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105年公務人員特種考試警察人員、一般警察人員
考試及105年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
考試別 ：鐵路人員考試
等別 ：佐級考試
類科別 ：電子工程
科目 ：電子學大意
考試時間
：1小時 座號：
※注意： 本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
共40 題，每題2.5 分，須用2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3909
頁次：7
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1
1 某一內部補償的運算放大器，其直流開迴路增益為 100 dB，單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）
為2MHz，求頻率在 2kHz時的開迴路增益？
10 dB 20 dB 30 dB 60 dB
2 一運算放大器其增益為 5
103×，直流供應電壓為±12 V，最大輸出電壓變化範圍為±11.5 V，當其正輸
入端與負輸入端電壓分別為 50 μV和90 μV，其輸出電壓為何？
11.5 V -11.5 V 12 V -12 V
3 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為 0.628 V/μs，當輸入電壓振幅為 5V之正弦波時，
其最大不失真的輸入頻率為何？
1kHz 2kHz 10 kHz 20 kHz
4 圖中邏輯電路的輸出信號 Y為何？
DCBAY +++= ABCDY = D)B)(C(AY ++= D)B)(C(AY ++=
5 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列何項敘述正確？
β定義為 IB/IC
相同電路之下，β較小的電晶體較易飽和
β值大小與溫度無關
工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於 β
6 關於 P-N 接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？
逆向崩潰電壓較順向導通電壓為大
PN 區域雜質濃度越高，若發生稽納式崩潰（Zener breakdown）時，崩潰電壓越大
溫度越高，若發生雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）時，崩潰電壓越大
雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓較稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓為大
7 如圖所示之電路為何種濾波器？
低通 帶通 高通 全通
A
B
C
D
Y
C
L R
Vin Vout
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2
8 將砷（As）元素經熱擴散摻進純矽晶體中且取代矽原子，此矽晶體將成為何種摻雜型式半導體？
正（P）型 負（N）型 以上皆有可能 無法確定
9 圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號的峯值為 Vm，請問在那兩個端點間可得到 4V
m的輸出？
A、B端點 A、C端點 F、E端點 F、D端點
10 如圖所示，跨於二極體的電壓 VD應為：
0.7 V -5 V -7 V -10 V
11 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓 vs為一交流弦波，大小為 110 Vrms，頻率為 60 Hz，
R=25 Ω，則 io之均方根值（rms）為何？
2.11 A 3.11 A 4.11 A 5.11 A
12 圖中為一由兩個 5.7 V 稽納（Zener）二極體所構成的截波電路，其順偏時的電壓為 0.7 V，請問輸入
波形被截波的電壓為何？
±1.4 V ±5V ±6.4 V ±11.4 V
13 圖示整流電路，輸入 vI為弦波，若二極體 D的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？
vI的週期變大 vI的峰值電壓變大 電容值 C變大 電阻值 R變大
A B C
D
ＥＦ
Vi
+
－
+
－
VD
+12 V 10 kΩ
40 kΩ2 kΩ
+
－
VsVo
io
Vo
Vi
R
+
－
vO
R
D
C
vI
R
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3
14 如圖電路，稽納二極體的 Vz=5 V，電源 V=10 V，R=2 kΩ，則 RL的最小值 RLmin 約為多大？
1kΩ 2kΩ 3kΩ 4kΩ
15 如圖電路，設二極體為理想二極體。I=1 mA，E=10 V，R=10 kΩ，則流經二極體之電流 ID為多大？
0mA 0.5 mA 1mA 2mA
16 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 gm=0.5 mA/V，VA=∞，RD=5 kΩ，則此放大器的電壓
增益 |Av|為：
0 2V/V 2.5 V/V ∞
17 關於下列之放大器，若電晶體操作於飽和區，且電流源為理想，下列敘述何者錯誤？
Ibias 增加，若電晶體維持操作於飽和區，則其電壓增益越大
Cs=0 則其電壓增益為 0
若W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）
若RD增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區（triode region）
+
－
RL
IZ
VZ
R
V
+
－
E
I
R
R
R
ID
+
－
+VDD
RD
vO
CS
-VSS
I
Ri
vI
VDD
RD
Vo
Vi
RG
CS
C
Ibias
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4
18 如圖的放大器（其偏壓電路未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的電壓
增益約為何？
-gmRC -gm(RC//ro) -RC/RE -ro/RE
19 雙極性接面電晶體中，下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大？
共射極組態 共基極組態 共集極組態 共閘極組態
20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID
來達成？
將ID增為 4倍 將ID增為 2倍 將ID增為 2倍 將ID減半
21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？
BJT 的轉導（Transconductance）gm比FET 的轉導大
BJT 的輸出電阻 ro比FET 的輸出電阻小
BJT 的本質增益（Intrinsic Gain）A0比FET 的本質增益大
BJT 的輸入阻抗 Ri比FET 的輸入阻抗小
22 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1mA/V，輸出
阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo/Vi=？
-2.5 -5 -10 -20
23 圖示電路，若電晶體 β=100，VBE(on) =0.7 V，電流 IC約為若干 mA？
0.2 0.4 0.7 1.3
vO
+VCC
vI
RE
RC
VDD
Vo
M1
Vi
Vb
+
－
1 kΩ
10 kΩ
10 V
1 kΩ
2 kΩ
400 kΩ
100 kΩ
IC
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5
24 P通道空乏型 MOSFET 閘極加上正電壓時，其通道導通程度會：
減小 加大 無影響 不一定
25 如圖電路，設電晶體的 β=100，VBE =0.7 V，則 IC電流約為：
19.6 mA 9.3 mA 0.1 mA 0mA
26 圖示放大器電路中的電阻 Re主要功用為何？
降低輸出阻抗 提升電壓增益
提高輸入訊號的線性放大範圍 頻率補償
27 在BJT 的小訊號參數中，下列那一個關係式錯誤？
re=VT/IE rπ=VT/IB gm=IC/VT ro=VT/IC
28 如圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC=1 mA，VT=26 mV，
β=100，Cπ=100 fF，Cμ=20 fF，且 CCS =30 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求於 BJT 輸入端之極點
頻率為何？
516 MHz 616 MHz 716 MHz 816 MHz
+10 V
IC
100 kΩ0.5 kΩ
RC
+VCC
vo
RL
Re
RB
Rsig
vsig
-VEE
+
－
Vo
VCC
Vin
2 kΩ
200 Ω
代號：3909
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6
29 如圖所示之電路，若忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？
該電路為高通放大器 增加 Ib有助於降低低頻-3 dB 頻率（ L
ω）
Cc增加有助於降低低頻-3 dB 頻率（ L
ω） 該電路為同相放大器
30 如圖所示之理想運算放大器電路，
2
n
n
2
in
o
ω
Q
ω
ss
a
(s)
V
V
++
=，求 n
ω為何？
10 kHz 50 kHz 100 kHz 200 kHz
31 非反向運算放大器電路具有增益 40 dB，其 3dB頻率為 25 kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系
統需要 50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？
10 V/V 20 V/V 50 V/V 100 V/V
32 關於 CC-CC 放大器的特性，下列何者正確？
低輸入阻抗 高輸出阻抗 高電壓增益 高電流增益
33 若增加差動放大器中之射極電阻，則：
Acm 增加 Acm 不變 CMRR 值增加 CMRR 值減少
34 圖示差動放大器，若電晶體 Q1與Q2的特性相同，Q3與Q4的特性相同，且其轉導（Transconductance）
gm皆為 2mA/V、輸出電阻 ro皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 Ad=vo/vid =？
-20 -10 10 20
35 有一電路的轉移函數 1s
100
T(s)
+
=，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與
|T(s)|的變化關係，下列何者正確？
頻率每增大十倍，|T(s)|減少 10 dB 頻率每增大十倍，|T(s)|減少 20 dB
頻率每增大二倍，|T(s)|減少 10 dB 頻率每增大二倍，|T(s)|減少 20 dB
VCC
+
－
Ib
Vb
Cc
Vi
Vo
R
Vo
Vin +
－
2 nF
5 kΩ
2 nF
5 kΩ
+
－
-VSS
VDD
Q1Q2
Q3Q4
vo
I
vid
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36 下圖由 5個NOT 閘組成之環形振盪器，若每一個 NOT 閘的延遲時間（Delay Time）為 2ns，則此電
路之振盪頻率為多少？
25 MHz 50 MHz 100 MHz 125 MHz
37 一個兩級串接放大器電路，其第一級放大器之低 3分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）與高 3分貝頻
率（Upper 3 dB Frequency）分別為 1kHz與1MHz。電路中第二級放大器之低 3分貝頻率（Lower 3
dB Frequency）與高 3分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為 10 kHz 與2MHz。則此放大器之頻
寬約為：
990 kHz 999 kHz 1990 kHz 1999 kHz
38 關於韋恩（Wien）振盪器，下列敘述何者正確？
振盪波形為方波 振盪波形為三角波 振盪波形為單一脈波 振盪波形為弦波
39 圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配，所有電晶體的|VA|=2 V，過驅電壓（Overdrive voltage）
|VOV |=|VGS－Vt|=0.2 V，工作電流 ID皆為 0.2 mA，則輸出阻抗 Ro約為若干 kΩ？
50 100 150 200
40 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？
低通濾波器 高通濾波器 帶通濾波器 帶拒濾波器
VDD
Q1
Q2
Q3
Q4
vo
VG4
VG3
VG2
vi
Ro
+
－
Vi
+
－
Vo
R
C
L
類科名稱：
105年公務人員特種考試警察人員考試、105年公務人員特種考試一般警察人員考試及
105年特種考試交通事業鐵路人員考試
科目名稱：電子學大意
測驗題標準答案更正
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
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答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
D第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
第21題 第22題 第23題 第24題 第25題 第26題 第27題 第28題 第29題 第30題
第31題 第32題 第33題 第34題 第35題 第36題 第37題 第38題 第39題 第40題
第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
BDADBCBDD
B ABACCCCA
BBCABCDAB#
CD DBBADBD
C
C
複選題數： 複選每題配分：
備 註： 第30題一律給分。
標準答案：答案標註#者，表該題有更正答案，其更正內容詳見備註。