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110 年特種考試地方政府公務人員考試試題
等 別
：
四
等考試
類 科
：
電力工程
、
電子工程
科 目
：
電子學概要
考試時間
：
1
小時
30
分
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
43260
43360
頁次：
3
－
1
一、假設圖一電路中的二極體為理想二極體，試描述此電路的轉換特型，即
描述在不同輸入電壓 υI值的情況下，其所對應輸出電壓 υO的值為何？
（20 分）
二、如圖二的電路，若 υsig 為一個小的弦波信號，平均為零，而此電晶體的
為100。（20 分）
當射極電流和集極電壓分別為 0.5 mA 和5 V 時，請求 RE和RC值。
當RL= 10 k，且爾利電壓（Early voltage）VA= 99 V 時，請畫出放大
器的小信號型等效電路，並求整體的電壓增益。
υO
υsig
RC
+
-
RE
+15 V
-15 V
RL
Rsig = 2.5 k
圖二
圖一
10 kΩ
10 kΩ 10 kΩ
5 V 5 V
+
-
+
-
+
-+
-
υIυO
D1D2
代號
：
43260
43360
頁次
：
3
－
2
三、圖三為一 IC 源極隨耦器，當 NMOS 電晶體的 kn= 160 A/V2，爾利電
壓（Early voltage）VA= 20 V，= 0.2，W/L= 100，且過驅電壓（overdrive
voltage）VOV = 0.5 V。（20 分）
請求此電路的電壓增益 Aυo 和輸出電阻 RO值。
若接上 1 kΩ 負載電阻時，電壓增益將變為多少？
四、圖四為共源極（CS）放大器的高頻等效電路模型。若信號源內部電
阻Rsig = 100 k，同時放大器具有 RG= 4.7 M、RD=RL= 15 k、
gm= 1 mA/V、ro= 150 k、Cgs = 1 pF 及Cgd = 0.4 pF。（20 分）
請求出此放大電路的中頻增益 AM、上 3-dB 頻率 fH以及零點頻率值。
若用另一個具有同樣大的 Cgs 但小一點 Cgd 的MOSFET 去替換原本的
電晶體，若想達到 1 MHz 的fH，求 Cgd 最大可為多少？
圖三
B
υiG
VDD
RL
I
υgs υbs
υo
+
--
+
圖四
Vo
Vsig +
-
Rsig
RGroRDRL
+
-
υgs Cgs gmVgs
Cgd
G
+
-
S
D
代號：
43260
43360
頁次：
3
－
3
五、請回答下列問題：
請畫出三輸入 NAND 閘的 CMOS 電路。（10 分）
請畫出圖五中 PDN 相對應的 PUN 電路，然後畫出完整的 CMOS 邏輯
電路。又此電路所實現的布林函數為何？（10 分）
圖五
A
B
C
Y