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8
年
特種考試地方政府
等 別：四等考試
類 科：電力工程、
電子工程
科 目：電子學概要
考試時間：1小時 30 分
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，
作答時請將試題題
本科目除專
門名詞或數理公式外
代號：
43360
43460
頁次：
2
－
1
一、如圖一所示，假如V1
=2
R1=1 kΩ，R2=1 kΩ，
R
R8=1 kΩ，R9=1 kΩ，
求
二、如圖二之電路，
電晶體之
其直流工作點偏壓在
V
R2=20 MΩ，R3=20 M
Ω
R8=12 kΩ，C1=C2=C3
=
求gm，ro。
求Rin 及Vo/Vs。
R1
R
2
R3
V1
V2
V3
NMOS
Vs
特種考試地方政府
公務人員
考試
電子工程
座號
作答時請將試題題
號及答案依照順序寫在試卷上，
於本試題上作答者
門名詞或數理公式外
，應使用本國文字作答。
=2
V，V2=2 V，V3=2 V，V4=1 V
，
R
3=1 kΩ，R4=3 kΩ，R5=1 kΩ，
R
求
0
1
V
V=？（20 分）
圖一
電晶體之
Vt=1 V，Kn= 4 mA/V2，VA
（
early voltage
V
D=7.0 V，VGS=2 V，ID=0.5
mA
Ω
，R4=20 MΩ，R5=14 kΩ，R6
=16
=
∞。（每小題 10 分，共 20 分
）
圖二
R4
R5
R
7
R8
R9
V4
V5
V6
R4
R1
R
2
R3
R5
R
7
R8
+15V
R6
C1
C2
C3
NMOS
+15V
考試
試題
座號
：
於本試題上作答者
，不予計分。
，
V5=1 V，V6=1 V，
R
6=2 kΩ，R7=1 kΩ，
early voltage
）=100 V，
mA
，又 R1=0.33 MΩ，
=16
kΩ，R7=16 kΩ，
）
R6
V0
Vo
三、如圖三（不考慮
early effect
可接負載 RL=1 kΩ，
求
Rin=？
Rout（不考慮負載
）
開路之總增益（
overall
加負載之總增益（
overall voltage gain
四、利用壓電之晶體（
piezoelectric crystal
oscillator），
請畫出壓電晶體之等效電路
變化圖（
crystal reactance versus frequency
五、一個 4Mbits
記憶體晶片
1024 列（rows），
128
位址（
columns address
元（bits）來操控
？（
Vs
early effect
，ro=∞），R1=50 kΩ，β1
=
求
：（每小題 5分，共 20 分）
）
=？
overall
voltage gain），Gvo=Vo/Vs
=
overall voltage gain
），Gv=Vo/Vs
=
圖三
piezoelectric crystal
）
可以形式晶體振盪器
請畫出壓電晶體之等效電路
，
同時畫出其晶體阻抗隨頻率之
crystal reactance versus frequency
），
並加以說明
記憶體晶片
，製作時分成 32 個區塊（
blocks
128
行（columns），請計算列位址
（
columns address
）及區塊位址（blocks address
）
？（
20 分）
R1
Rin
Q1
Q2Rout
RL
V
o
9mA
代號：
43360
43460
頁次：
2
－
2
=
β2=90，電路在 Vo
=
？
=
？
可以形式晶體振盪器
（crystal
同時畫出其晶體阻抗隨頻率之
並加以說明
。（20 分）
blocks
），每個區塊有
（
rows address），行
）
，各需要多少的位
V
o