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1.電路學 2.電子學 第 1 頁，共 6 頁
經濟部所屬事業機構 109年新進職員甄試試題
類別:電機、儀電 節次:第二節
科目:1.電路學 2.電子學
注
意
事
項
1.本試題共 6頁(含A3 紙1張，A4 紙1張)。
2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。
3.本試題為單選題共 50 題，每題 2分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本
試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於 1個
選項者，倒扣該題所配分數 3分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止；未作答者，不
給分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當處
所索取。
7.考試時間：90 分鐘。
3
[D]
1.
如右圖所示，為使電路中消耗的總功率為2.5 kW，電阻器Rx的值
為何？
(A) 10 Ω
(B) 15 Ω
(C) 19 Ω
(D) 38 Ω
6
[C]
2.
求6sin(3t) – 4cos(5t)的拉普拉斯變換為何？
(A) 4𝑠
𝑠2+9 +18
𝑠2+25 (B) 18
𝑠2+9 +4𝑠
𝑠2+25 (C) 18
𝑠2+9 −4𝑠
𝑠2+25 (D) 4𝑠
𝑠2+9 −18
𝑠2+25
9
[B]
3.
將4 A的直流電流入未充電的20 μF電容器持續3 ms時。求電容器兩端的電壓為何？
(A) 300 V (B) 600 V (C) 1200 V (D) 1800 V
12
[B]
4.
一個120 mH的純電感與一個25 μF電容器並聯，並且連接到100 V、60 Hz電源。其電源電流
及其相角為何？
(A) 0.786 A，電壓超前電流90度 (B) 1.267 A，電壓超前電流90度
(C) 0.786 A，電流超前電壓90度 (D) 1.267 A，電流超前電壓90度
15
[D]
5.
如右圖所示，流經2 Ω電阻之電流為何？
(A) 2 A
(B) 3 A
(C) 4 A
(D) 5 A
18
[A]
6.
三個電阻值均為30 Ω的電阻器，接線法與其等效電阻值間之關係，下列何者有誤？
(A)兩電阻串聯後，再與另一電阻並聯，等效電阻值15 Ω
(B)兩電阻並聯後，再與另一電阻串聯，等效電阻值45 Ω
(C)三電阻並聯，等效電阻值10 Ω
(D)三電阻串聯，等效電阻值90 Ω
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1.電路學 2.電子學 第 2 頁，共 6 頁
21
[C]
7.
如右圖所示，流經2 Ω電阻之電流為何？
(A) 5.95 A
(B) 6.35 A
(C) 6.75 A
(D) 7.15 A
24
[B]
8.
如右圖所示，有一40∠0° V，內部電阻為20 kΩ的交流電
源，通過一匝數比為20：1之理想變壓器與負載RL連接。
求最大功率傳輸的負載電阻值及負載的消耗功率為何？
(A) 50 Ω、0.1 W
(B) 50 Ω、0.02 W
(C) 10 Ω、0.1 W
(D) 10 Ω、0.02 W
1
[D]
9.
交流電壓v的周期時間為0.01 s，峰值為40 V。當時間t為零時，v = -20 V。其瞬時電壓的表示
式為何？
(A) 40sin(100πt – π/2) (B) 40sin(100πt – π/6) (C) 40sin(200πt – π/2) (D) 40sin(200πt – π/6)
4
[A]
10.
利用一20 nF電容器與電阻器R，設計一個截止頻率為800 Hz的高通無源濾波器，求R值為何
？
(A) 9.95 kΩ (B) 10.88 kΩ (C) 11.24 kΩ (D) 12.65 kΩ
7
[D]
11.
有一電感為0.2 H，電阻為60 Ω的線圈與20 μF電容器並聯連接在20 V可變頻率電源上。其發
生並聯共振之頻率為何？
(A) 57.34 Hz (B) 59.42 Hz (C) 61.18 Hz (D) 63.66 Hz
10
[A]
12.
有一電路由0.5 μF電容器串聯連接一電阻器組成，其時間常數為12 ms。假設初始電容器電荷
為零，將此電路連接到10 V直流電源後7 ms，其電容器的電壓值為何？
(A) 4.42 V (B) 5.53 V (C) 6.64 V (D) 7.75 V
13
[B]
13.
有一電感為3 H，電阻為15 Ω的線圈，在t = 0 時連接到120 V直流電源，其在0.3 s後之電流值
為何？
(A) 5.542 A (B) 6.215 A (C) 7.582 A (D) 8.000 A
16
[D]
14.
如右圖所示，求理想運算放大器之輸出電壓Vo為何？
(A) -6.2 V
(B) -6.3 V
(C) -6.4 V
(D) -6.5 V
19
[A]
15.
將-0.75 V的穩定電壓，施加到電阻值R = 200 kΩ、電容值C = 2.5 μF之運算放大積分器。假設
初始電容器電荷為零，則在施加輸入後100 ms的輸出電壓值為何？
(A) 0.15 V (B) 0.3 V (C) 0.45 V (D) 0.6 V
22
[D]
16.
如右圖所示的差分放大器電路中，R1 = 10 kΩ、R2 = 10 kΩ、
R3 = 100 kΩ、Rf = 100 kΩ。如果V1 = 25 mV和V2 = 50 mV，
則輸出電壓Vo為何？
(A) -50 mV
(B) 50 mV
(C) -250 mV
(D) 250 mV
1.電路學 2.電子學 第 3 頁，共 6 頁
25
[C]
17.
如右圖所示的維恩電橋電路中，R2 = R3 = 30 kΩ，R4 = 1 kΩ，
C2 = C3 = 1 nF。當電橋平衡時，電阻R1的值為何？
(A) 300 Ω
(B) 400 Ω
(C) 500 Ω
(D) 600 Ω
2
[A]
18.
三相交流馬達的輸入功率測得為5 kW。如果馬達的電壓和電流分別為400 V和8.6 A，則系統
的功率因數為何？
(A) 0.839 (B) 0.856 (C) 0.878 (D) 0.894
5
[C]
19.
一個400 V的三相星形連接之交流電源提供一個三角形連接的負載，該負載的每相具有30 Ω
的電阻和40 Ω的感抗。若忽略交流電源和負載之間線路的損耗，求交流電源提供的輸出功率
為何？
(A) 3.22 kW (B) 4.54 kW (C) 5.76 kW (D) 6.68 kW
8
[A]
20.
在電源電壓為(120 + j200) V的電路中流過(7 + j16) A的電流，求此電路的等效阻抗值為何？
(A) 13.25 − j1.705 Ω (B) 13.25 + j1.705 Ω (C) 13.25 − j0.705 Ω (D) 13.25 + j0.705 Ω
11
[D]
21.
如右圖所示，有一電阻為R歐姆且電感為L亨利的線圈與50
μF電容器串聯連接。若電源電壓為225∠0◦ V、60 Hz時，電路
中流動的電流為I = 1.5∠-30◦ A，則線圈的R和L值為何？
(A) R =129.9 Ω、L= 0.04 H
(B) R =129.9 Ω、L= 0.14 H
(C) R =129.9 Ω、L= 0.24 H
(D) R =129.9 Ω、L= 0.34 H
14
[B]
22.
有一單埠電路，其戴維寧等效電壓為20 伏特，諾頓等效電流為4 安培，請問其諾頓與戴維寧
等效電阻各為何？
(A)同為1
5 Ω (B)同為5 Ω (C) 1
5 Ω與5 Ω (D) 5 Ω與1
5 Ω
17
[C]
23.
如右圖所示，電源電流I的值為何？
(A) 9.12∠15.48◦
(B) 10.78∠16.67◦
(C) 11.55∠17.96◦
(D) 12.63∠18.16◦
20
[B]
24.
如右圖所示，求A和B間產生的有效功率為何？
(A) 310.2 W
(B) 339.5 W
(C) 355.8 W
(D) 378.3 W
23
[C]
25.
有一RLC串聯電路，電阻值為10 Ω，電容值為5 μF和一個可變電感L組成，電源電壓為20∠0◦
伏特，頻率為318.3 Hz。當調整電感值至跨越10 Ω電阻的電壓為最大值時，則此電感L的值
為何？
(A) 30 mH (B) 40 mH (C) 50 mH (D) 60 mH
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1.電路學 2.電子學 第 4 頁，共 6 頁
28
[B]
26.
關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊
(B)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大
(C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
(D)多數載子之移動形成擴散電流
31
[D]
27.
對直接耦合(direct-coupling)放大器而言，下列敘述何者正確？
(A)低頻響應佳，工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定
(C)高頻響應較差，工作點較不穩定 (D)低頻響應較佳，工作點較不穩定
34
[D]
28.
某npn型電晶體操作在vBE = 710 mV，IC = 4 mA，其iC對vCE的特性有一斜率為4×10-5 ʊ，
當電晶體操作在IC = 10 mA時，其輸出阻抗值為多少？
(A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ
37
[A]
29.
當電晶體共射極放大器加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則下列敘述何者正確？
(A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加
40
[C]
30.
如右圖所示之穩壓電路，假設 Q1、Q2的 IC = IE(IB忽略)
，VBE = 0.7 V，VL = 12 V，則R1：R2為下列何者？
(A) 1：2
(B) 3：4
(C) 5：7
(D) 7：9
43
[A]
31.
如右圖所示之電路，二電晶體參數均為VTH = 0.4 V及𝑘𝑛
′ = 120 μA/V2，
若M1和M2長寬比為(W/L)1 = 30 和 (W/L)2 = 15，則 ID為以下何者？
(A) 5.45 mA
(B) 7.94 mA
(C) 10.11 mA
(D) 12.62 mA
46
[B]
32.
比較晶體基本偏壓組態之敘述，下列何者正確？
(A)共閘極：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號同相
(B)共射極：電壓增益大，輸入與輸出信號反相
(C)共汲極或源極隨耦器：輸入阻抗小，輸出阻抗大，輸入與輸出信號反相
(D)達靈頓晶體：輸入阻抗大，輸出阻抗小，輸入與輸出信號反相
49
[D]
33.
有關負回授放大器的穩定性敘述，下列何者有誤？
(A)增益邊界(gain margin)為正值則不穩定
(B)如1 + Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定
(C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定
(D)相位邊界(phase margin)為負值則穩定
26
[B]
34.
如右圖所示之差動放大器。電晶體參數如下，𝜇𝑛𝐶𝑜𝑥 = 100
μA/V2 ，VA = 10，但Q1,2之(W/L)1,2 = 25，Q3之(W/L)3 = 50，Q4
之 (W/L)4 = 10。電阻 RD = 10 kΩ。假設偏壓維持節點電壓 VB
= VX，若電路的差模電壓增益Ad = (VO2 – VO1) / (Vi1 – Vi2)要達到
5 V / V，則IB為何？
(gm = 2√𝐾𝑛𝐼𝐷𝑄)
(A) 4.25 mA (B) 7.18 mA
(C) 9.12 mA (D) 12.26 mA
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1.電路學 2.電子學 第 5 頁，共 6 頁
29
[C]
35.
如右圖所示CMOS數位電路，請問輸出 Y為何種邏輯函數？
(A) Y = 𝐵
+ 𝐴𝐵
+ 𝐵
𝐷
(B) Y = 𝐴+ 𝐴𝐶+ 𝐵
𝐷
(C) Y = 𝐴+ 𝐵
𝐶+ 𝐵
𝐷
(D) Y = 𝐴𝐵
+ 𝐵
𝐶+ 𝐵
𝐷
32
[A]
36.
下列敘述何者有誤？
(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配
(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳
(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾
(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立，設計容易
35
[D]
37.
一差動放大器，其兩輸入電壓分別為Vi1 ＝ 55 μV，Vi2 ＝ 45 μV，共模拒斥比CMRR(dB) ＝ 40 dB
，差模增益為Ad ＝ 500，則下列何者正確？
(A)共模增益Ac ＝ 10 (B)差模輸入電壓Vd ＝ 5 μV
(C)共模輸入電壓Vc＝100 μV (D)輸出電壓Vo ＝ 5.25 mV
38
[C]
38.
如右圖所示之集極回授偏壓電路，VCC ＝ 12 V，VBE ＝ 0.7 V，
電晶體β ＝120，RC ＝ 1 kΩ，若 VCE ＝ 6.7 V，則RB為何？
(A) 48.5 kΩ
(B) 76.4 kΩ
(C) 136.9 kΩ
(D) 203.4 kΩ
41
[B]
39.
如右圖所示之振盪電路，於正常工作下，輸出電壓Vo之頻率
為何？
(A) 398 Hz
(B) 796 Hz
(C) 1.592 kHz
(D) 2.388 kHz
44
[D]
40.
如右圖所示電路，電晶體工作於作用區，β ＝ 99，
VBE ＝ 0.7 V，熱電壓(thermal voltage) VT ＝ 26 mV，
則此放大電路之電流增益𝐴𝑖=𝐼𝑜
𝐼𝑖為下列何者？
(A) 27.3
(B) 22.1
(C) 15.2
(D) 12.4
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1.電路學 2.電子學 第 6 頁，共 6 頁
47
[B]
41.
如右圖所示，其中接面場效電晶體(JFET)之夾止電壓
VP ＝ -4 V。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點
為VDS ＝ 3 V、ID ＝ 1 mA，汲極電阻 rd 忽略不計，則
此電路之小訊號電壓增益Vo / Vi為何？
(A) -1.1
(B) -2.0
(C) -4.2
(D) -6.4
50
[A]
42.
若量測電路中的pnp型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7 V，集極電壓為
-3 V，請問電晶體操作在哪個區域？
(A)截止區 (B)順向主動區 (C)飽和區 (D)逆向主動區
27
[D]
43.
有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述，下列何者正確？
(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點
(B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低
(C)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的交流電壓增益
(D)低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低
30
[A]
44.
當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
(A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁電位增加
(C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少
33
[C]
45.
對於一個放大器，其電壓增益A = -100，輸入阻抗為20 kΩ，使用一電阻R = 100 kΩ，跨接在
輸入和輸出端，其輸入阻抗變為多少？
(A) 3.7 kΩ (B) 2.1 kΩ (C) 943 Ω (D) 900 Ω
36
[B]
46.
如右圖所示之理想運算放大器電路，流經齊納(Zener)二極體之電
流IZ ＝1.5 mA，運算放大器之飽和電壓為±15 V，則R值為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 3 kΩ
(D) 5 kΩ
39
[C]
47.
對A類放大器性質的敘述，下列何者有誤？
(A)具有低輸出阻抗值
(B)使用電晶體電路時，射極隨耦器是常用的輸出級
(C)最常用於射頻(radio-frequency)功率放大
(D)總諧波失真均低於 AB類、B類及C類等放大器
42
[A]
48.
若某雙極性接面電晶體的基極電流IB = 20 μA，集極電流IC = 2 mA，且電晶體的β = 150，則此
電晶體工作在下列哪一區？
(A)飽和區 (B)截止區 (C)逆向作用區 (D)作用區
[一律
給分]
49.
一串級放大電路，已知第一級電壓增益為20 dB，第二級電壓增益為30倍，若此串聯放大電
路輸入電壓Vi為20 μA時，則輸出電壓Vo為何？
(A) 800 μV (B) 2 mV (C) 6 mV (D) 10 mV
48
[C]
50.
有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓VT = 2 V，當VGS = 5 V時，MOSFET工作於飽和區(夾
止區)，ID = 3 mA。若VGS = 8 V，則轉移電導gm為下列何者？
(A) 1 mS (B) 2 mS (C) 4 mS (D) 6 mS