加載中. ..
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112
年公務人員初等考試試題
等 別
：
初等考試
類 科
：
電子工程
科 目
：
電子學大意
考試時間
：
1小時 座號：
※注意：本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當答案。
本科目共40題，每題2.5分，須用2B鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：
3513
頁次：
8
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1
1電壓 1
v (t) 5cos(π
t 45 )
及2
v (t) 5sin(π
t 45 )
，則兩電壓之相位差為多少度？
2
v
電壓領先
1
v
電壓 45°
2
v
電壓落後
1
v
電壓 90°
2
v
電壓落後
1
v
電壓 45°
2
v
電壓領先
1
v
電壓 90°
2某矽二極體在溫度 20℃時的逆向飽和電流為 5 nA，若溫度上升至 50℃時，則逆向飽和電流約為何？
20 nA 30 nA 40 nA 50 nA
3在矽半導體材料中，摻雜三價元素的雜質，熱平衡下此半導體形成何種型式？半導體內多數載子為
何？此半導體呈現的電性為何？
N型半導體、電子、電中性 N型半導體、電子、負電
P型半導體、電洞、正電 P型半導體、電洞、電中性
4雙極性接面電晶體（BJT）基極的厚度很薄，主要考量為何？
增加基極電流
減少集極電流
減少由射極出發通過接面到達基極的載子被復合（recombination）的機會
增加由基極通過接面到達集極的載子被復合（recombination）的機會
5圖示之電路，雙極性電晶體 β
250
，基-射極導通電壓 BE
V 0.7 V
，則其集-射極電壓 VCE 約為何？
5.52 V 6.52 V 7.52 V 8.52 V
6有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？
主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為復合電流
主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流
主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為復合電流
主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流
7下列何者不是理想運算放大器的特點？
輸入阻抗無窮大 僅有一個輸入端 輸出阻抗為零 電壓增益無窮大
V
CC
= +15 V
R
1
R
2
R
E
R
C
1 kΩ
1 kΩ
10 kΩ
5 kΩ
代號：
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2
8如圖所示場效電晶體電路， P
V 3V
，DSS
I 18mA
，GS
V 2 V
，直流工作電壓
DS
V
為何？
2 V 4 V 6 V 8 V
9如圖所示，電晶體 Q1和Q2的臨界電壓（threshold voltage）分別為 Vt1 和Vt2，若 Vt2 變大且 Vt1 保持
不變。
I DD
v V
時，則
0
v
將如何變化？
增大 降低 不變 等於 VDD
10 運算放大器作為線性放大器使用，以負回授控制閉迴路電壓增益，下列敘述何者正確？
可用電阻作為負回授 可用電容作為負回授
可用二極體作為負回授 可用電晶體作為負回授
11 如圖所示電路，若運算放大器開路電壓增益 A為有限值，則
i i i
R v /i
為何？
Rf/(1+A) Rf
RfRf/(1+1/A)
V
DD
= 10 V
R
D
= 3 kΩ
R
G
= 1 MΩ
V
GG
= 2 V
V
DD
Q
2
Q
1
v
0
v
I
v
i
v
0
A
i
i
i
i
R
f
代號：
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3
12 有一 12 V 稽納二極體（Zener Diode），稽納電流若有 5 mA 的變動，稽納電壓就會產生 0.01 V 的改
變，則在此電流範圍內的稽納阻抗為何？
10 Ω 5 Ω 2 Ω 1 Ω
13 如圖所示電路，輸入電壓
i
V
為直流時，
0 i
V / V
為何？
R2/R101+ R2/R1無窮大
14 如圖所示電路，若不考慮稽納二極體（Zener Diode）的電阻、且 Z
V 5V
，則稽納二極體的消耗功
率為何？
350 mW 375 mW 400 mW 425 mW
15 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 Vin 為正弦波，頻率為 60 Hz，峰值電壓為
110 V，電容輸入式整流濾波器之漣波因數（Ripple Factor）約為何？
2.27% 4.54% 1.27% 1.12%
16 某橋式整流與濾波電路需要直流電壓 18 V，流至負載 RL之平均電流 100 mA，而容許 0.1 Vrms 的漣波
電壓，其中輸入電壓源之頻率為 60 Hz，求所需濾波器之電容器的電容值約為何？
12 μF 48 μF 24 μF 36 μF
V
0
V
i
R
1
R
2
C
15 V
100 Ω
200 Ω
V
L
V
Z
F
10
：
1
V
in
D
1
D
3
D
2
D
4
1000 μF
C
R
L
220 Ω
輸出
代號：
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4
17 圖為全波兩倍倍壓電路，二極體視為理想，當輸入 Vin 進入下半負週期時，二極體（D1）之逆向峰
值電壓（PIV）約為何？
120 V 170 V 311 V 85 V
18 典型的功率電晶體 2N3055，其金屬外殼為何？
C極B極E極空腳
19 如圖為一截波電路， Vin 30sin(ωt)V，二極體導通時電壓為 0.7 V，下列何者為其輸出波形？
20 如圖所示電路，若可忽略二極體 D的導通電壓，且輸入電壓 i
v 7sin(377t)V，R 20 ，下列敘述
何者正確？
輸出電壓 vo的最大值為 7 V 輸出電壓 vo的最大值為 3 V
輸出電壓 vo的最小值為 7 V 輸出電壓 vo的最小值為 0 V
+
-
+
-
D
1
D2
C
1
C2
R
1
V
i
n
110 Vrms
0 V
0 V
0 V
0 V
12.7 V
-
30
V
-
12.7 V
12.7 V
12.7 V
12.7 V
30
V
D
12
V
Vin
R
Vo
D
R
v
o
v
i
3 V
-
12.7 V
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5
21 如電路圖，下列敘述何者錯誤？
RC 時間常數無窮大時，可作為上箝位電路
RC 時間常數無窮大時，Vdc 大小會影響到電容 C的兩端電壓差
RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C的漣波電壓振幅不隨時間常數改變
RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C的跨壓 DC 值會隨時間常數改變
22 有關波形之敘述，下列何者錯誤？
箝位器的主要目的是移除波形中的直流位準
二極體限位器（Limiter）會將某個位準以下或以上的電壓截掉
漣波電壓越小，則濾波的效果越好
較大濾波電容會減少漣波
23 有一如圖之 BJT 放大器，若 BJT 之CE
V 1V，則有關對其輸出迴路特性之敘述，下列何者錯誤？
其電晶體輸出特性（ C CE
I -V ）的直流負載線電流端截點為 C
I 5mA
其電晶體輸出特性（ C CE
I -V ）的直流負載線電壓端截點為 CE
V 1V
其C-E 迴路之靜態電流為 CQ
I 4.5mA
此BJT 應該是操作於主動區（active region）
24 圖示電路中場效電晶體之 t
V 1V、2
n ox
μ C (W/L) 100 mA/V，若電晶體在飽和區工作，則電阻 D
R的
最大值為何？
6 kΩ 5 kΩ 4 kΩ 3 kΩ
+
-
C
R
D1
Vs
Vdc
V
CC
= 10 V
V
BB
= 4 V
R
C
= 2 kΩ
R
B
= 200 kΩ
I
C
V
CE
V
BE
I
B
+3 V
R
D
代號：
3
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6
25 圖示電路，下列何電阻提供直流偏壓的負回授？
E
R
C
R
B1
R
B2
R
26 如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的DSS
I 1mA
、GS(TH)
V 4 V
，若閘極電流
G
I
可忽略不計，汲
極電流與汲-源極電壓（
D
I
，
DS
V
）值為何？
（1.5 mA，9 V）（2.25 mA，7.5 V）（3 mA，6 V）（3.5 mA，5 V）
27 有關 JFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？
JFET 發生通道長度調變時，通道有效長度會隨
DS
V
的增加而略為變長，造成
D
I
略為增加
JFET 操作於三極體區（triode region）時，隨
DS
V
的增加，通道深度變窄，通道電阻變大
JFET 進入飽和區（saturation region）時，D極附近的通道會夾止，
D
I
維持定值
JFET 進入飽和區後，其
D
I
與
GS
V
會呈現非線性關係
28 有關 MOSFET 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
MOSFET 的小信號模型中包括一個相依電流源，表示 MOSFET 是屬於一種電流控制電流的元件
由MOSFET 的小信號模型中可看出，由閘極看入之阻抗相當高
在MOSFET 的小信號模型中，是以一電阻代表通道長度調變效應（channel length modulation effect）
為了 MOSFET 的小信號能進行線性放大，必須滿足
gs OV
v 2 V
（overdrive voltage）的條件
29 場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗是由於下列何種效應？
稽納效應（Zener effect）
通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
本體效應（Body effect）
密勒效應（Miller effect）
30 圖中放大器電路中，vsig 的 直 流 成 分 為 零 ， 電 晶 體 的 β
99
、A
V
、EB
V 0.7 V
， 熱 電 壓
T
V 0.025 V
，放大器電壓增益
o sig
v / v
的最接近值為何？
0.75 0.85 0.95 0.99
R
C
R
E
V
CC
R
B2
V
DD
= +12 V
I
D
I
G
D
S
5 MΩ
1 MΩ
2 kΩ
G
+5 V
4 kΩ
4 kΩ
30 kΩ
-
5 V
∞
v
o
v
sig
R
B1
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31 圖 中 放 大 器電 路 中 ，
sig
v
的 直 流 成分 為 零 ，電 晶 體 的 β
99
、A
V
、EB
V 0.7 V
， 熱 電 壓
T
V 0.025 V
，放大器輸出電阻
out
R
的最接近值為何？
100 Ω 150 Ω 200 Ω 300 Ω
32 相較於共汲極（CD）放大器，下列有關共源極（CS）放大器之特性，何者正確？
電壓增益較大 頻率響應較佳 輸出阻抗較小 常應用於緩衝放大器
33 已知
1
Q
之1
β
100
，π1
r 2.34k
，
2
Q
之2
β
100
，π2
r 2.06 k
，則該電路之電壓增益約為何？
8290 3899 3899 8290
34 如圖，
1
Q
的1
β
50
，
2
Q
的2
β
100
，兩個電晶體的 BE
V 0.7 V
且
o
r
都不計，熱電壓（thermal voltage）
T
V
都是 25 mV；若輸出接一電阻 L
R 1k
，求電壓增益
o B2
v /v
約為何？
1.005 V/V 0.850 V/V 0.900 V/V 0.995 V/V
35 圖示變壓器耦合串級放大器中，
1
N
：2
N 2
：1、
3
N
：4
N 5
：1，v1
A 100
、v2
A 50
、v3
A 20
，
此電路之總電壓增益為何？
60 dB 80 dB 100 dB 120 dB
4 kΩ
4 kΩ
30 kΩ
R
out
+5 V
-
5 V
v
o
v
sig
∞
+10 V
V
o
4 kΩ
4 kΩ
2 kΩ
80 kΩ
85 kΩ
15 kΩ
500 Ω
1 kΩ
20 kΩ
C
C2
C
C1
V
i
Q
1
Q
2
C
E1
C
C3
C
E2
1 MΩ
I
B1
I
B2
1 MΩ
V
B2
Q
2
v
o
v
i
R
i
V
CC
= 5 V
Q
1
50 μA
5 mA
C→∞
C→∞
β
1
= 50
β
2
= 100
N
1：
N
2
N
3：
N
4
A
v1
A
v2
A
v3
V
i
V
o
代號：
3
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36 有一放大器其上 3 dB 截止頻率為 H
f 50MHz
，且在中頻段的電壓增益為 10 V/V，求其單一增益頻
寬fT為多少？
5 MHz 50 MHz 500 MHz 600 MHz
37 如下圖所示，下列敘述何者錯誤？
此為韋恩電橋振盪電路 可以應用於產生弦波訊號
可以藉由 R和C的組合調整輸出訊號的頻率 可以藉由
1
R
和
2
R
的組合調整輸出訊號的振幅
38 如圖為電晶體單穩態多諧振盪器，觸發信號由
1
Q
的基極注入。在未觸發前，電容器 C1上的電壓
o
E
約
為下列何者？
VCC VCC VB2 VCC VRC1 VB2 VCC VRB VC1
39 圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，OPA 之輸出飽和電壓為 10 V，若其遲滯電壓（hysteresis
voltage）
H
V
為4 V，則該電路之
1
R
電阻值為何？
5 kΩ 10 kΩ 20 kΩ 80 kΩ
40 關於 555 計時器之敘述，下列何者錯誤？
其內部的 RS 正反器為雙穩態的輸出
可以實現無穩態多諧振盪電路
可以實現單穩態多諧振盪電路
單穩態模式下的輸出脈波可以藉由電源電壓的大小調整其寬度
R
2
R
1
V
o
R
C
C
R
Q
1
Q
2
R
C1
R
C2
+V
CC
V
C2
D
R
2
V
B2
V
B1
R
1
R
B
C
1
E
o
+
-
-
V
BB
V
C1
V
s
V
o
V
CC
V
CC
R
1
20 kΩ
V
R
=
2.5 V