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1.電路學 2.電子學 第 1 頁，共 6 頁
經濟部所屬事業機構 106年新進職員甄試試題
類別: 電機(甲)、儀電 節次:第二節
科目:1.電路學 2.電子學
注
意
事
項
1.本試題共 6頁(含A3 紙1張、A4 紙1張)。
2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。
3.本試題為單選題共 50 題，每題 2分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本
試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於 1個
選項者，倒扣該題所配分數 3分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止；未作答者，不
給分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當處
所索取。
7.考試時間：90 分鐘。
3
[B]
1.
求右圖電路中的V=？
(A) -4 V
(B) -2 V
(C) 2 V
(D) 4 V
6
[B]
2.
求右圖電路中的I=？
(A) 0.5 A
(B) 1 A
(C) 1.5 A
(D) 2 A
9
[C]
3.
有關重疊定理(Principle of Superposition)的應用，下列何者有誤？
(A)獨立電壓源可以用短路代替 (B)獨立電流源可以用開路代替
(C)相依電源可以用開路或短路代替 (D)可適用於線性系統
12
[A]
4.
兩個磁耦合線圈的自感分別為L1= 10 mH，L2= 16 mH，設耦合係數為0.85，求互感量為？
(A) 10.75 mH (B) 11.66 mH (C) 12.65 mH (D) 14.88 mH
15
[C]
5.
求右圖所示電路，a、b兩端的等效電容？
(A) 1 nF
(B) 1.52 nF
(C) 2 nF
(D) 2.52 nF
18
[B]
6.
理想二極體組成之箝位器(Diode Clampers)電路，
如右圖所示，若輸入為0 ~10 V之方波，試求其輸
出電壓範圍？
(A) -10~0 V (B) -7~3 V
(C) -3~7 V (D) 3~10 V
【請翻頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 2 頁，共 6 頁
21
[D]
7.
若一齊納二極體(Zener Diode)在25 ℃時崩潰電壓為15 V，溫度係數為0.02 %/℃，若崩潰電壓
升為15.135 V，求當時溫度為何？
(A) 35 ℃ (B) 45 ℃ (C) 60 ℃ (D) 70 ℃
[一律給分]
8.
關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性，下列敘述何者有誤？
(A)並非一般二極體的pn接面，而是半導體與金屬接面
(B)對於偏壓改變有快速反應能力，應用於高頻與高速切換
(C)順向電壓降約為0.3 V
(D)靠多數載子操作，有大量逆向漏電流
1
[D]
9.
經過全波整流器(Full-Wave Rectifier)之正弦波信號，輸出電壓平均值𝑉
𝑎𝑣𝑔與輸入電壓峰值𝑉
𝑝的
關係為？
(A) 𝑉
𝑎𝑣𝑔= 1
2𝑉
𝑝 (B) 𝑉
𝑎𝑣𝑔= 3
4 𝑉
𝑝 (C) 𝑉
𝑎𝑣𝑔= 1
𝜋 𝑉
𝑝 (D) 𝑉
𝑎𝑣𝑔= 2
𝜋 𝑉
𝑝
4
[C]
10.
有關於BJT電晶體(npn)之敘述，下列敘述何者有誤？
(A)基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓，電晶體將工作於飽和區
(B)當基極電流逐漸下降為0，電晶體將進入截止區
(C)在飽和區工作之電晶體，𝐼𝐶= β𝐷𝐶𝐼𝐵
(D)一般BJT之電壓增益參數β𝐷𝐶會隨著接面溫度𝑇
𝑗上升而增加
7
[A]
11.
求右圖電路中的V =？
(A) 50 V
(B) 60 V
(C) 70 V
(D) 80 V
10
[C]
12.
求右圖電路中，5 Ω所消耗的功率？
(A) 2.4 W
(B) 3.8 W
(C) 7.2 W
(D) 8.4 W
13
[A]
13.
有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源𝑉𝑇ℎ串聯一電阻𝑅𝑇ℎ組成，請問轉換為諾頓等效電路
後的獨立電流源𝐼𝑁為？
(A) 𝑉𝑇ℎ
𝑅𝑇ℎ (B) 𝑉𝑇ℎ𝑅𝑇ℎ (C) 𝑉𝑇ℎ−𝑅𝑇ℎ (D) 𝑉𝑇ℎ + 𝑅𝑇ℎ
16
[A]
14.
有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬何種性質負載？
(A)純電阻性負載 (B)純電容性負載 (C)純電感性負載 (D)複合性負載
19
[C]
15.
右圖所示電路是理想的運算放大器，求𝑉0=？
(A) -11 V
(B) -5 V
(C) 5 V
(D) 11 V
1.電路學 2.電子學 第 3 頁，共 6 頁
22[A或B]
16.
一BJT電晶體直流工作電路如右圖，若不希望電晶體進
入飽和區，請問𝑉𝑖𝑛在基極端所產生之電流最大允許增
加量為何？
(A) 100 μA (B) 150 μA
(C) 175 μA (D) 200 μA
25
[D]
17.
若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如右圖，若電晶體β𝐷𝐶=100，試求𝑉𝐶？
(A) 2 V
(B) 4.3 V
(C) 5 V
(D) 8.5 V
2
[C]
18.
有一差動放大器，CMRR= 2000、共模增益𝐴𝐶𝑀 = 0.2、輸入電壓分別為200 μV、100 μV，求
輸出電壓？
(A) 39.97 mV (B) 40 mV (C) 40.03 mV (D) 40.06 mV
5
[D]
19.
對於電晶體組成共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)電路特性，下列敘述何者有誤？
(A)高電壓增益 (B)加入射極旁路電容可提高電壓增益
(C)高電流增益 (D)輸出與輸入電壓同相
8
[B]
20.
關於達靈頓對(Darlington Pair)組成之射極隨耦器，下列敘述何者正確？
(A)輸入阻抗低 (B)可作為低阻抗負載緩衝器
(C)高電壓增益 (D)輸出阻抗高
11
[D]
21.
右圖所示電路為理想的運算放大器，求
Rin =？
(A) 1
4 Ω (B) 1
2 Ω
(C) 1 Ω (D) 5
4 Ω
14
[B]
22.
一電感器兩端的電壓為V ( t ) = 40𝑒−10𝑡 𝑉，請問電感器的電壓變成10 V時，t 為何值？
(A) 128.629 ms (B) 138.629 ms (C) 148.371 ms (D) 158.371 ms
17
[D]
23.
一
RLC
並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為
2500 Ω
、
2.5 H
、
4 nF
，其電壓響應應屬於
何種性質？
(A)欠阻尼 (B)無阻尼 (C)臨界阻尼 (D)過阻尼
20
[A]
24.
有一個10 Ω電阻器與一個5 mH電感器並聯，然後再跟一個5 Ω電阻，以及一個10 μF的電容器
串聯，求此電路在ω = 2000 𝑟𝑎𝑑 𝑠
⁄時的阻抗？
(A) 10-j45 Ω (B) 10+j45 Ω (C) 12.5-j75 Ω (D) 12.5+j75 Ω
23
[B]
25.
已知一弦波電壓為V=10 cos(1256𝑡 − 53.13°)，求其週期為？
(A) 4 ms (B) 5 ms (C) 6 ms (D) 7 ms
【請翻頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 4 頁，共 6 頁
28
[A]
26.
關於放大器之敘述，下列敘述何者有誤？
(A) A類放大器效率最高約有79 %
(B) B類放大器偏壓在截止點
(C) AB類放大器可改善交越失真現象(Crossover Distortion)
(D) C類放大器偏壓在截止點以下
31
[B]
27.
有一AB類放大器電路如右圖，試求其交流輸出功
率為？
(A) 0.5 W
(B) 0.9 W
(C) 1.25 W
(D) 1.5 W
34
[A]
28.
如右圖之JFET共源極放大器電路，若𝑉𝐺𝑆= 20 V時、反向
漏電流𝐼𝐺𝑆𝑆=50 nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？
(A) 19.05 MΩ
(B) 20 MΩ
(C) 20.95 MΩ
(D) 23.33 MΩ
37
[B]
29.
對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即𝐼𝐷=1
2𝐼𝐷𝑆𝑆
，下列哪一種方式可達成？
(A) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/2 (B) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/3.4
(C) 𝑉𝐷= 𝑉𝐷𝐷/2 (D) 𝑉𝐷= 𝑉𝐷𝐷/3.4
40
[A]
30.
有一增強型MOSFET，其臨界電壓𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ)=2 V，當𝑉𝐺𝑆 =8 V時、對應之𝐼𝐷(𝑜𝑛)=200 mA，求
𝑉𝐺𝑆=5 V時之𝐼𝐷值？
(A) 50 mA (B) 100 mA (C) 125 mA (D) 150 mA
43
[D]
31.
有關弦波穩態功率的敘述，下列何者有誤？
(A)瞬間功率的頻率為電壓或電流頻率的二倍
(B)平均功率等於瞬間功率經過一週期的平均值
(C)複數功率等於實功率與無效功率的複數和
(D)功率因數等於電壓與電流之間相角的正弦值
46
[C]
32.
如右圖所示電路，轉移到負載阻抗ZL的
最大功率為何？
(A) 6 W (B) 9 W
(C) 18 W (D) 36 W
49
[A]
33.
有一平衡三相電路𝑉
𝐴𝑁為120∠-30° V，且為正相序，𝑉𝐵𝐶的值為？
(A) 207.85∠-120° V (B) 207.85∠120° V
(C) 207.85∠-150° V (D) 207.85∠150° V
【請另頁繼續作答】
1.電路學 2.電子學 第 5 頁，共 6 頁
26
[C]
34.
有一個三相額定平均功率為20 kW的負載，已知電源的三相線路的線電壓額定值為240 V，線
電流為50 A，求負載所吸收的無效功率？
(A) 3.66 kVAR (B) 4.66 kVAR (C) 5.66 kVAR (D) 6.66 kVAR
29
[C]
35.
有一函數F ( s ) = 18𝑆2+66𝑆+54
(𝑆+1)(𝑆+2)(𝑆+3)，求f ( t )？
(A) 𝑒−𝑡+2𝑒−2𝑡+3𝑒−3𝑡
(B) 2𝑒−𝑡+4𝑒−2𝑡+6𝑒−3𝑡
(C) 3𝑒−𝑡+6𝑒−2𝑡+9𝑒−3𝑡
(D) 4𝑒−𝑡+8𝑒−2𝑡+12𝑒−3𝑡
32
[A]
36.
下列敘述何者有誤？
(A) JFET共源極放大器相較於BJT共射極放大器，輸入阻抗較低
(B) JFET共源極放大器，輸入𝑉𝐺𝑆與輸出𝑉𝐷𝑆電壓呈現180°反相
(C) JFET源極隨耦器電壓增益𝐴𝑉約略等於1
(D) JFET共閘極放大器具有低輸入阻抗
35
[A]
37.
如右圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，𝑉𝑜𝑢𝑡為輸出，
若希望輸出得到高電位(𝑉𝐷𝐷)，試問A、B輸入應為何？
(A) 0、0
(B) 0、𝑉𝐷𝐷
(C) 𝑉𝐷𝐷、0
(D) 𝑉𝐷𝐷、𝑉𝐷𝐷
38
[C]
38.
下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？
(A)耦合電容 (B)旁路電容 (C)電晶體內部電容 (D)反耦合電容
41
[B]
39.
關於負回授與非負回授運算放大器比較，下列敘述何者有誤？
(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180°反相
(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益
(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的
(D)負回授運算放大器可以得到較大頻寬
44
[D]
40.
如右圖之理想運算放大器電路，具有100 dB開迴路增益和
4 MHz的單位增益頻寬𝑓𝑇，下列敘述何者有誤？
(A)屬於反相放大器
(B)電壓增益為-5
(C)輸入阻抗約為1 kΩ
(D)閉迴路頻寬約為80 kHz
47
[D]
41.
求右圖電路中，流經5 Ω的電流 i =？
(A) 0.5 A
(B) 1 A
(C) 1.5 A
(D) 2 A
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1.電路學 2.電子學 第 6 頁，共 6 頁
50
[D]
42.
利用一50 mH的電感器設計一個截止頻率為1500 Hz的RL低通濾波器，求電阻器R值？
(A) 118 Ω (B) 236 Ω (C) 314 Ω (D) 471 Ω
27
[B]
43.
右圖所示為一帶通濾波器求共振頻率𝑊0？
(A) 105𝑟𝑎𝑑 𝑠
⁄ (B) 106𝑟𝑎𝑑 𝑠
⁄
(C) 107𝑟𝑎𝑑 𝑠
⁄ (D) 108𝑟𝑎𝑑 𝑠
⁄
30
[C]
44.
有一個0.3 mF的電容器，其端點電壓為40𝑒−150𝑡sin 300𝑡 𝑉，求電容器上的電流 i ( 0 )？
(A) 1.2 A (B) 2.4 A (C) 3.6 A (D) 4.8 A
33
[C]
45.
一般家庭用戶所使用的110 V為弦波電壓的均方根值，請問110 V的最大值為？
(A) 63.51 V (B) 77.78 V (C) 155.56 V (D) 190.52 V
36
[C]
46.
若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2 mA、射極電流為20 mA，試求其直流增益
β𝐷𝐶為何？
(A) 49 (B) 50 (C) 99 (D) 100
39
[B]
47.
試求如右圖中低通濾波器臨界頻率𝑓
𝐶為何？
(A) 3.98 kHz
(B) 7.96 kHz
(C) 12.58 kHz
(D) 15.92 kHz
42
[A]
48.
關於振盪器之敘述，下列敘述何者有誤？
(A)回授信號相位移必須為180°
(B)柯畢子振盪器(Colpitts Oscillator)使用LC回授電路
(C)迴路增益必須為1
(D)相移振盪器至少需使用三級RC相移電路
45
[B]
49.
有一MOSFET，若𝐼𝐷𝑆𝑆=10 mA、𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)= -4 V，當𝑉𝐺𝑆= -2 V時，試求其轉換電導𝑔𝑚？
(A) 1 mS (B) 2.5 mS (C) 5 mS (D) 9 mS
48
[C]
50.
如右圖JFET共源極放大器電路，試求電壓增益𝐴𝑉為何？
(A) -5
(B) -4
(C) -1.6
(D) -1.2