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112 年特種考試地方政府公務人員考試試題
等 別
：
四
等考試
類 科
：
電力工程
、
電子工程
、
電信工程
科 目
：
電子學概要
考試時間
：
1
小時
30
分
座號
：
※注意：可以使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。
代號：
43860
-
44060
頁次：
3
－
1
一、圖 1(a)所示為使用複數阻抗（Z1與Z2）的理想運算放大器電路。
（每小題 5分，共 20 分）
利用克希荷夫電流定律（KCL）與理想運算放大器的虛接地（Virtual
GND）性質，計算電壓增益 Vout/Vin。
利用圖 1(a)所示電路，使用被動元件（電阻 R與電容 C）代替複數阻
抗，設計微分器電路。
計算所設計微分器電路的時域（Time Domain）輸出電壓函數 Vout(t)。
若輸入電壓 Vin(t)波形如圖 1(b)所示，而所使用的 R與C值分別為
2.5 kΩ 與1 nF，繪製輸出電壓 Vout(t)波形。
Vin
Vout
Z2
Z1
Vin
t(ms)
+2.5 V
-2.5 V
510 15
圖1(a) 圖1(b)
代號：
43860
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44060
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2
二、圖 2所示的金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器電路，操作在中頻帶
中。忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）效應，並且假設兩
顆電容器（C1與C2）的值很大。（每小題 10 分，共 20 分）
繪製此放大器電路的中頻帶小訊號等效電路。
計算此放大器電路的中頻帶電壓增益。
Vin
C1
R1
R2
RD
RSC2
Vout
VDD
圖2
三、圖 3的達靈頓對（Darlington Pair）電路，是由兩顆不同類型（一顆 npn
與一顆 pnp）的雙極性接面電晶體（BJT）所組成。
（每小題 10 分，共 20 分）
若將此電路等效為單顆 BJT 電晶體，請繪製其等效電路符號（npn 或
pnp 擇一），並且標明其電流方向（IB、IC與IE）。
計算此電路的電流放大倍率 IE/IB。假設
1
1、
2
1。
Q1
Q2
圖3
代號：
43860
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44060
頁次：
3
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3
四、圖 4所示為一階濾波器，使用被動元件進行實現。其中 R1= 1 Ω、
R2= 1 kΩ、C1= 1 nF，以及 C2= 1 μF。（每小題 10 分，共 20 分）
計算轉移函數 H(s) = Vout/Vin，以及極點（pole）與零點（zero）位置。
使用波德規則（Bode’srules）繪製轉移函數大小|H(
)|響應圖，必須標明
數值。並且說明此濾波器類型為高通（High-Pass）或低通（Low-Pass）。
Vin
C1
R1R2C2
Vout
圖4
五、圖 5所示為由三顆完全相同的反相器所組成的振盪器。
（每小題 10 分，共 20 分）
使用互補式金氧半（Complementary MOS, CMOS）反相器來設計此振
盪器，繪製出完整電路。
若每一顆 CMOS 反相器均具有相同的高至低輸出轉態延遲時間（tPHL）
與低至高輸出轉態延遲時間（tPLH），繪製在三個節點的波形，然後計
算最高操作頻率（fmax）。[註：tPLH≠tPHL]
X Y Z
圖5