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111年公務人員特種考試關務人員、身心障礙人員考試及
111年國 軍 上 校 以 上軍 官 轉 任 公 務人 員 考 試 試 題
考 試 別
：
身心障礙人員考試
等 別
：
四等考試
類 科
：
電子工程
科 目
：
電子學概要
考試時間：1小時 30 分 座號：
※注意： 可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本
試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號
：
407
4
0
頁次
：
2
－
1
一、如圖一所示之電晶體電路，若電晶體工作於主動區（active region），則基
極至射極電壓 (on)
0.7 V
BE
V
，若電晶體工作於飽和區（saturation region），
則集極至射極電壓 (sat)
0.2 V
CE
V
，設電晶體之
β
150
、
3.3 V
CC
V
、
0.5 k
E
R
、
4 k
C
R
、1
85 k
R
及2
35 k
R
。試求偏壓電流
CQ
I
及偏
壓電壓
CEQ
V之值。（25 分）
圖一
二、如圖二所示之電路，設電路中採用理想運算放大器，且電阻 1
10 k
R
、
2
10 k
R
及電容器
100
μ
F
C
。試求：電路之轉移函數
( ) / ( )
o i
V s V s
，
其中
( )
o
V s
及
( )
i
V s
分別為
o
V
及
i
V
之拉普拉氏轉換（Laplace transform）。
（15 分）電路之截止頻率
3dB
f
。（10 分）
圖二
CC
VCC
RC
RE
VCEQ
ICQ
R1
R2
vs+
-
R2
C
R1
ViVo
代號：
4
0740
頁次：
2
－
2
三、如圖三所示之差動放大器，其參數為
5 V
V、
5 V
V 、1
80 k
R
、
40 k
D
R
；所有電晶體參數
1
0 V
、
0.8 V
TN
V
，
2
1 2 50 μ
A/V
n n
K K 、
2
3 4 100 μ
A/V
n n
K K 。試求：電流
1
I
、
1
D
I
和電壓
1
o
V
。（15 分）最大
的共模輸入電壓範圍。（15 分）
圖三
四、試用至多四個雙輸入端之反或閘（NOR gates）實現下列邏輯表示式：
F AB CD
。（20 分）
V
1
I
D1
I
1
R
1
M
3
M
2
M
1
R
D
R
D
I
D2
V
2
V
GS4
I
Q
M
4
V
+
V
-
V
o1
V
o2
+
-