加載中. ..
PDF
104年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員考試及104年
特種考試交通事業鐵路人員、退除役軍人轉任公務人員考試試題
代號：3909
頁次：8
－
1
等 別： 佐級鐵路人員考試
類 科 別： 電子工程
科 目： 電子學大意
考試時間： 1 小時 座號：
※注意：
本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
共40 題，每題 2.5 分，須用 2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
1 下圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益 Aod = 104，若輸出電壓 vO = -4 V，則輸入電壓 vI 約為多
少V？
-0.1 V
-0.2 V
-0.3 V
-0.4 V
2 下圖為一理想運算放大器電路，求其輸出電壓 VO =？
1 V
2 V
3 V
4 V
3 下圖運算放大器電路圖中接於腳位 1及腳位 5間之可變電阻 VR 的主要功能為何？
降低輸入偏移電流
調整偏移電壓
調整共模互斥比
調整電壓增益
4 圖示為理想運算放大器之電路，R1 =1 kΩ、R2 =25 kΩ、R =10 kΩ，則其輸入阻抗 Ri為若干 Ω？
1 k
10 k
25 k
∞
vI 1 MΩ
1 kΩ
vO
+
－
+12 V
VO
2 R
2 R
2 R 2 R 2 R
2 R
R R R+
－
+ VCC
+
－
2
3
4 5
6
7
-VEE
1
μ
A741
R
L
R
1
R
2
v
I
R
i
R
vO
+
－
VR
代號：3909
頁次：8
－
2
5 在邏輯電路中，輸出高至低的傳輸延遲（propagation delay）時間的定義為何？
由高準位電壓下降至 50%的高準位電壓所需的時間
由高準位電壓下降至 70%的高準位電壓所需的時間
由90%的高準位電壓下降至 10%的高準位電壓所需的時間
由80%的高準位電壓下降至 20%的高準位電壓所需的時間
6 下列何種記憶體 IC 不屬於非揮發性記憶體（Non Volatile Memory）？
DRAM Mask ROM EP-ROM Flash
7 P通道空乏型 MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會：
無影響 減小 加大 無法判斷
8 當一雙極接面電晶體（BJT）操作於主動模式，其轉導值（transconductance）gm與集極電流 IC的關係為：
gm∝IC gm∝C
I gm∝
C
I
1
gm∝
C
I
1
9 圖中的 LCR 振盪器，當電容 C值增加 2%時，其振盪頻率 ω0改變多少？
0.5%
不變
-0.5%
-1%
10 在P型半導體材料中，電流傳導的主要載子為：
電子 離子 電洞 質子
11 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為 VS，二極體正向壓降為 VD，請問二極體的
峰值反向電壓為何？
VS – VD VS – 2VD 2VS – VD 2VS – 2VD
12 有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？
光二極體工作於順向偏壓區
不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應
不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比
光二極體之逆向電流和光強度成正比
13 圖示理想二極體電壓，變壓器次級圈交流電壓有效值為 10 Vrms，試問在穩定狀態時 vO的電壓約為若干？
10 V
14 V
20 V
28 V
14 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V，已知電壓 vS (t)= 12 sin(120πt)V、C =47μF、VDC = 3 V、
R為無窮大，在穩態時，電容 C兩端的電壓約為多少？
12 V
11.7 V
8.3 V
3.7 V
R
C
L
C
D
2
ac
D
1CvO
10 Vrms
+
－
C
D
R
VD
C
vO
v
S
代號：3909
頁次：8
－
3
15 如圖電路中，D1與D2均為理想二極體。當 VI = +5 V 時，Vo的值為：
2 V
5 V
7 V
10 V
16 下圖為理想二極體的截波電路，其輸入波形被截波後的輸出電壓為何？
3 V
4 V
5 V
6 V
17 齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？
放大 濾波 整流 穩壓
18 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、re、rπ及輸出電
阻ro均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻 Rout（不含 RL）為：
RC + ro
ro
RC || ro
RC + re
19 圖示放大器電路若電流源 I為1 mA、RB = 100 kΩ，RC = RL = 2 kΩ，Re = 100 Ω，電晶體電流放大率 β = 100，
則電壓增益約為若干？
-100
-10
-8
-4
+10 V
1 mA
Vo
2 kΩ
D1
D2
V
I
ViVo
2 kΩ
3V
2 kΩ
+VCC
RC
Rsig CC1Vi
CC2
Vsig +
－
RB
Rout
VO
RL
CE
-VEE
I
+VC
C
R
C
vo
R
L
R
e
R
B
vi
-VEE
I
∞
∞
∞
+
－
代號：3909
頁次：8
－
4
20 圖中電晶體的 VT = 25 mV，β = 100，VBE = 0.7 V，其電流增益（io / ii）約為：
8.3
10.1
83
101
21 在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc進入基極，該電容 Cc之主
要功能為何？
使電壓增益變大 使電流增益變大 隔離雜訊 隔離直流
22 圖示電路中場效電晶體 FET 之VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation
Region），電壓 vG應如何？
0.5 V ≤vG≤3.5 V
1.5 V ≤vG≤3.5 V
0.5 V ≤vG≤2.5 V
1.5 V ≤vG≤2.5 V
23 如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？
RC過大增益可能減低
若電晶體操作於主動區，增加 RE則增益增加
若電晶體操作於飽和區，增加 RB可使電晶體進入順向主動（forward active）區
若電晶體操作於飽和區，增加 RE可使電晶體進入順向主動（forward active）區
+10 V
VO
+
－
io
-10 V
100 kΩ
ii
10 kΩ
(∞)
10 kΩ10 kΩ
10 kΩ
(∞)
(∞)
+1 V
+3 V
vG
VCC
Vo
RBRC
RE
Q1
C
Vi
－
+
VS
代號：3909
頁次：8
－
5
24 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 ro =10 kΩ，Rb =10 kΩ，
RD =10 kΩ，RS =1 kΩ，試求 Vo /Vi約為多少？
-10/3
-5
-20/3
-25/3
25 有一 n通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界
電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS =1.5 V 時，其 ID = 1 mA，則當 VGS 增為 2.5 V 時，其 ID為：
仍為 1 mA 增為 2 mA 增為 3 mA 增為 4 mA
26 關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？
放大器本身之輸入阻抗為 0 放大器本身之輸出阻抗為無限大
放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同 其增益單位為歐姆（Ω）
27 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓 VT =1 V、μnCox(W/L) = 100 μA/V2，電壓 VD = 0.2 V，則電阻 RD 約為若干
kΩ？
34
54
74
94
28 如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro→∞，
則此放大器的輸入電阻 Ri為何？
RS
1/ gm + RS
∞
0
VDD
Vo
Vi
Rs
RD
R
b
C1
V
b
VDD=3 V
R
D
VD=0.2 V
vO
v
I
+VDD
Ri
Rs
代號：3909
頁次：8
－
6
29 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益，下列敘述何者無
法降低放大器之低頻 3 dB 頻率ωL？
增加 RS
增加 RB
增加 RC
增加 C值
30 如圖之電路，振盪發生時，R2 / R為何？
19
29
39
49
31 下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器？
考畢子振盪器 韋恩電橋振盪器 哈特萊振盪器 石英晶體振盪器
32 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之
功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45，VT = 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為何？
1 GHz
2 GHz
3 GHz
4 GHz
VCC
RC
RB
Vo
Vi RS C
RE
Q1
R
2
Vo
R
R
+
－
R
CCC
2.5 V
Vo
R
1
Vin
2 pF
代號：3909
頁次：8
－
7
33 如圖之電路，振盪發生時其振盪頻率為何？
198 Hz
298 Hz
398 Hz
498 Hz
34 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為 ±15 V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？
10 V
15 V
18 V
30 V
35 下圖振盪器電路中，Vo 輸出是屬於下列那一種波形？
三角波
方波
正弦波
脈波
36 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？
低通濾波器
高通濾波器
帶通濾波器
全通濾波器
R1
R1
Vi
C
R2
R1
R
2 +
－Vo
R3
Vo
-VCC
Vi
2kΩ
1 V +
－
0.1 μF
4 kΩ
4 kΩ
R
1
R
2
0.1 μF
+
－
Vo
3 kΩ
+VCC
C
－
+
Vo
+
+
－
－
代號：3909
頁次：8
－
8
37 圖中振盪器 μH
10
L1
π
=，μH
30
L2
π
=，nF
100
C
π
=。其振盪頻率約為：
1 MHz
500 kHz
250 kHz
125 kHz
38 一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為 10 V，則在高 3分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出
電壓峰值約為多少？
5 V 7 V 10 V 14 V
39 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為10 mA/V，Ibias 為理想直
流偏壓電流，電晶體之 β = 10。忽略元件之輸出阻抗 ro，試求 Vo /Ii約為多少？
10 kΩ
100 kΩ
120 kΩ
1.2 MΩ
40 分析以下之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試求其輸
入端等效之偏移電壓（offset voltage）|Vos| =？
1 mV
2 mV
10 mV
20 mV
VDD
Vo
Vi
9.9 kΩ10.1 kΩ
M1
M2
Vo
10 kΩ
Ibias
Q1
Q
2
Ii
VCC
L1
2 mA
C
R
L2
+
－
類科名稱：
104年公務人員特種考試警察人員考試、104年公務人員特種考試一般警察人員考試、
104年特種考試交通事業鐵路人員考試及104年特種考試退除役軍人轉任公務人員考試
科目名稱：電子學大意
測驗題標準答案更正
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
D第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
第21題 第22題 第23題 第24題 第25題 第26題 第27題 第28題 第29題 第30題
第31題 第32題 第33題 第34題 第35題 第36題 第37題 第38題 第39題 第40題
第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
BBDCABADC
C DCA#DCCA
DCBADBCCCB
BA CADCBDD
A
C
複選題數： 複選每題配分：
備 註： 第16題一律給分。
標準答案：答案標註#者，表該題有更正答案，其更正內容詳見備註。