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年公務人員高等考試三級考試試題 代號：
類 科： 電力工程、電子工程
科 目： 電子學
考試時間： 2 小時 座號：
※注意：
禁止使用電子計算器。
不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。
（請接背面）
全一張
（
正面
）
26660
26760
一、齊納二極體（Zener diode）之特性如圖一(a)。（每小題 10 分，共 20 分）
使用理想二極體，畫出此齊納二極體之等效電路。
畫出圖一(b)電路 vo與vs之轉換特性曲線（transfer characteristic）。標示所有轉折
點與線段斜率。
二、圖二電路中電晶體臨界電壓（threshold voltage）Vtn (NMOS) = |Vtp| (PMOS) = 1 V，
製程參數 kn’(W/L) = 2kp’ (W/L) = 1 mA/V2，IQ = 2 mA，VG1 = 5 V，VDD、VG2為適當
之直流電壓，爾立電壓（Early voltage）均為 9 V，忽略基體效應（body effect）。
求算輸入電阻 Rin（不含 RS）與增益 Av = vo/vs。（20 分）
三、圖三電路之放大器的開路電壓增益為 A = 54 V/V，輸入阻抗 Rin = ∞，輸出阻抗
Ro = 2 kΩ，求算電路電壓增益 Av = vo/vs。（20 分）
iD iD
vD
+
-
+1V
- 5 V
r
D= 0.5 Ω
r
D = 0.1 Ω
R
= 1
k
Ω
R
= 1
k
Ω
-
+
3 V
vs vo
VDD
VG2
VG1
vo
vs
M1
M2
R
in
R
S
I
Q = 2 mA
= 0.45
k
Ω
∞
∞
R
2= 4
k
Ω
R
1= 2
k
Ω
R
L= 3
k
Ω
vo(t)
vs(t)
+
-
圖一
(a)
圖
二
圖
三
圖一
(b)
vD
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年公務人員高等考試三級考試試題 代號：
類 科： 電力工程、電子工程
科 目： 電子學
全一張
（
背面
）
26660
26760
四、圖四中兩電晶體完全匹配，其小信號參數為 ro = 10 kΩ以及 gm = 4 mA/V，
RL = RD = 10 kΩ，C = 100 pF，不計寄生雜散電容與基體效應（body effect）。
（每小題 10 分，共 20 分）
以對稱半電路分析，求算低頻之小信號增益 Av = vod/vid。
增益頻率函數中之極點與零點所對應的時間常數為何？
五、圖五 CMOS 數位電路中，C為時脈（clock），輸入信號 A與B，輸出信號 X與Y。
依C = 0 與1情況，分析此電路並建立 X、Y與A、B關係之真值表。（20 分）
+VDD
-VSS
-vid/2
+vid/2
R
D
R
D
R
L
Q1Q2
C
vod
- +
I
圖四
圖
五
Q1
Q5
Q2
Q6Q4 Q8
Q7
Q3
C
A
X
Y
C
B
VDD