103年 地方特考 三等 電力工程 電子學 試卷

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103年特種考試地方政府公務人員考試試
代號:
34260
34360
全一張
(正面)
別:
三等考試
科:
電力工程、電子工程
目:
電子學
考試時間:
2小時
※注意:
可以使用電子計算器。
不必
(請接背面)
一、如 pseudo NMOS
V5.0VV tp
tn
V3VDD
pp
n
n(W/L)8k(W/L)k ,,
DDIVv
時,求 vO。此時 QNQP各處於何種狀態?(截止區、飽和區、三極
管區三者之一)說明理由。(10 分)
vI vOvOQNQP10 分)
二、如大器(Operational Amplifier , OPAMP
OPAMP輸入 Z(s)20 分)
vI
vO
QN
QP
VDD
A1
A2
Z(s)
R
R
R
R
C
103年特種考試地方政府公務人員考試試
代號:
34260
34360
全一張
(背面)
別:
三等考試
科:
電力工程、電子工程
目:
電子學
三、有一個放大器,其開路增益之轉換函數為
)
ff
j1)(
f
f
j1(
0050
)f(A
21
其中 f2 = 100 kHzf1可外接電容加以調整。將此電路接成迴授電路使其具有低頻
授增益為
100,且有 45 的相位邊限(phase margin)。求解 f1值?20 分)
四、如下圖所示為一考畢子振盪器(Colpitts Oscillator)電路,點線框內為放大器 A
等效電路。求振盪頻率以及維持振盪所需的最小 K值,以 roRLC1C2L表之
20 分)
五、請回答下列問題:(每小 10 分,共 20 分)
有一個二極,其電壓電流特性為
1))(exp(V/VII TS
,將此二極體施以順偏壓,
使其電流為 ID。若再加以小信號電流 id,問對應的小信號電壓 vd應為多少?
一個以空乏型 N-MOSFET 作為負載、增強型 N-MOSFET 為推動電晶體的放大
器。說明負載電晶體的本體效應(Body effect)對放大器增益的影響。
RL
AA
C2
C1
L
vi
vo
vo
ro
Kvi
vi
A
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