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100年公務人員特種考試一般警察人員考試、
100年公務人員特種考試警察人員考試及
100年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
等 別：佐級鐵路人員考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間：1小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
本科目共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
禁止使用電子計算器。
代號：3909
頁次：8
－
1
1 有關 DRAM（動態隨機存取記憶體）與 SRAM（靜態隨機存取記憶體）的敘述，下列何者正確？
SRAM 需要重新充電（refresh） 單一晶胞的電路 DRAM 比SRAM 複雜
DRAM 結構需用到電容效應 DRAM 屬非揮發性記憶體
2 關於邏輯電路之敘述，下列何者正確？
靜態邏輯（Static Logic）電路切換過程無動態功率（Dynamic Power）消耗
動態邏輯（Dynamic Logic）電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓
組合式邏輯（Combinational Logic）電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關
或閘（OR Gate）為序列式邏輯電路
3 關於理想運算放大器之敘述，下列何者正確？
輸入阻抗為 0 輸出阻抗無限大
差動增益（Differential-mode Gain）為 0 共模增益（Common-mode Gain）為 0
4 圖示電路為何種濾波器？
高通
帶通
低通
＋－
＋
－
R
V
V
C
io
帶拒
5 圖中電路之功能為： L
ViVo
R
C
＋
－
帶拒濾波器
高通濾波器
低通濾波器
帶通濾波器
6 對於理想電流放大器（Current Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？
輸入阻抗為 0 輸出阻抗為 0
輸入阻抗無限大 輸出阻抗與電壓放大器特性相同
7 在雙極性接面電晶體共射極組態中，理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc 進入基極，電容 Cc 之
目的為：
隔離放大器與電源間的直流 增加輸出阻抗
隔離交流訊號 隔離雜訊
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2
8 雙極性接面電晶體（BJT）若工作於作用區（Active-Region），其偏壓需滿足下列何種條件？
基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為順向偏壓
基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為反向偏壓
基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為順向偏壓
基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為反向偏壓
9 下列何者為齊納（Zener）二極體作為穩壓用時的工作區域？
Ⅰ
I
D
Ⅱ
Ⅰ及Ⅱ
Ⅲ
10 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為：
SRAM（靜態隨機存取記憶體） EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體）
DRAM（動態隨機存取記憶體） ROM（唯讀記憶體）
11 圖為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）電路。其中VⅠ為輸入，VO1、VO2為輸出，VCC為電壓
源，VR為參考電壓，Ⅰ為偏置電流源（Bias Current Source）。當IC1/IC2>99 時，VO1為邏輯“0＂。則其
輸入電壓VⅠ為：（方程式中，VT＝0.025V）
V R-VTln(99)
VR+VTln(99)
VR+99VT
VR-99VT
12 如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若Vcc＝5V且輸入電壓Vi＝0V，下列敘
述何者為正確？
Q2不導通、Q3不導通、輸出電壓Vo＝5V
Q2導通、Q3不導通、輸出電壓Vo＝5V
Q2不導通、Q3導通、輸出電壓Vo＝0V
Q2導通、Q3導通、輸出電壓Vo＝0V
I
II
vz
0
V
D
III
VCC
RC
IC1 IC2
VO1 VO2
VR
Q2
Q1
RC
VI
I
ViQ1
D1
Q2
1 kΩ
1.6 kΩ
1.6 kΩ
Q3
Vo
4 kΩVcc
Vcc
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3
13 關於圖中振盪器之敘述，何者錯誤？
輸出信號（V）近似為方波
0
R1越大振盪頻率越低
R2越大振盪頻率越低
R2
R1
Vo
R3
C
＋
－
R3越大振盪頻率越低
14 如圖電路，下列何者為錯誤？
此電路為一階低通濾波器
R4
＋
－
R3
R1
C2
C1
R2
Vi
Vo
3
4
R
R
低頻訊號增益為 1+
2121
2
1
CCRR
π
高頻截止頻率為
頻率響應圖為
f
Av = Vo/Vi
＋
－
R
CL Vo
Vi
15 關於圖中電路，下列敘述何者正確？
此為低通濾波器
此為高通濾波器
此為帶通濾波器
此為帶拒濾波器
16 圖中等效電路的電壓增益，以下何者為錯誤？
有一個非無窮大的零點（Zero）
有兩個極點（Pole）
低頻電壓增益為：-gmRL
單位增益頻率（Unit Gain Frequency）為：gm/2π(C+CL)
C
gmVin
Vin Vout
CL
RL
17 圖示電路，其中R＝2R
2 1，且二極體導通時的電壓降為 0.7V。若輸入電壓vI＝-2V，則輸出電壓vO為若
干V？
＋
－
R
2
R
1
vI
vO
D
2
D
1
-4
-2
0
4
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4
值為何？
18 圖中電路，若運算放大器為理想，則Ii
＋
－
1 kΩ
1 kΩ
1 V
Ii
VO
4 kΩ
0.25 mA
1 mA
4 mA
5 mA
19 圖示理想運算放大器電路，若R＝2kΩ、R＝6kΩ、R＝3kΩ、R＝6kΩ，今輸入訊號v
1 2 3 4 I＝1mV，則輸
出電壓v為若干mV？
o
＋
－
＋
－
R
4
R
3
R
2
R
1
vI
vo
-8
-6
6
8
20 圖為含射極電阻R的差動放大器（Differential Amplifier）。其中R＝R
EC1 C2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2
＝0.5mA，電晶體的β為100。則差動放大器的差模電壓增益約為：
80 V
75
60
CC
C1 RC2
VO
+
VO－
VI－
VI
+
RE
Q1Q2
IB2
IB1
R
40
21 共射極（CE）電晶體放大電路中，RE為射極端外接電阻，hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值
：
接近R接近h遠小於h
遠大於R
EE ie ie
22 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β (＝Ic/Ib)為210，以及電晶體集極到
射極的交流輸出阻抗r(＝V/V
為50 kΩ，則此放大器的電壓增益A)約為多少？
oV o i
-100
2.6 kΩ
+20V
90 kΩ
Vo
Vi
10 kΩ650 Ω
-200
-300
-400
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23 P-通道增強型（Enhancement Type）MOSFET通道導通的條件是（VTH：臨限電壓）：
V ＝0 VVV
> V < V >0
GS GS TH GS TH GS
24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET？
汲極回授偏壓 自給偏壓 分壓偏壓 固定偏壓
25 如圖所示為一個交流等效電路，其輸入阻抗(Zin＝V／I)為：
i b
rπ+RE
b
＋
－
－
＋
Ibc
r
πβIb
Vo
RC
RE
e
Ie= (1+β)Ib
Vi
Zin
rπ
rπ((1+β)R )
E
rπ+(1+β)R
E
26 如圖的全波整流器電路，各二極體導通之VD＝0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰（Peak-to-Peak）為 12V
之正弦波，則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為：
12V
11.3V
10.6V
＋
－
＋
－
VO
VIR
9.2V
27 在室溫下，加熱一矽半導體，若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大，則可推測該矽半
導體最可能是：
n+型半導體 p+型半導體 純矽半導體 無從推測
28 一塊半導體置於均勻磁場 B中，若有電子流流向正 X方向，霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼
方向？ Y
X
Z
B
電子流
正Y
負Y
正Z
負Z
29 蕭特基電晶體邏輯（Schottky-Transistor Logic）電路動作速度比雙極性電晶體邏輯（Transistor -Transistor
Logic）快的原因是因為蕭特基電晶體：
沒有 RC 延遲因素 不會進入深飽和區 載體移動率較快 載體以穿透效應傳輸
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6
30 將硼(B)元素摻進純矽晶體中，則成為何種型別的半導體？
N型 P型 空乏型 增強型
31 圖中振盪器，C1＝10μF，C＝20μF，L＝100nH，R＝10kΩ。電晶體的跨導（Transconductance，g
2 m）
需約為多少才能維持振盪：
C1
C2
L
R
20mA/V
2mA/V
0.2mA/V
0.02mA/V
)(s
V
V
i
o
32 關於 之敘述，何者正確？
＋
－
C
R2
R1
ViVo
此為低通濾波器
此為帶通濾波器
2
1
R
R
−
其高頻增益為
R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
33 由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。其中R＝R＝10kΩ，負載電阻R＝20kΩ。若輸入電壓V
1 2 L IN
＝2V，則負載電壓VL為何？
＋
－
R
R
R1R2
RLVL
＋
－
VIN
0.5V
1V
2V
4V
34 圖示理想運算放大器電路，若輸出電壓vO＝2(v1－v2)，則：
R1＝2kΩ、R2＝4kΩ、R3＝10kΩ、R4＝10kΩ
＋
－
R
1
R
2
R
3
R
4
vO
v1
v2
R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝5kΩ、R4＝10kΩ
R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝3kΩ、R4＝4kΩ
R1＝2kΩ、R2＝3kΩ、R3＝3kΩ、R4＝8kΩ
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及Z分別代表輸入及輸出阻抗，r
35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中，Zi o d為MOSFET小訊號模型汲極
區域內電阻，下列敘述何者正確？
Zi＝R1+R2，Zo＝RD
Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝RD
Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝rd RD/( rd+RD)
Zi＝R1+R2，Zo＝rd RD/( rd+RD)
36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線，操作在那一點時功率損耗最多？
P1
P2
P3
P4
37 PN接面二極體，P型的雜質濃度為NA，N型的雜質濃度為ND，接面處P型的空乏區寬度為XP，N型的
空乏區寬度為XN，若NA＞ND，則下列敘述何者為正確？
X P＞XN XP＜XN XP＝XN NAXP＞NDXN
38 設VBE＝0.7V，則圖中的電流IC約為：
10.0mA
6.0mA
4.3mA
3.8mA
V
DD
R
D
V
R
o
1
D
Z
o
C
(∞)
1G
V
i
S
Z
R
i2
C
S (∞)
R
S
V0 (V)
Vi (V)
5.0
5.0
00
P4
P3
P2P1
3 kΩ
＋
－
VCC=20V
250 kΩ
IC
IE
IBVBE
β
=100
2kΩ
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39 圖中電路，假設VIN＝VDD，VG＝VDD，V＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，V
DD TH
）為 1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製程跨導參數（Process Transconductance Parameter，μn
Cox）為 50 μA/V2。寬長比（Aspect Ratio，W/L）為 2。則此電路的VO從0 V升至VDD/2 所需要的時間約
為：
1ns
0.8ns
0.4ns
VG
VO
VIN
C
0.2ns
40 某場效電晶體A對頻率f曲線如圖，其頻帶寬(BW)之定義為：
v
BW＝f4-f
1
BW＝f4-f
3
BW＝f2-f
f
3
10
f
4
f
1
f
2
100 1,000 10,000 100,000 1 MHz
0.707
1
Av
Avmi
d
3
BW＝f2-f
1
類科名稱：
１００年公務人員特種考試一般警察人員考試、公務人員特種考試警察人
員考試及特種考試交通事業鐵路人員考試
科目名稱： 電子學大意(試題代號：3909)
題 數： 40題
考試名稱：
標準答案：答案標註#者，表該題有更正答案，其更正內容詳見備註。
測驗題標準答案更正
題號
答案CCDCC AABDB BACAC BCCAA
題號
答案BBCAD #CABB CADBC CB#BD
題號
答案
題號
答案
題號
答案
01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
電子工程
備 註： 第26題一律給分，第38題答Ｄ給分。