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108年公務人員特種考試關務人員、身心障礙人員考試及
108年國軍上校以上軍官轉任公務人員考試試題
考 試 別：身心障礙人員考試
等 別：四等考試
類 科：電力工程
科 目：電子學概要
考試時間：1小時 30 分 座號：
※注意：
可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目得以本國文字或英文作答。
代號：50840
頁次：2
－
1
一、如圖一所示電路，其中MOSFET電晶體的特性 ，W/L = 20，
V
A
= 50 V，此電路之Q點偏壓，讓其 ，R
D
= 10 kΩ，R
G
= 5 MΩ，
R
sig
= 500 kΩ，其負載電阻R
L
= 10 kΩ，假設C
2
300μμA/VC
OXn
=
mA25I
D
.0=
C1
，
C
C2
，
C
S
皆無窮大，求輸入
阻抗R
in
=？輸出阻抗R
O
=？開路電壓增益A
vo
=？全電路電壓增益（overall
voltage gain），
sig
O
v
V
G=V
＝？（20分）
V
DD
R
D
C
C2
V
O
R
s
i
g
C
C
1
Q
1
R
L
R
G
V
sig
C
S
-V
SS
圖一
代號：50840
頁次：2
－
2
二、如圖二所示電路，其中 BJT 電晶體的特性 ，= 400 kΩ
，
又
，又 C
120β=
O
γ
pFC1=
μ
C1
，
C
C2
，
C
E
皆無窮大，R
sig
= 10 kΩ，R
1
= 66 kΩ，R
2
= 44 kΩ，
R
E
= 4 kΩ，R
C
= 5 kΩ，V
CC
= 5 V，R
L
= 5 kΩ，直流偏壓電流 I
E
= 0.3 mA，假
設f
T
= 900 MHz，求 f
H
（3 dB 頻率）=？（20 分）
V
CC
R
C
C
C
2
R
1
V
O
C
C
1
R
s
ig
R
L
V
sig
R
2
R
E
C
E
圖二
三、在雙極性接面電晶體（BJT）和金氧半場效電晶體（MOSFET）的特性，
其爾利電壓（early voltage）若存在，請分別說明在雙極性接面電晶體（BJT）
和金氧半場效電晶體（MOSFET）是什麼原因產生爾利電壓？請分別說明
這現象對雙極性接面電晶體（BJT）和金氧半場效電晶體（MOSFET）之
等效電路模型有何影響？（20 分）
四、請以雙埠網路（two port network）及其輸入、輸出之電壓、電流等式之參
數（parameters）變化，來說明單向（unilateral）電路的特性。（20 分）
五、請將 FBD)(CACBAY ⋅++⋅+⋅⋅= 之函數以 Dynamic MOS logic circuits
之型式，畫出其電路圖，並說明其工作原理。（20 分）