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8
年
特種考試地方政府
等 別：三等考試
類 科：電力工程、
電子工程
科 目：電子學
考試時間：2小時
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，
作答時請將試題題
本科目除專
門名詞或數理公式外
代號：
34060
34160
頁次：
2
－
1
一、如圖一，
假設所有二極體在
和1 mA
以上的二極體壓降固定在
特性圖）。（20 分）
二、如圖二，R1=R4=1 kΩ，
R
C1=∞，C2=∞，
在直流偏壓之工作點
（5分）總增益（
overall gain at
fH=？（5分）
VI
Vs
-
+
特種考試地方政府
公務人員
考試
電子工程
座號
作答時請將試題題
號及答案依照順序寫在試卷上，
於本試題上作答者
門名詞或數理公式外
，應使用本國文字作答。
假設所有二極體在
0.5 V 時開始導通，
同時其導通電流在
以上的二極體壓降固定在
0.7 V，請畫出
Vo
圖一
R
2=60 kΩ，R3=2 kΩ，β=200，
Cµ=0.8 PF
在直流偏壓之工作點
VBE=0.7 V，求 g
m
overall gain at
midband）Gv=Vo/V
s=
圖二
R
Vo
D
1
D
3
D
2
D
4
C1
C2
R1R2
R3
R
Rin
+1.5V
-
+
考試
試題
座號
：
於本試題上作答者
，不予計分。
同時其導通電流在
1 mA
Vo
-VI 圖（輸出-輸入
Cµ=0.8 PF
，fT=600 MHz，
m
=？（5分）rπ=？
s=
？（5分）3dB 點
R
4
Vo
三、如圖三，Q1、Q2之β
=15
Vo
Vs =？（10 分）
四、
圖四為通用缺口式濾波器之電路圖
波器（
Low Pass Notch
五、圖五為單一電晶體 D
RAM
此單元在讀取 0、1
資料的工作原理
（20 分）
V
s
NMOS
Vs
=15
0，其中R1=R2=200 Ω，R3=15k
Ω
，
圖三
圖四為通用缺口式濾波器之電路圖
，
此電路若要調整組成低通缺口式濾
Low Pass Notch
，LPN），其 L、C
元件之關係為何
圖四
RAM
（one-transistor DRAM）
單元
資料的工作原理
（假設
Bit line capactiance
圖五
V
L
1
L
2
C1
C2
R
Word line
NMOS
Bit line
Q
Cs
Rin
R1R2
R
3
Q
1
Q
2
Vo
Vs
+5V
+5V
0.4mA
代號：
34060
34160
頁次：
2
－
2
Ω
，
求Rin=？（10 分）
此電路若要調整組成低通缺口式濾
元件之關係為何
？（20 分）
單元
（cell），請說明
Bit line capactiance
為CB）？
V
o
+
-