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1 0 3
年
公務人員
特種
考試
警 察 人 員 考 試
103
年 公 務 人 員 特 種
考試
一 般 警 察 人 員 考 試
103
年特種考試交通事業鐵路人員考試試題
等 別：佐級鐵路人員考試
類 科：電子工程
科 目：電子學大意
考試時間： 1 小時
座號：
※注意：
本試題為單一選擇題，請選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題不予計分。
共40 題，每題2.5 分，須用2B 鉛筆在試卡上依題號清楚劃記，於本試題上作答者，不予計分。
可以使用電子計算器。
代號：3908
頁次：8
－
1
Vout
Vin
2.5kΩ
5kΩ
+10V
1 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15 V，則使輸出改變狀態之 Vin 轉折電壓為何？
+5 V
-5 V
+15 V
-15 V
2 下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？
零共模增益 無限大共模拒斥 常用為差動輸入 常用為交流耦合
3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？
變大
變小
保持-90°不變
保持-180°不變
4 如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？
)DC)(BA(
)DB)(CA(
)CD)(AB(
)BD)(AC(
C
R
vo
vI
VDD
VO
A
C
B
D
代號：3908
頁次：8
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2
5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性
相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已
知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線 A點兩電晶體
MP1、MN1 的工作狀態。
電晶體 MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區
電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區
電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區
電晶體 MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區
6 在一般 MOSFET 元件中，為何閘極電流幾乎為零？
因為有閘絕緣層在通道上方 因為有空乏區在通道上方
因為閘極反偏 因為元件靠電壓驅動
7 雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為：
源極 基極 集極 閘極
8 一個理想二極體，在逆向偏壓時：
電流為零 電壓為零 電阻為零 電容為零
9 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍，細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻
Rm = 1 kΩ，最大可容許通過的滿載電流 Immax = 100 μA。已知加入的並聯電阻值分別為 Ra = 9.09 Ω、
Rb = 0.909 Ω、Rc = 0.101 Ω，今將切換開關接到 B接點，試研判這樣的組態在電表正負端接點之間
最大的電流量測範圍？
100 μA
1 mA
10 mA
100 mA
代號：3908
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3
10 若P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V，導通電阻值為 0 Ω。則 2 V 電壓源流出之電流值為何？
1.5 mA
1.3 mA
1.1 mA
0.7 mA
11 今欲設計二極體整流電路使 vO產生負極性的電壓輸出，下列何者正確？
12 圖示由理想二極體構成電路，若電阻 R為0.5 kΩ，則電流 I為若干 mA？
6
8
10
12
13 如圖所示之電路，二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？
C1的耐壓為 2 Vm
C1+C3的耐壓為 4 Vm
C2+C4的耐壓為 3 Vm
D4的峰值反向電壓為 2 Vm
vAC
R
D2
vO
D1
vS
vAC
R
D2
vO
D1
vS
vS
vAC
R
D2
vO
D1
vAC
R
D2
vO
D1
vS
R
+5V
+2V
+1V
0V
vo
I
2V
1kΩ
1kΩ
1kΩ
Vmsinωt
D4
D3
D2
D1
C1
C3
C2
C4
代號：3908
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4
VCC
RC
RE
vi
vb
vo
14 如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為 0.7 V，輸入電壓 vi為一峰值 10 V 之交流正弦波，試求
輸出電壓之最大負值為何？
-5.3 V
-10.7 V
-14.3 V
-20.7 V
15 如圖所示之電路，輸入電壓 vi為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降皆
為0.7 V，求二極體之峰值反向電壓約為何？
17.4 V
34.7 V
69.4 V
104.1 V
16 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降，其溫度係數（Temperature Coefficient）為：
零溫度係數 正溫度係數
負溫度係數 正負溫度係數依導通電壓大小而定
17 對理想二極體之敘述，下列何者錯誤？
順向時視為短路，逆向時視為開路 順向電阻等於零，逆向電阻無限大
順向電壓等於零，逆向電流無限大 無順向電壓降，無逆向電流
18 雙極性接面電晶體的各種組態放大器，何者最適合作輸出端的阻抗匹配？
共基極放大器（CB） 共集極放大器（CC） 共射極放大器（CE） 共汲極放大器（CD）
19 分析下圖之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為10 mA / V，β=10，
RE=1 kΩ，RC=10 kΩ，忽略元件之輸出電阻 ro，試求 vo / vi約為多少？
5
8
12
15
20 如圖所示共射極放大器（CE）（偏壓電路略去未繪），其電壓增益 Av≡vo / vi大致可表為：
-gmRC
-gm(RC+rπ)
-RC/(RE+re)
-Rsig/RE
vsig
Rsig
vi
vo
RC
RE
+VCC
5V
vi
vo
1kΩ
vi
vo
4:1
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5
RE
RC
VCC
Q1
VB
21 若下圖電路中之 BJT 電晶體操作於飽和區，下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區（forward
active region）？
減小 VCC
加大 VB
加大 RE
加大 RC
22 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素？
使用的電晶體型式 放大器的負載電容 放大器的電壓增益 放大器中的耦合電容
23 如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓 VGS 為-2.6 V，
汲極電流 ID為2.6 mA，IDSS 為8 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP為-6 V，則此放大器的輸入阻
抗Zi約為多少？
470 kΩ
680 kΩ
1 MΩ
1.8 MΩ
24 圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，電晶體 β = 100，VBE = 0.7 V，當電路處最佳工作點，則電阻
RB約為若干 kΩ？
115
230
460
575
25 關於 MOSFET 電晶體之輸出阻抗，下列敘述何者錯誤？
相同電流且寬長比（W / L）相同之條件下，通道長度越長輸出阻抗越大
固定元件尺寸之條件下，電流越大輸出阻抗越大
電晶體操作在飽和區（saturation）時之輸出阻抗較操作在三極管區（triode region）時之輸出阻抗大
輸出阻抗是由於通道調變效應所造成
IC
10V
RB
3V
10kΩ
VO
CS
+20V
4.7kΩ
680kΩ
1kΩ
Vi
Zi
代號：3908
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6
RG
RL
RS
RD
CC2
CS
CC1
26 已知一 BJT 電晶體之 β = 100，gm = 0.01 A / V，求圖中電路之 Rin 值？
1 kΩ
10 kΩ
100 kΩ
500 kΩ
27 如圖電路所示，若電晶體參數 β = 100，Cμ = 2 pF，Cπ = 6 pF，則其高頻-3dB 頻率約為多少 kHz？
110
220
330
550
28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中，何者錯誤？
低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關，而是與外部電容有關
高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大
當外部電容愈大，低-3 dB 頻率愈小
在場效電晶體內部電容中，Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大
29 一般 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種？
共源極 共汲極 共閘極 具源極電阻之共源極
30 如圖所示一放大器，外接電容為 CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和Cgd。有關此放大器
電路在中頻的增益（Mid-band gain），下列敘述何者正確？
主要是受外接電容的影響
主要是受 MOSFET 寄生電容的影響
受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同
均不受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響
vS
VCC
VO
Vi
RS=10kΩ
Rin
RC=10kΩ
10kΩ
10kΩ
vo
0.5mA
20V
∞
Vo
－Vss
VDD
Vsig
代號：3908
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7
VCC
RC2
VO
VI
—
VEE
RE
VI+
RC1
Q1
Q2
31 下列為一被動式濾波器（Passive filter）。試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡VO / Vi的數
學形式為何？
2
0
0
2
0
i
O
s
Q
s
s
a
V
V
)s(T
2
0
0
2
0
i
O
s
Q
s
1
a
V
V
)s(T
0
0
i
Oss
a
V
V
)s(T
0
0
i
Os1
a
V
V
)s(T
32 下列何者可產生方波？
考畢子（Colpitts）振盪器 無穩態多諧振盪器（Astable Multivibrator）
雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator） 韋恩橋式（Wien Bridge）振盪器
33 相較於共射極放大器（CE），下列有關共基極放大器（CB）之敘述，何者正確？
輸入阻抗較大 頻率響應較佳
輸出電壓與輸入電壓相位差 180° 輸出阻抗較低
34 下列何者為全通（All Pass）被動濾波器的主要功用之一？
放大訊號 去除雜訊
類比訊號轉換為數位訊號 提供相位移
35 圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中 RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE / 2，VCC = -VEE = 5 V，
電晶體的 β為100，放大器的輸入共模（Common Mode）偏壓為 0 V。則差動放大器的共模拒斥
比（Common Mode Rejection Ratio, CMRR）約為？
344
258
172
86
36 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何？
約1000 約100 約10 約1
代號：3908
頁次：8
－
8
37 分析下圖之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為1 mA / V，忽略元件之輸出阻抗 rO，
試求 VO / Vi？
5
10
-5
-10
38 有一電路的轉移函數
1s
100
)s(T
，則下列何者正確？
半功率頻率為 100 rad / sec 增益為 100 dB 的頻率為 1 rad / sec
直流增益為 40 dB 高頻增益為 100
39 如圖振盪電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 10 kΩ、
Rf = 20.3 kΩ、R2 =3 kΩ、R3=1 kΩ、R4 = 1 kΩ、R5 = 3 kΩ。在放大器 U1正端輸入設有一回授
網路，其中 CS = 16 nF、RS = 5 kΩ、CP = 16 nF、RP = 5 kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對
峰值（peak-to-peak value）約為多少？
6 V
11 V
16 V
21 V
40 若欲提高雙極性接面電晶體（BJT）差動放大器之共模拒斥比（CMRR），則差動電路中之射極端以
連接下列何種元件為較佳？
定電流源 定電壓源 定電阻 定電容
VDD
M1
Vi
VO
10kΩ
M2
Ib
R2
CS
CP
RP
RS
R1
U1
Rf
D1
R3
D2
R4
R5
＋V
－V
V+
V—
VA
VO
VB
類科名稱：
103年公務人員特種考試警察人員考試、103年公務人員特種考試一般警察人員考試及
103年特種考試交通事業鐵路人員考試
科目名稱：電子學大意（試題代號：3908)
測驗式試題標準答案
考試名稱：
電子工程
單選題數：40題 單選每題配分：2.50分
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
題號
答案
第1題
B第2題 第3題 第4題 第5題 第6題 第7題 第8題 第9題 第10題
第11題 第12題 第14題 第15題 第16題 第17題 第18題 第19題 第20題
第21題 第22題 第23題 第24題 第25題 第26題 第27題 第28題 第29題 第30題
第31題 第32題 第33題 第34題 第35題 第36題 第37題 第38題 第39題 第40題
第13題
第41題 第42題 第43題 第44題 第45題 第46題 第47題 第48題 第49題 第50題
第51題 第52題 第53題 第54題 第55題 第56題 第57題 第58題 第59題 第60題
第61題 第62題 第63題 第64題 第65題 第66題 第67題 第68題 第69題 第70題
第71題 第72題 第73題 第74題 第75題 第76題 第77題 第78題 第79題 第80題
第81題 第82題 第83題 第84題 第85題 第86題 第87題 第88題 第89題 第90題
第91題 第92題 第93題 第94題 第95題 第96題 第97題 第98題 第99題 第100題
DCACACADC
A DCBCCBBC
CDBCBBABBD
CB DDDACDA
C
B
複選題數： 複選每題配分：
標準答案：
備 註：