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1.電路學 2.電子學 第 1 頁，共 6 頁
經濟部所屬事業機構 110 年新進職員甄試試題
類別:電機（一）、電機（二）、儀電 節次:第二節
科目:1.電路學 2.電子學
注
意
事
項
1.本試題共 6頁(含A3 紙1張、A4 紙1張)。
2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。
3.本試題為單選題共 50 題，每題 2分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本
試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案，答錯不倒扣；畫記多於 1個選項或未作答者，該
題不予計分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當處
所索取。
7.考試時間：90 分鐘。
[D]
1.
若一台吹風機的額定操作功率為 1200 瓦特，試問將其連續操作 50 分鐘後，將消耗多少度電
能？
(A) 10 度 (B) 5 度 (C) 1.2 度 (D) 1 度
[B]
2.
某一電器之輸入電壓及輸入電流分別為 110 V 及 10 A，而輸出電壓及輸出電流分別為 100 V
及 8.8 A，則此電器效率為下列何者？
(A) 70 % (B) 80 % (C) 90 % (D) 95 %
[A]
3.
將 110 V/400 W 的電燈泡接上電源，使用 6 小時後，如電費每度1元，總共將支出多少電費？
(A) 2.4 元 (B) 2.64 元 (C) 4.4 元 (D) 6.6 元
[D]
4.
下列對於導線電阻值的敘述，何者正確？
(A)電阻與截面積無關 (B)電阻與截面積成正比
(C)電阻與長度無關 (D)電阻與長度成正比
[B]
5.
兩電阻 R1、R2 並聯，其等效電阻為下列何者？
(A) (R1 + R2) / R1 R2 (B) R1 R2 / (R1 + R2)
(C) R1 + R2 (D) R1 R2
[D]
6.
某電路如右圖所示，電流 I 為多少安培？
(A) 1 A
(B) 0.5 A
(C) 0.1 A
(D) 0 A
[D]
7.
試求右圖所示的直流電路中，跨於 20 歐姆的電
阻器兩端之電壓為多少？
(A) 150 V
(B) 100 V
(C) 90 V
(D) 80 V
【請翻頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 2 頁，共 6 頁
[C]
8.
有關理想電壓源的敘述，下列何者正確？
(A)電流恆定 (B)輸出為電感型 (C)內阻為零 (D)輸出為電容性
[A]
9.
如右圖所示電路，其中的電流 I 為何？
(A) 10 A
(B) 5 A
(C) 2 A
(D) 1 A
[C]
10.
如右圖所示，電路中的 V1、V2 電壓為何？
(A) V1 = 4.5 V、V2 = 0.5 V
(B) V1 = 1.5 V、V2 = 3.5 V
(C) V1 = 0.5 V、V2 = 0.5 V
(D) V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V
[C]
11.
試求右圖中雙埠網路的 Y 參數，Y12 和 Y22 之值為
何？
(A) 1/3、2/3 (B) 1/3、-2/3
(C) -1/3、2/3 (D) -1/3、-2/3
[D]
12.
試求右圖中雙埠網路的 Z 參數，Z12 和 Z22 之值為
何？
(A) -1/3、-5/3 (B) -5/3、1/3
(C) 5/3、-1/3 (D) 1/3、5/3
[C]
13.
兩個電容 C1、C2 並聯，其等效電容為下列何者？
(A) C1 C2 / (C1 + C2) (B) (C1 + C2) / C1 C2 (C) C1 + C2 (D) C1 C2
[B]
14.
下列何種元件的儲存能量與電壓平方成正比？
(A)電感 (B)電容 (C)電阻 (D)二極體
[A]
15.
A 電容器為 40 微法拉，耐壓 500 伏特；B 電容器為 60 微法拉，耐壓 100 伏特；C 電容器為
120 微法拉，耐壓 200 伏特，將以上三個電容器串聯後耐壓為多少伏特？
(A) 300 (B) 400 (C) 500 (D) 600
[A]
16.
一個 10 微法拉電容器以 30 微安培之定電流源充電，若電容器充電前電壓為零，則充電 20 秒
後電容器上的電壓為多少伏特？
(A) 60 (B) 30 (C) 20 (D) 10
1.電路學 2.電子學 第 3 頁，共 6 頁
[B]
17.
一個 200 微法拉電容器已充電至 100 V，且電容器開關切開之瞬間電壓 V(0−) = 100 V，請問
電容器儲存能量與 V(0+) 為何？
(A) 0.1 J、200 V (B) 1 J、100 V (C) 10 J、200 V (D) 10 J、100 V
[B]
18.
若右圖中之電感電路已達穩態，試求
全部電感之總儲存電能為何？
(A) 9.5 J (B) 7.5 J
(C) 5.5 J (D) 3.5 J
[C]
19.
一個元件的電壓及電流分別為 10cos(3t + 30°) 伏特與 -2sin(3t + 60°) 安培，其相位關係相差多
少度？
(A) 100° (B) 110° (C) 120° (D) 130°
[A]
20.
已知 f(t) 的拉普拉斯轉換為 𝐹(𝑆)=𝑆2+𝑆+3
𝑆3+2𝑆2+𝑆+2，請問 f(t)為下列何者？
(A) e-2t + sint (B) e-3t + sint (C) e-2t + cost (D) e-3t + cost
[C]
21.
三相負載每相阻抗皆為 6 + j8 歐姆 且為 Y 接線，若每相之相電流為 20 安培(有效值)，則此三
相負載消耗之總平均功率為多少瓦特？
(A) 3000 W (B) 4900 W (C) 7200 W (D) 8100 W
[A]
22.
一個平衡的三相電路在其 Y 型連接之負載側所量得的線電壓均方根 (RMS) 值為 173.2 V，若
此三相負載之總消耗實功率為 300 W，且負載的功因為 0.6 滯後，則流入此三相負載的線電
流有效值為多少安培？
(A) 1.667 A (B) 1.333 A (C) 0.962 A (D) 0 A
[C]
23.
有關 RLC 並聯諧振電路，下列敘述何者有誤？
(A)諧振時阻抗最大 (B)諧振時功率因數為 1
(C)諧振時電流最大 (D)諧振時呈電阻性
[A]
24.
有關右圖所示之諧振電路，其諧振頻
率下列何者正確？
(A) 1592 kHz (B) 2592 kHz
(C) 3592 kHz (D) 4592 kHz
[D]
25.
針對一個阻抗大小為 j20 歐姆的負載，若通以一電流源 i(t) = 10cos(3t + 30°) 安培時，其所消耗
之平均實功率為多少？
(A) 2000 W (B) 1000 W (C) 600 W (D) 0 W
[D]
26.
若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 ℃ 時崩潰電壓為 15 V，溫度係數為 0.02 % / ℃，若溫度
上升至 60 ℃，求崩潰電壓為何？
(A) 15.235 V (B) 15.2 V (C) 15.135 V (D) 15.105 V
[A]
27.
下列何者不是二極體常見的功用？
(A)濾波 (B)保護 (C)整流 (D)截波
【請翻頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 4 頁，共 6 頁
[C]
28.
對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 I𝑠 的敘述何者有誤？
(A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 I𝑠 (約 10−15 A)
(B) I𝑠 由少數載子數量控制
(C)溫度越高，I𝑠 會下降
(D) Junction 面積增加會使 I𝑠 上升
[C]
29.
有關 NPN 接面之 BJT 電晶體，下列敘述何者有誤？
(A)基極-射極、基極-集極接面皆施予順向偏壓，電晶體將工作於飽和區
(B)當基極電流逐漸下降為 0，電晶體將進入截止區
(C)在飽和區工作之電晶體，若持續對基極-集極增加順向偏壓，增益參數 β 會上升
(D)一般 BJT 之電壓增益參數 β 會隨著接面溫度 T
𝑗 上升而增加
[A]
30.
如右圖之電路，假設 I𝑜 = 10 μA ，BJT Q1、Q2、Q3的電流
增益 β 均為 100 ， V𝑇 = 25 mV，且厄利電壓 (Early Voltage)
|V
𝐴| = 25 V ，求 R𝑜 的電阻值為多少？
(A) 13.51 MΩ
(B) 23.51 MΩ
(C) 33.51 MΩ
(D) 43.51 MΩ
[C]
31.
如右圖之 JFET 共源極放大器電路，若 V𝐺𝑆 = 15 V 時，反向
漏電流 I𝐺𝑆𝑆 = 60 nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
(A) 30 MΩ
(B) 15 MΩ
(C) 14.15 MΩ
(D) 3.75 MΩ
[B]
32.
對一 MOSFET 以一固定的 V𝐺𝑆 電壓操作於飽和區，在 V𝐷𝑆 = 4 V 時，i𝐷 = 2 mA ，且 V𝐷𝑆 = 6 V
時，i𝐷 = 2.05 mA ，請問其厄利電壓 (Early Voltage) |V
𝐴| 為多少？
(A) 70 V (B) 76 V (C) 80 V (D) 86 V
[A]
33.
下列何種邏輯閘具有最短的傳遞延遲時間？
(A) ECL (B) CMOS (C) TTL (D) N-MOS
[B]
34.
在積體電路中，NMOS 的基體 (B) 端應與下列何者相接?
(A)汲極 (Drain) (B)最低電壓點 (C)源極 (Source) (D)最高電壓點
[B]
35.
FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述，下列何者有誤？
(A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生
[D]
36.
對基本放大器增加負回授後，下列特性敘述何者有誤？
(A)雜訊對電路的影響降低 (B)頻寬增加
(C)放大器的增益會衰減 (D)增益與頻寬的乘積提高
[C]
37.
由 CMOS FET 組成傳輸閘 (Transmission Gate) 時，組成元件為下列何者？
(A)只有 NMOS (B)只有 PMOS (C) NMOS + PMOS (D) JFET
[B]
38.
有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為 V𝑖1 = 50 μV，V𝑖2 = 40 μV，共模拒斥比 CMRR = 40 dB
，差模增益 A𝑑 = 250，則下列何者正確？
(A)差模輸入電壓 V𝑑 = 5 μV (B)共模增益 A𝐶 = 2.5
(C)共模輸入電壓 V𝐶 = 90 μV (D)輸出電壓 V𝑜 = 5.25 mV
【請另頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 5 頁，共 6 頁
[C]
39.
如右圖所示電晶體電路，假設輸入信號 V𝑆 為交流小信號且
無直流成分，又電晶體的 r𝑜 可忽略，則右圖之輸入電阻Rin
為何？
(A) 𝑟
𝜋 + (RE // RL)
(B) 𝑟
𝑒 + (RE // RL)
(C) 𝑟
𝜋 + (1 + β)(RE // RL)
(D) 𝑟
𝑒 + (1 + β)(RE // RL)
[D]
40.
如右圖所示電路，已知 FET 參數 g𝑚 = 1 mS，r𝑑 = 20 kΩ，
若此電路具回授 (Feedback) 的狀態，下列敘述何者有誤？
(A)此為串串 (series- series) 回授型態
(B)回授因子 (Feedback factor) β 為 0.47 kΩ
(C)開迴路增益 (Open loop gain) A 為 0.66 mA / V
(D) Vout
𝑉
𝑠 為 -10
[B]
41.
如右圖電路，已知 CMOS 反向電路的 V𝑇𝑁 = 0.8 V，
V𝑇𝑃 = -0.8 V且 K𝑛 = K𝑝，假設 vO1 = 4 V 時，請問 vI 的電
壓值為多少？
(A) 1.55 V
(B) 2.40 V
(C) 2.86 V
(D) 3.75 V
[C]
42.
如右圖達靈頓電路中，假設每個晶體 β = 100，R𝐸 = 500 Ω，則
Rin輸入電阻為何？
(A) 500 Ω
(B) 3.2 MΩ
(C) 5.1 MΩ
(D) 8.5 MΩ
[A或C]
43.
串級(Cascade)電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用下列何者放大器組態作為第二
級放大器？
(A)共集極 (B)共基極 (C)共射極 (D)共源極
[B]
44.
4 級串級放大器，若每一級截止頻率都相同，即 𝑓
𝐿 = 200 Hz，𝑓
𝐻 = 50 kHz，則該 4 級串級放
大器之頻寬 B 應為何？
(A) 11.3 kHz (B) 21.3 kHz (C) 49.7 kHz (D) 50.3 kHz
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1.電路學 2.電子學 第 6 頁，共 6 頁
[A]
45.
某一電晶體電路的I𝐶 = 1.5 mA、V𝑇 = 0.025 V、f𝑇 = 956.4 MHz，其中 C𝜋 = 9 pF(EB 接面電容)
，試求 C𝜇(CB接面電容) 值為多少？
(A) 1 pF (B) 3 pF (C) 5 pF (D) 6 pF
[B]
46.
有一 AB 類放大器電路如右圖，試求其最大的交流負載
功率 𝑃𝑜(𝑚𝑎𝑥) 為何？
(A) 3 W
(B) 5 W
(C) 12 W
(D) 20 W
[D]
47.
右圖所示電路是理想的運算放大器，若運算放大器進入
飽和狀態，V𝑆 可能為下列何者？
(A) 0 V
(B) 3 V
(C) 6 V
(D) 9 V
[A]
48.
運算放大器電路如右圖所示，輸入電阻 Rin 為下列
何者？
(A) -1.5 R
(B) -R
(C) R
(D) 1.5 R
[A]
49.
如右圖所示電路，OP1 與 OP2 工作電壓 VCC = ±15 V
，則下列敘述何者有誤？
(A) Vo2 輸出範圍為 -3 至 3 V
(B)回授因子 (Feedback factor) β = 0.25
(C)振盪週期 5 ms
(D) Vo2 輸出為三角波訊號
[D]
50.
右圖電路為下列何種電路？
(A) TTL 或閘 (OR)
(B) TTL 反或閘 (NOR)
(C) ECL 或閘 (OR)
(D) ECL 反或閘 (NOR)