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3 CMOS 場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的?
PN 接合型場效電晶體 MOS 空乏型場效電晶體
MOS 增強型場效電晶體 各型場效電晶體都可以
4 在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益,應選擇下列那一種放大器組態?
共閘極組態 共源極組態 共汲極組態 都可以
5 一個正脈波(窄幅波)中,高、低電位各為 6伏特與 1伏特,對應之工作週期分別為 20% 與80%。
問此正脈波的平均電壓為多少?
1伏特 2伏特 5伏特 6伏特
6 有一 JFET,其 IDSS = 12 mA,VGS(off)= - 4 V,則在偏壓點 VGS= - 1.5 V 時,此 JFET 的gm值為何?
7.5 毫姆歐 7.5 毫歐姆 3.75 毫姆歐 3.75 毫歐姆
7 如圖所示為雙極性電晶體 Q接成共射極組態,若逆向飽和電流為 ICBO 且電流增益為 β,試問電晶體 Q
的截止條件為何?
iB = 0,iC = 0,iE = -ICBO
iE = 0,iC = ICBO,iB = -ICBO
iB = 0,iC =βICBO,iE = -(1+β)ICBO
iB = -ICBO,iC = ICBO,iE = (1+β)ICBO
8 有一共汲極放大器(common-drain amplifier),其增益為 A = 0.9,且 Cgs = 50 fF,Cgd = 10 fF,則其
輸入電容(input capacitance)應為多少 fF?
510 90 45 15
9 下列有關 FET 與BJT 特性比較的敘述,何者最為正確?
BJT 雜訊較低 FET 輸入阻抗較高
BJT 高頻響應較差 FET 增益頻寬的乘積較 BJT 為大
10 當理想運算放大器接成電壓隨耦器(voltage follower)應用時,下列敘述何者錯誤?
電壓增益為 1 輸入阻抗為無窮大
輸出端接至運算放大器的同相輸入端 輸出阻抗為零
11 有 一放大器電路如圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器,其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之
間,二極體 D1 順向電壓 VD0=0.7 V。若電阻 R1=1 kΩ,電源 VI=-5 V,試問節點 B的電壓 VB應落
在下列何範圍內?
VB
≧
-4.0V
-4.0V > VB
≧
-4.5V
-4.5V > VB
≧
-5.0V
-5.0V > VB
I
CBO
i
B
i
C
Q
i
E