
可以使用電子計算器。
不必抄題,作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上,於本試題上作答者,不予計分。
一、如 下 圖 所 示 為 一 pseudo NMOS 反 相 器 ,
,
,
:
當
時,求 vO。此時 QN與QP各處於何種狀態?(截止區、飽和區、三極
管區三者之一)說明理由。(10 分)
若vI為 小題解出的vO值時,vO值為何?此時QN與QP各處於何種狀態?(10 分)
二、如下圖所示,電路中兩個運算放大器(Operational Amplifier , OPAMP)均為理想
OPAMP。求輸入阻抗 Z(s)。(20 分)

三、有一個放大器,其開路增益之轉換函數為
)
ff
j1)(
f
f
j1(
0050
)f(A
21
其中 f2 = 100 kHz,f1可外接電容加以調整。將此電路接成迴授電路使其具有低頻迴
授增益為
-
100,且有 45 的相位邊限(phase margin)。求解 f1值?(20 分)
四、如下圖所示為一考畢子振盪器(Colpitts Oscillator)電路,點線框內為放大器 A的
等效電路。求振盪頻率以及維持振盪所需的最小 K值,以 ro,RL,C1,C2,L表之。
(20 分)
五、請回答下列問題:(每小題 10 分,共 20 分)
有一個二極體,其電壓電流特性為
,將此二極體施以順偏壓,
使其電流為 ID。若再加以小信號電流 id,問對應的小信號電壓 vd應為多少?
一個以空乏型 N-MOSFET 作為負載、增強型 N-MOSFET 作為推動電晶體的放大
器。說明負載電晶體的本體效應(Body effect)對放大器增益的影響。