
CC2
CE
電晶體的極間電容
36 一反向放大器其直流增益值為-50V/V，當其頻率為 10 f3dB 時，其增益為何？
-1 V/V -5 V/V -10 V/V -50 V/V
37 下列關於濾波器的描述，何者錯誤？
低通濾波器可通過低頻信號而濾除高頻信號
帶拒濾波器過濾特定頻帶範圍的信號
頻寬與帶通濾波器之中心頻率呈反比關係
帶通濾波器的品質因數（Quality Factor）愈大，選擇性愈低
E
V1
B
R4
A
R5
U2
+
-
-
+
+
-
+
-
-
+
VCC
CC2 vo
R
C
R
L
I
CC1
R
B
vsig
Rsig
-VEE
+
-
CE
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38 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？
Q1與Q2構成主動負載 +VDD
Q1Q2
Q3Q4
vo
-VSS
Q5
Q6
Q7
I
CC
vi
vi
Q8
IREF
Q3與Q4提供差動放大
CC為旁路電容（Bypass Capacitor）
Q6功能為電壓放大
39 如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，
下列敘述何者錯誤？
+VDD
約有相同的輸入電阻
約有相同的電壓增益 RD
vI
vO
VG Q2
Q1
約有相同的頻寬
疊接放大器的兩個電晶體，具有相同的汲極電流
40 如圖所示電路為一主動式高通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數 (s)V
(s)V
i
o為：
1CRs
1
+
1CRs
CRs
+
12CRssRC
1
222 ++
RR
CC
Vi
Vo
12CRssRC
sRC
222
222
++
類科名稱：
103年公務人員初等考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：3515)
題 數：40題
測驗式試題標準答案
考試名稱：
標準答案：
題號
答案ACDAB CCDCA DBBCB DCCCC
題號
答案BABAC ABDBB DACAD BDDCD
題號
答案
題號
答案
備 註：
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程